Electronica Transistores Bjt
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8/19/2019 Electronica Transistores Bjt
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TRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN
•El primer transistor el 23 de Dic. De 1947
•Desarrollado por Walter H. Brattain y Joseph Barden
•Es un dispositivo semiconductor ormado por dos
capas de material tipo n !" p# y una capa entre ellas de
material tipo p !" n#.
•E$isten transistores npn " pnp
•Dispositivos de 3 terminales !emisor% &ase y colector#
•'a capa del emisor est( uertemente dopada
•'a del colector li)eramente dopada
•* la de la &ase muy poco dopada% adem(s m(s
del)ada.
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n p p
B
+E
•,iene dos uniones- EmisorBase y +olectorBase
•,iene 3 modos de operaci"n- +orte% /aturaci"n y
0ctivo.
Modo Unión E-B Unión C-B
+orte nverso nverso
0ctivo Directo nverso
/aturaci"n Directo Directo
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Transistores BJT en modo activo
pnn
B
+E +/!eBE
,#
•En este modo la corriente de colector es determinada por la
ecuaci"n anterior.
•'a corriente de &ase es una racci"n de la corriente de
colector
•El valor de β es t5pico de 166 a 266% y en dispositivosespeciales hasta de 1666.
•'a corriente del emisor es la suma de las corrientes
B+βE+B+α
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+onsidere un transistor npn con BE6.7 cuando c1m0.
Encuentre BE cuando la corriente del colector es 6.1m0 y
16m0. !,28m a temperatura am&iente#
'os transistores de cierto tipo se especiican para tener
valores de β en el intervalo de 86 a 166% encuentre elintervalo de valores de α.
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+onsidere un transistor npn con E6.7 % una β86 .
Encuentre las corrientes de emisor% &ase y colector% adem(s
el voltae de colector.
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pnn
B
+ E
B
+ E
B +
E
B
+
E
,ransistor BJ, npn /5m&olo
:odelos de primer orden en modo activo
βBBE
BE
αE
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n p p
B
+ E
B
+ E
B
+
E
B
+
E
,ransistor BJ, pnp /5m&olo
:odelos de primer orden en modo activo
βB
EB
BE
αE
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Confguración de BASEcomún
'a corriente de colector es
constante% por tanto el
colector se comporta comouna uente de corriente
constante en la re)i"n activa.
+aracter5sticas de
salida del transistor en
coni)uraci"n de &asecom;n.
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+aracter5sticas de
salida del transistor enconi)uraci"n de
emisor com;n.
Confguración de EMISORcomún
0 dierencia de la coni)uraci"n
anterior% el voltae +E si tieneinluencia so&re la ma)nitud de
la corriente de colector.
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Confguración de COLECTORcomún
Esta coni)uraci"n se utili
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Punto de Oeración
1. El an(lisis de circuitos a transistores% re>uiere de conocimiento de la
operaci"n del mismo tanto en D+ como en 0+
2. El teorema de la superposici"n puede ser aplicado al circuito
3. Ana ve< deinidos los niveles de D+ se de&e esta&lecer el punto de
operaci"n deseado.
4. +ada diseo determinar( la esta&ilidad del sistema
8. El punto de operaci"n es un punto io so&re las caracter5sticas deltransistor >ue deinen una re)i"n para la ampliicaci"n de la seal
aplicada.
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Circuito de o!ari"ación f#a$
@ecta de car)a
cc
c@c
ariando @ B
ariando @ +
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cc
c@c
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=olari
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=olari
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/aturaci"n- :($imos niveles de operaci"n
+E6
@ +E6
+/atcc@c
+/atcc!@c @ E#
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=olari
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10V
4V
3.3k
4.7k
=100
10V
6V
3.3k
4.7k
=100
10V
3.3k
4.7k
=100
-
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10V
-10V
1k
2k
=100
10V
5V 2k
100k
=100
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An%!isis en AC de transistores BJT
:odelos del transistor-
:odelo r e
+oni)uraci"n de &ase
com;n
+oni)uraci"n de
emisor com;n
I c= α I e
I c= α I e
I c= β I b
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:odelo H5&rido E>uivalente
+oni)uraci"n deemisor com;n
hie=β r ehfe= β
hoe=1/r 0’
+oni)uraci"n de &ase
com;n
hib=r ehfb= -α