EletrônicaAula 04

CIN-UPPE

Transistores Figura do primeiro transistor de germânio

– John Bardeen and Walter Brattain at Bell Laboratories.

Transistor

Tipos– BJT – Transistor de juncao bipolar

• Biplor (eletrons e buracos)– MOS – Metal Oxido Silicio

• Unipolar (eletrons)

Transistor de Junção (BJT) - NPN

E

C

B

Transistor de Junção (BJT) - PNP

E

C

B

Transistor (NPN) Quando o transistor é polarizado no modo de operação

normal, a tensão na base é ligeiramente positivo em relação a tensão no emissor (aproximadamente 0.7 V para o silício).

A tensão no coletor é positiva com a tensão bem superior a tensão de base.

Transistor (NPN) A região de depleção na junção polarizada reversamente entre

a base e o coletor aumenta e pode suportar a mudança de potencial elétrica.

Correntes no transistor

IE = IB + IC

Modelo convencional

IC

IE

IB

Modelo Real

IC

IE

IB

O que torna o transistor interessante e útil é o fato de que a corrente de coletor é bem maior que a corrente de base.

Para um transistor típico, 95% a 99% dos portadores da carga do emissor são emitidos pelo coletor e constituem-nos quase toda a corrente de coletor.

Transistor

α 0.95 α = IC / IE

IC e ligeiramente menor do que IE

O ganho de corrente de um transistor é definido como a correntedo coletor dividida pela corrente da base

= IC / IB

Transistor - característcas

Transistores de baixa potência têm ganho de corrente da ordem de 100 a 200.

Transistores de alta potência têm ganho de corrente da ordem de 20 a 100.

Características EC CC BC

Ganho de potência sim sim sim

Ganho de tensão sim não sim

Ganho de corrente sim sim sim

Resistência de entrada 3.5K 580K 30K

Resistência de saída 200K 3.5K 3.1M

Mudança de fase da tensão sim não não

Transistor - Configurações

Emisor comum Coletor comum Base comum

Transistor – Emissor comum - características

IE = IB + IC

VCE = VC – VE

VCB = VC – VB

IB = (VBB - VBE )/RB

0.7V

Curva da base

Transistor – Curvas do coletor

Tensão de ruptura

Joelho da curva

Região de saturação

VBE =VIB > 0IC/IB <

Região de corte

VBE < VIB = 0IC IE 0

Corrente IC constante

(região ativa) VBE =VIB > 0IC/IB = constante

Transistor – regiões de operação

Modo de operação

Junção EB Junção BC Aplicações

Zona ativa Polarização direta

Polarização inversa

Amplificadores

Zona de corte Polarização inversa

Polarização inversa

Interruptores, Portas Lógicas,Circuitos TTL,

etc.Zona de saturação

Polarização direta

Polarização direta

Transistor – Região de saturação Região de saturação

– Está região representa a região no qual a corrente do coletor cresce bastante com o aumento da tensão entre o coletor e emissor (0 a 1 V).

– Nesta região o diodo coletor base está diretamente polarizado.– O valor de resistência da carga deve ser pequena bastante para levar o transistor para a saturação, de forma

que quase toda a tensão da fonte é aplicada na carga.

carga

VBE =VIB > 0IC/IB <

Transistor – Região de corte Região de corte

– Nesta região a corrente de base é nula. – Existe apenas nesta configuração uma pequena corrente de fuga do

coletor.

VBE < VIB = 0IC IE 0

Transistor – Região ativa Região ativa

– Está região representa a operação normal do transistor. Nesta região o diodo emissor está polarizado diretamente e o diodo coletor inversamente polarizado.

– Nesta região, o coletor captura praticamente todos o elétrons que o emissor está jogando na base.

VBE =VIB > 0IC/IB = constante

Transistor – Reta de carga - Polarização A reta de carga possui todos os pontos de operação do circuito,

considerando as características do transistor. Ponto de saturação – ponto onde a reta de carga intercepta a região de saturação das curvas do coletor. Ponto de corrente Ic máxima do circuito

Ponto de corte – corrente Ic mínima do circuito

Ponto Q

Polarização de amplificadores

emissor comum

Transistores BJT

BJT – Polarização de amplificadores base comum

Neste tipo de configuração a necessidade de mudança de transistores, por exemplo, o 2N3904, que pode ter ganho entre 130-200, pode acarretar mudanças significativas na amplificação do sinal.

Observe que a tensão de saída depende diretamente de (ganho do transistor). O transistor pode ir da região ativa para a de saturação.

http://www.eng.fsu.edu/~ejaz/EEL3300L/lab8.pdf

Tensão de saída em função da tensão de entrada. Vout muda linearmente com a mudança de Vin, desde que os outros parâmetros são constantes.

Transistor – Ponto de operação (região ativa)

10 V 10 V

Considere VBE = 0,7V ; = 100

IB = (10-0,7)V/300K= 31A

IC = . IB => IC = 3,1 mA

VCE = 10-IC.RC => VCE = 10-3,1= 6,9 V

RB = 300K

6,9

3,1

Transistor - região ativa

Operação em Região ativa

Laboratório

Se um sinal senoidal de amplitude 10A é aplicado à base com o transistor neste ponto de operação:IB + IB = 10 A + 5 cos(t)

Se IB varia, VBE também varia e conseqüentemente IC e VCE. Assim, com valor central no ponto de operação:IC + CE = 1.0 + 1.5 cos(t)VCE + VCE = 5.0 – 2.5 cos(t)

5 7.52.5

10 5

15

No ponto de operação:IB = 10 AIC = 1 mAVCE = 5 V

IB = 10 A + 5 A

IB = 10 A - 5 A

Laboratório

Polarização – (fonte de tensão comum)

O ponto de operação do circuito (ponto Q) pode ser calculado a partirdo cálculo de RB, RC, VCC e ganho .VCE depende de diretamente.

Exemplo - Laboratório

Calcular no circuito abaixo os valores de RC, RB, considerando = 100, VCC = 15 V, de forma que no ponto de polarização (Q), IC = 25 mA e VCE = 7.5 V.

Considerando os resultados obtidos acima, qual será o novo ponto Q quando = 200.

BJT – Polarização de amplificadores emissor comum

Se introduzimos assim, um resistor no emissor, de valor elevado, em relação ao da base, a mudança de Bf() pode ser quase imperceptível.

Tensão de entrada

Corrente de emissor

Corrente de coletor

com

considerandotemos que:

Assim, Vout pode ser dado por:

BJT – Polarização com divisor de tensão

Equivalente Thevenin

Encontrar VBB e RBB

VBB

Resistência equivalente

Considerando: IE IC IB

IB deve ser pequena para não afetar a polarização

Tensão na base

IB

Polarização com realimentação Em geral, devemos escolher um valor RB << RE para termos uma condição de

realimentação efetiva, ou seja, fazer com que a corrente do coletor, e conseqüentemente VCE, independam (muito) do ganho do transistor, assim:

=>

Observe que VCE independe do ganho

=>

Polarização com realimentação

Cálculo do valor para VE: Observe que VBE pode variar (0.6 a 0.8 V) para o silício,

principalmente com o aumento da temperatura. Assim para que esta oscilação VBE interfira no circuito de

polarização, devemos fazer com que a tensão no emissor seja imune a está variação. Assim, se considerarmos a variação de 0.1 V, teríamos:

Se VBE oscila em torno e 0.1 V, VE = IE.RE >> 0.1 V or VE > 10*0.1 = 1V

Polarização

Se ou temos:

BE

I1 = IC+IB , como IC>>IB

I1 IC

Desde que IC é independente de o ponto de operação é estável.

Cálculo de VCE (verificação do ponto de operação)

BE BE

Laboratório Projetar um circuito estável, com realimentação, com um ponto Q de IC = 2.5mA e VCE = 7.5V. Considere entre 50 e 200. Considere que o ponto Q se localiza no meio da curva da região ativa e que VCC = 2*VCE

Para:– na configuração realimentação simples via emissor;– na configuração realimentação divisor de tensão na base;– na configuração realimentação coletor-base.

7.5

2.5