つくばイノベーションアリーナ ナノテクノロジー拠点（TIA-nano)Tsukuba Innovation Arena for Nanotechnology (TIA-nano)

スーパークリーンルーム (SCR)Super Cleanroom(SCR)

概要Outline

● 300 mmウェハを用いた先端デバイス試作ライン （一部、小口径も可能）● CMOS、フォトニクス、新材料デバイスの開発／評価、装置性能評価を支援

Advanced process line using 300 mm wafers. (Small wafers are partly available)

Supports Developments of CMOS, Photonics, New material devices, and Evaluation of process tools.

産総研共用施設等利用制度

SCRの様々な研究環境の提供や技術支援等を通して、皆様の研究開発をサポートします。新材料を用いたデバイス、プロセスの原理実証の場として、多様な分野の技術と最先端微細加工技術の融合の場として、SCRをご活用いただけます。

MachineA

MachineB

MachineC

Tr

ElectricSupply

PV

CylinderCabinet

F/C

Fan Filter Unit (FFU)

1F

2F

3F

中央通路

Exhaust Duct

嫌振架台

スーパークリーンルーム (SCR)3000 m2のクリーンルーム （クラス３）にCMOSプロセス可能な装置群が設置・整備・管理され、新材料、新構造ナノデバイスを実証する場が提供されています。

ArF液浸露光装置 ArF Immersion Lithography

ArFエキシマレーザー（波長193nm）を光源とし、投影レンズとウエハ間を純水で満たして露光する技術です。45nmのライン＆スペースパターン形成が可能です。この他にKrFステッパーもご利用可能です。

ご提供サービスの特徴

■300mm/100mm ウェハプロセス支援のご提供新材料インテグレーションや新構造デバイス開発のプラットフォームとして、またSiフォトニクス研究開発のプラットフォームとしてご活用頂けます。

■プロセス情報管理ラインの基本的なプロセス関連情報は、ＭＥＳ（製造実行システム）で管理。他の利用者の情報を見ることができないようにIDとパスワード管理されています。ご利用相談に先立ち、NDA(秘密保持契約)締結も承っております。

■プロセスメニュー例300mmウエハ・Si-Photonics受動素子用プロセス・Bulk & SOI 65nm世代微細加工プロセス・45nm世代相当の２層Cu配線加工プロセス・微細CMOSスループロセス（Cu多層配線可能）

100mmウエハ・イオン注入、成膜プロセス（絶縁膜、High-k等）など

Advanced Clean Room with more than 200 process equipment

200台以上のプロセス装置を装備した最先端のクリーンルーム

Cu CMP装置 Chemical Mechanical Polishing

バリアメタル形成、メッキ法によるCu膜の埋め込み工程を行った後に、このCMP装置で化学機械研摩を行い、Cu配線を完成します。例えば新しい研摩薬液の試験装置として、１日単位での専有利用にも応じます。

イオン注入装置 Ion Implantation

中電流型と低エネルギー型の2種類のイオン注入装置をご利用いただけます。Boron, Phos., Arsenics, Argonが注入可能です。小口径ウェハも処理可能です。注入量、エネルギー、活性化アニール条件のシミュレーション検討も支援します。

代表的なプロセス装置Typical process equipment

Clean Room Area: 3000 m2

Class 3 (JIS.B9920)

産総研共用施設等利用制度については、こちらをご参照ください https://unit.aist.go.jp/tia/orf-co/top.html

2015/01/28-30nano tech 2015