スーパークリーンルーム(SCR) 産総研共用施設等利...
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つくばイノベーションアリーナ ナノテクノロジー拠点（TIA-nano) Tsukuba Innovation Arena for Nanotechnology (TIA-nano) スーパークリーンルーム (SCR) Super Cleanroom (SCR) 概要 Outline ● 300 mmウェハを用いた先端デバイス試作ライン （一部、小口径も可能） ● CMOS、フォトニクス、新材料デバイスの開発／評価、装置性能評価を支援 Advanced process line using 300 mm wafers. (Small wafers are partly available) Supports Developments of CMOS, Photonics, New material devices, and Evaluation of process tools. 産総研共用施設等利用制度 SCRの様々な研究環境の提供や技術支援等を通して、皆様の研究開発をします。新材料を用いたイ、 の原理実証の場として、多様な分野の技術と最先端微細加工技術の融合の場として、SCRをご活用いただけます。 Machine A Machine B Machine C Tr Electric Supply P V Cylinder Cabinet F/C Fan Filter Unit (FFU) 1F 2F 3F 中央通路 Exhaust Duct 嫌振架 台 (SCR) 3000 m 2 の にCMOS可能な装置群が設置整備管理され、新 材料、新構造イを実証する場が提供されています。 ArF液浸露光装置 ArF Immersion Lithography ArFエキ波長193nmを光源とし、 投影とウエ間を純水で満たして露光する 技術です。45nmのイ形成 が可能です。この他にKrFもご利用可能 です。 ご提供サービスの特徴 ■300mm/100mm ウェハプロセス支援のご提供 新材料イや新構造イ開発のォとして、またSi ォ研究開発のォとしてご活用頂けます。 ■プロセス情報管理 イの基本的な関連情報は、製造実行で管理。他の利 用者の情報を見ることができないようにIDと管理されています。ご利用相 談に先立ち、NDA(秘密保持契約)締結も承っております。 ■プロセスメニュー例 300mmウエハ Si-Photonics受動素子用 Bulk & SOI 65nm世代微細加工 45nm世代相当の層Cu配線加工 微細CMOSCu多層配線可能 100mmウエハ イオ注入、成膜絶縁膜、High-k等など Advanced Clean Room with more than 200 process equipment 200台以上のプロセス装置を装備した最先端のクリーンルーム Cu CMP装置 Chemical Mechanical Polishing ア形成、キ法によるCu膜の埋め 込み工程を行った後に、このCMP装置で化学機 械研摩を行い、Cu配線を完成します。 例えば新しい研摩薬液の試験装置として、日 単位での専有利用にも応じます。 イオ注入装置 Ion Implantation 中電流型と低エ型の2種類のイオ 注入装置をご利用いただけます。Boron, Phos., Arsenics, Argonが注入可能です。小口径ウェ も処理可能です。注入量、エ、活 性化ア条件の検討も支 援します。 代表的なプロセス装置 Typical process equipment Clean Room Area: 3000 m 2 Class 3 (JIS.B9920) 産総研共用施設等利用制度については、こちご参照ください https://unit.aist.go.jp/tia/orf-co/top.html 2015/01/28-30 nano tech 2015
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つくばイノベーションアリーナ ナノテクノロジー拠点（TIA-nano)Tsukuba Innovation Arena for Nanotechnology (TIA-nano)
スーパークリーンルーム (SCR)Super Cleanroom(SCR)
概要Outline
● 300 mmウェハを用いた先端デバイス試作ライン （一部、小口径も可能）● CMOS、フォトニクス、新材料デバイスの開発／評価、装置性能評価を支援
Advanced process line using 300 mm wafers. (Small wafers are partly available)
Supports Developments of CMOS, Photonics, New material devices, and Evaluation of process tools.
産総研共用施設等利用制度
SCRの様々な研究環境の提供や技術支援等を通して、皆様の研究開発をサポートします。新材料を用いたデバイス、プロセスの原理実証の場として、多様な分野の技術と最先端微細加工技術の融合の場として、SCRをご活用いただけます。
MachineA
MachineB
MachineC
Tr
ElectricSupply
PV
CylinderCabinet
F/C
Fan Filter Unit (FFU)
1F
2F
3F
中央通路
Exhaust Duct
嫌振架台
スーパークリーンルーム (SCR)3000 m2のクリーンルーム （クラス３）にCMOSプロセス可能な装置群が設置・整備・管理され、新材料、新構造ナノデバイスを実証する場が提供されています。
ArF液浸露光装置 ArF Immersion Lithography
ArFエキシマレーザー（波長193nm）を光源とし、投影レンズとウエハ間を純水で満たして露光する技術です。45nmのライン＆スペースパターン形成が可能です。この他にKrFステッパーもご利用可能です。
ご提供サービスの特徴
■300mm/100mm ウェハプロセス支援のご提供新材料インテグレーションや新構造デバイス開発のプラットフォームとして、またSiフォトニクス研究開発のプラットフォームとしてご活用頂けます。
■プロセス情報管理ラインの基本的なプロセス関連情報は、ＭＥＳ（製造実行システム）で管理。他の利用者の情報を見ることができないようにIDとパスワード管理されています。ご利用相談に先立ち、NDA(秘密保持契約)締結も承っております。
■プロセスメニュー例300mmウエハ・Si-Photonics受動素子用プロセス・Bulk & SOI 65nm世代微細加工プロセス・45nm世代相当の２層Cu配線加工プロセス・微細CMOSスループロセス（Cu多層配線可能）
100mmウエハ・イオン注入、成膜プロセス（絶縁膜、High-k等）など
Advanced Clean Room with more than 200 process equipment
200台以上のプロセス装置を装備した最先端のクリーンルーム
Cu CMP装置 Chemical Mechanical Polishing
バリアメタル形成、メッキ法によるCu膜の埋め込み工程を行った後に、このCMP装置で化学機械研摩を行い、Cu配線を完成します。例えば新しい研摩薬液の試験装置として、１日単位での専有利用にも応じます。
イオン注入装置 Ion Implantation
中電流型と低エネルギー型の2種類のイオン注入装置をご利用いただけます。Boron, Phos., Arsenics, Argonが注入可能です。小口径ウェハも処理可能です。注入量、エネルギー、活性化アニール条件のシミュレーション検討も支援します。
代表的なプロセス装置Typical process equipment
Clean Room Area: 3000 m2
Class 3 (JIS.B9920)
産総研共用施設等利用制度については、こちらをご参照ください https://unit.aist.go.jp/tia/orf-co/top.html
2015/01/28-30nano tech 2015
