SUMMARY - CECI · 譜圖。由圖1可知,高鐵引致之振動頻率範圍涵 蓋1~100Hz,振動尖峰頻率,亦可能涵蓋低頻、 中頻及高頻,於選擇量測儀器之有效量測頻率
Chapter 13 頻率響應 1 -...
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Chapter 13 頻率響應 1
第 13章 頻率響應
13-1-A CR網路 Pspice分析
RC 網路 : 安排電路,如下圖所示
按[分析 / 交流分析 / 交流轉換特性]
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在臨界頻率時,振幅 3 dB− ,相位角 45°
如圖電路,求臨界頻率 fc
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13-1-B CR網路 MATLAB分析
CR 網路的頻率響應圖:參考檔案 cr.m
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按 ,或快速鍵 F5 執行
如圖電路,求臨界頻率 fc。
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13-2-A RC網路 Pspice分析
RC 網路:安排電路,如下圖所示
按[分析 / 交流分析 / 交流轉換特性]:頻率範圍 1Hz~1MHz
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在頻率為 317kHz 時,振幅 3 dB−
RC 網路的頻率響應圖:請自行練習。
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13-3-A BJT放大器低頻響應 Pspice分析
共射放大器:安排電路,如下圖所示
按[分析 / 交流分析 / 交流轉換特性]:頻率範圍 1Hz~1MHz
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只考慮 1C 有作用: c(in )f 792.22 Hz=
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其餘只考慮 2C 與 EC 有作用,請自行練習。
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13-3-B BJT放大器低頻響應 MATLAB分析
共射 CE 放大器:參考檔案 ce_low.m
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行號 35~37:耦合電容 1C 、 2C 與旁路電容 EC 在不同頻率的阻抗值,意即必須考
慮電容對整個放大器的影響;行號 50:總電壓增益取分值;按 ,或快速鍵 F5執行。
只考慮單一電容有作用,留作練習。
Chapter 13 頻率響應 13
已知高通濾波器可以寫成
c c
1 1f1 1
j jf
=ω
+ +ω
將此關係代入共射放大器的三個臨界頻率,如下圖行號 46~48 所示,合成後再乘上中頻帶的最大電壓增益值,即構成整個放大器的低頻響應方程式。
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觀察如上圖所示的頻率響應圖,很明顯看出振幅的輸出結果與前述不同處理方式
的結果類似,但是,相位角頻率響應有部分資訊遺失。
淹沒共射 CE 放大器之低頻響應
請自行比照前例練習。
共集放大器 MATLAB分析
CC 放大器:參考檔案 cc_low.m,僅列出部分程式碼
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按 ,或快速鍵 F5 執行
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撰寫程式碼:CB 放大器
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13-5-6 BJT放大器 Pspice分析
如圖電路, 100β = , beC 20 pF= , bcC 3 pF= , ceC 0 pF= ,求頻率響應。
共射放大器:續前 CE_bode 電路,另存新檔為 CE;雙按電晶體,輸入電晶體內部電容資料
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按[分析 / 交流分析 / 交流轉換特性]:頻率範圍 10Hz~100MHz,並且使用游標量測
結果在主要高頻臨界頻率1.93 MHz時,總電壓增益為 24.22 dB,相位角為 255.56−
度,與理論值非常穩接近。
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另外還可以同時觀察尼奎斯圖:按[分析 / 交流分析 / 交流轉換特性 ],勾選尼奎斯圖選項
結果如下圖所示
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請自行模擬共淹沒共射 CE 放大器。
請自行模擬共共集 CC 放大器。
如圖電路,假設 150β = , AV = ∞, C 35 pFπ = , C 4 pFμ = ,計算零
點與極點頻率。
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請自行模擬共共基 CB放大器。
如圖電路, 100β = , C 20 pFπ = , C 3 pFμ = ,求頻率響應。
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13-5-B BJT放大器 MATLAB分析
共射 CE 放大器:如圖電路, 100β = , beC 20 pF= , bcC 3 pF= , ceC 0 pF= ,
求頻率響應。
參考檔案 ce_fr.m,僅列出部分程式碼
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已知低頻帶高通濾波器特性可以寫成
c c
1 1ω f1 1jω jf
=+ +
高頻帶低通濾波器特性可以寫成
c c
1 1jω jf1 1ω f
=+ +
將以上關係代入共射放大器的低頻帶三個臨界頻率,以及高頻帶二個臨界頻率,
合成後再乘上中頻帶的最大電壓增益值,即構成整個放大器的響應方程式,此部
分請自行習作。
Chapter 13 頻率響應 25
淹沒共射 CE 放大器之頻率響應(參考檔案 swce_fr.m)
共集 CC 放大器之頻率響應
如圖電路,假設 150β = , AV = ∞, C 35 pFπ = , C 4 pFμ = ,計算零點
與極點頻率。
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共基 CB 放大器之頻率響應
如圖電路, 100β = , C 20 pFπ = , C 3 pFμ = ,求頻率響應。
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13-6-A FET放大器 Pspice分析
共源 CS 放大器:
假設 DSSI 12 mA= , GS(off )V 4 V= − ,按 [分析 / 交流分析 / 交流轉換特性 ],勾選
尼奎斯圖,選項頻率範圍 10Hz~10MHz,並且使用游標量測
結果在主要高頻臨界頻率 134 kHz時,總電壓增益為 11.65 dB,相位角為 225.01−
度,與理論值非常穩接近。
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請自行模擬共淹沒共源 CS 放大器。
請自行模擬 MOSFET共洩 CD放大器。
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如圖電路, nK 5 mA / V= , TNV 1 V= , gsC 5 pF= , gdC 2 pF= ,求頻率響應。
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請自行模擬共共閘 CG 放大器。
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13-6-B FET放大器 MATLAB分析
共源 CS 放大器:參考檔案 cs-fr.m,僅列出部分程式碼
Chapter 13 頻率響應 33
淹沒共源 CS 與共閘 CG 放大器之頻率響應。
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13-7-A 共射串級共射放大器 Pspice分析
續檔案 CE,修改新增電路如下所示,更名為 CECE
按 [分析 / 交流分析 / 交流轉換特性 ],勾選尼奎斯圖,選項頻率範圍10Hz~10MHz,並且使用游標量測
Chapter 13 頻率響應 35
交流轉換特性如前述圖示,相對的尼奎斯圖,按圖表下方的頁籤切換
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13-7-B 共射串級共射放大器 MATLAB分析
共 射 CE 串 級 共射 CE 放 大 器 : 已知 100β = , beC 20 pF= ,
bcC 3 pF= , ceC 5 pF=
Chapter 13 頻率響應 37
共 射 CE 串級 共集 CC 放 大器 :已知 100β = , beC 20 pF= ,
bcC 3 pF= , ceC 5 pF=
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共射 CE 串級共基 CB 放大器:請自行參考前述的範例,練習構思電
路結構,並撰寫程式執行驗證。
共源 CS 串級共源 CS 放大器:已知 DSSI 12 mA= , GS(off )V 4 V= − ,
gsC 4 pF= , gdC 3 pF= , dsC 1 pF=