A C / D C C o n v e r t e r
一次電源デバイスカタログVer.1.1
01 一次電源デバイスカタログ
セットの省エネ化が求められるなかで、今まではアプリケーション回路や二次
側電源を中心に見直されて来ましたが、近年は一次電源も含めて「高効率
化」や「低消費電力化」を実現する電源設計が各電器製品メーカーで課題と
なっています。また、Energy StarやCoC、DoEなどの法規制により、電源
設計への関心がかつてないほどに高まっています。
ロームは今まで培った電源テクノロジをもとに一次電源ICと周辺ディスク
リート部品を含めたトータルソリューションを提案しています。より安定性、
安全性が求められる一次電源システムを高次元で提供します。
一次電源ICには、高効率・低待機電力・低ノイズを実現する多くの特長ある
回路設計技術が内蔵されています。
ロームでは、お客様のさまざまなご要望におこたえできる、ICやディスクリート
製品を取り揃えています。また、製品ラインアップの詳細と新規電源の特性が
確認できる各種アプリケーションサポートツール*を準備しています。
(例) ●Xコンデンサ放電回路 ●軽負荷時バースト動作●軽負荷時音鳴り改善回路 ●VCCリチャージ回路●低電流シャントレギュレータ ●ピークドライブ回路 など
INDEX 電源方式別製品概要
ローム一次電源トータルソリューション
一次電源製品マトリックス
AC/DCコンバータ製品開発ポリシー
MOS内蔵シリーズ(バックコンバータ方式)
MOS内蔵シリーズ(PWMフライバック方式)
MOS外付けシリーズ
PFCシリーズ
二次側同期整流ICシリーズ
SiC MOSFET内蔵AC/DCシリーズ
P.02
P.03
P.04
P.05
P.09
P.13
P.15
P.16
P.17
一次電源の技術動向
*P20参照
02一次電源デバイスカタログ
電源ブロックの効率化、待機電力等の特性面や高い信頼性を確保するためには、IC単体のみでなく、ディスクリート製品やその他周辺アイテムを含んだ電源ブロック全体の検討が必要不可欠です。ロームでは、ICやディスクリート製品に加え、電源特性や高信頼化に必要な周辺アイテムをトータルソリューションによってご提案しています。 ロームが提供するトータル電源ブロック回路を、是非一度ご検討ください。
ロームのトータルソリューション提案
IC
ディスクリート
その他
F1
C8
LF1
BD1D6
C11
R9
R7
R6R10C6
IC2
PC1
14
C4R3
23
R8
R4 C2
D3
T1
C1
C20
4 1
5 7 8
AC IN
IN1
IN2
D
S
GND FB
VCC R5
C3
C7
D4
VOUT
GND
VOUT
IC1BM2P0**
第4世代 ファストリカバリダイオード RFS/RFLシリーズ
第3世代 ファストリカバリダイオード RFNL/RFVシリーズ
ツェナーダイオード
シャント抵抗器
高信頼性抵抗器製品別特長とラインアップ
第3世代 トレンチ構造 SiC MOSFET
第3世代 SiC ショットキーバリアダイオード
第2世代 スーパージャンクションMOSFET(600V、650V)
方式別回路図
PFC IC(力率改善IC)
アプリケーションサポート
ロームグループ主要拠点
P.18
P.20
P.20
P.21
P.23
P.25
P.29
P.30
P.31
P.33
P.35
P.37
絶縁回路例
ロームのAC/DCコンバータシステムは、トータル電源ソリューションとして提案いたします
03 一次電源デバイスカタログ
一次電源製品マトリックス電力別ラインアップ
電力入力 セットITEM
AC/DC PFC 同期整流 MOSFET ファストリカバリダイオード/ツェナーダイオード 抵抗器
30W以下
家電産業機器
MOS内蔵BM2Pxxxシリーズ
MOS(SiC)内蔵BM2SCQ12xTシリーズ
BD7690FJBD7691FJBD7692FJ
BD7690FJBD7691FJBD7692FJ
BD7690FJBD7691FJBD7692FJ
30~75Wプリンタ産業機器他
MOS外付けBM1Q104(擬似共振)
BM1P101(PWM)MOS(SiC)内蔵
BM2SCQ12xTシリーズ
-
開発中
開発中
1chBM1R001xxFシリーズ
75~150WTV
Audio産業機器
MOS外付けBM1Q104(擬似共振)
BM1P101(PWM)BM1C102(PFC+QR)
150~300Wレーザープリンタ他
-
300~500W ゲーム機他
MOS外付けBM1Q104(擬似共振)
BM1P101(PWM)BM1C102(PFC+QR)
2chBD85506F
500~1,000W以上
産業機器他 -
100V系
200V系
▶P.21~28 ▶P.29~32 ▶P.33~36
ローム一次電源は、電力/セット/ITEM別の提案が可能です
04一次電源デバイスカタログ
高効率高信頼性
待機時低消費電力
一次電源でもっとも重要なポイントです。AC/DCコンバータ ICは、高耐圧起動回路/コントローラ/スイッチングMOSFETのマルチチップ構成としています。
Xコンデンサ放電機能、低電流シャントレギュレータ内蔵等の回路技術とディスクリートを含むトータル電源提案により、お客様のセットの待機時低消費電力実現に貢献します。
ローム独自のスーパージャンクションMOSFETを内蔵することに加えて、IC回路電流削減、二次側同期整流技術、その他各種回路技術により高効率を実現し、市場の強いニーズにおこたえします。
高耐圧ブロックと低耐圧ブロックの分離
外部からの過電圧、サージ破壊に強い、信頼性の高い製品
3つのキーワード(高信頼性・高効率・待機時低消費電力)
②650V/800V 起動チップ①650V/800V MOSFET
③コントロールLSI
◆ 650V/800V ローム独自のMOSFET内蔵◆ 軽負荷時オリジナルバースト回路◆ 高効率 擬似共振回路◆ 二次側同期整流
◆ Xコンデンサ放電回路◆ 低消費起動回路◆ 低消費電力回路技術
一次電源の特長・開発ポリシーは、高信頼性・高効率・待機時低消費電力です。この3つのキーワードは、近年市場で一番強く求められています。
高信頼性
高効率
待機時低消費電力
AC/DCコンバータ製品開発ポリシー
05 一次電源デバイスカタログ
挿入部品
面実装部品
バックコンバータ方式の特長
フライバック方式との比較
豊富なラインアップを取り揃えています。■パッケージ:SOP8/DIP7/TO220
■出力電力:45Wクラスまで(電源仕様による)■周波数:65kHz~130kHz
■各種保護回路内蔵
■ 概要
フライバック方式 バックコンバータ方式
■ 技術トレンド待機時消費電力削減が大きなテーマとなっています。高効率を実現するためIC内部回路電流を抑えた各種ラインアップを取り揃えています。
電源回路部 トランス
フライバックAC/DC
MOSFET
LDO
電源回路部 コイル
スイッチングDC/DC
バックコンバータAC/DC
MOSFET
挿入部品が多い 挿入部品が少ない
1pcs
5pcs
6pcs
0pcs ▼1pcs削減
2pcs ▼3pcs削減
2pcs ▼4pcs削減
挿入部品
面実装部品
MOS内蔵シリーズMOS内蔵シリーズ
(バックコンバータ方式)MOS内蔵シリーズ
(PWMフライバック方式) MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流ICシリーズ
SiC MOSFET内蔵AC/DCシリーズ
1
4 5
7
8VCC
GND_IC
DRAIN
22μF/450VD1
600V/0.8A
D2600V/0.2A
L
6
2
3
Filter
330μH
100μF 10kΩ
1.0μF
VOUT
GND
該当デバイス
アプリケーション
BM2Pxxxシリーズ
家電製品 産業機器TV
AC/DC
バックコンバータ方式
トランス
コンデンサ
抵抗器
コンデンサ
抵抗器
トランス
06一次電源デバイスカタログ
回路技術
基板スペース大幅削減 バックコンバータ(トランスレス回路を実現)
●電流センス抵抗を内蔵することにより、オープン・ショート時の信頼性向上
●外付け部品の大幅削減により、基板面積の削減と設計容易性を実現
●コイルに流れる電流は、MOSFETのON時しかモニタできない→ローム独自の保護回路により、破壊防止
●コントロール電圧とコイル電流が固定→コントロール電圧、コイル電流、パッケージ ごとの豊富なラインアップを提供
部品点数を大幅に削減
(大電力 < 15W) (小電力 < 5W)
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
2.0
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25
Coik peakCurrent(A)
Coik Voltage(V)
0.3
0.60.45
0.9
1.2
1.5
2.0
10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25
Coik peakCurrent(A)
Coik Voltage(V)
Planning DS MP
Current SenseResistor
Fuse
エラーアンプ
VIN VOUT
GND
CNT
VCC
FB
GND
DRAINSOURCE
FUSE
BM2Pxx1
GND
VIN
GND
VOUT
GND
CNT
DRAIN
GND_IC
VCC
BM2PxxP
DIPパッケージ
メリット
デメリットへの対策
SOPパッケージ
07 一次電源デバイスカタログ
MOS内蔵シリーズ(バックコンバータ方式)
●フォトカプラレス:AC/DC
●スイッチング周波数:100kHz/65kHz
●PWM カレントモード●周波数ホッピング機能●バースト動作
●ドレイン定格電圧:~650V/800V
●動作時回路電流:0.40mA(Typ)
●バースト時回路電流:0.25mA(Typ)
●スイッチング周波数:100kHz(Typ)
特性
●650V/800V 起動回路内蔵●650V/800V スーパージャンクションMOSFET内蔵●VCC端子 低電圧保護/過電圧保護●パルスバイパルスの過電流リミッタ●ソフトスタート●エラーアンプ内蔵による部品点数削減
SOP8W(Typ) × D(Typ) × H(Typ)
5.00mm × 6.20mm × 1.71mm
DIP7KW(Typ) × D(Typ) × H(Typ)
9.27mm × 6.35mm × 8.63mm
pitch:2.54mm(Typ)
特長
アプリケーション回路図 パッケージ
ブロック図
S
QR
+ー
7
41
VCC
VCC UVLOStarter
DRAIN
VCC OVP
OLP64ms/512ms
Timer
BurstComparator
100μsFilter
InternalRegulator
Internal Block
DRIVER
Super JunctionMOSFET
ThermalProtection
+ー
+ー
+ー
+ー
ReferenceVoltage
PWMComparator
+ー
PWM Contorol
OSC
MAXDUTY
FrequencyHopping
ReferenceVoltage
CurrentLimitter
+ー
ReferenceVoltage
+ー
Dynamic CurrentLimitterLogic
&Timer
Soft Start
Leading-EdgeBlanking Time
CurrentSensing
GND_IC
1
4 5
7
8VCC
GND_IC
DRAIN
D1
D2
L
6
2
3
FilterAC
Input
330μHVOUT
GND
MOS内蔵シリーズ(バックコンバータ方式)
MOS内蔵シリーズ(PWMフライバック方式) MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流
ICシリーズSiC MOSFET内蔵
AC/DCシリーズ
MOS内蔵シリーズ バックコンバータ方式
08一次電源デバイスカタログ
PackagePart No.BreakDownVoltage(V)
On resistanse(Typ)(Ω)
On resistanse(Max)(Ω)
Frequency(kHz)
FrequencyReduction
VCC OVPOutput Voltage
(V)Peak Current
(A)X-Cap.
Discharge Function
BM2P109TFBM2P129TFBM2P139TFBM2P135TFBM2P137TKFBM2P159PFBM2P159T1FBM2P189TFBM2P209TFBM2P249TFBM2P137QKFBM2P134QFBM2P107QKFBM2P104QFBM2P249QBM2P137QKBM2P134QBM2P107QKBM2P104QBM2P101VBM2P101WBM2P101XBM2P121WBM2P121XBM2P131WBM2P131XBM2P141WBM2P141XBM2P151WBM2P151XBM2P181WBM2P061FKBM2P061GKBM2P101FKBM2P101GKBM2P131FKBM2P131GKBM2P133EKBM2P061EBM2P101EBM2P131EBM2P064EBM2P104EBM2P134EBM2P064EFBM2P104EFBM2P134EF
DIP7K
DIP7K
DIP7K
DIP7AK
SOP8
650
800
650
650 1.00
8001.60
3.30
0.955
3.00
3.00
650
650
800
650
800
650
650
800
650
800
650
9.50
4.50
7.50
9.50
9.50
9.50
9.50
9.50
7.50
4.00
7.50
4.00
9.50
7.50
4.00
7.50
4.00
2.00
2.15
4.80
1.35
4.00
4.00
12.50
6.50
10.50
12.50
12.50
12.50
12.50
12.50
10.50
4.50
10.50
4.50
12.50
10.50
4.50
10.50
4.50
10.00
12.00
13.00
14.20
15.00
18.00
20.00
24.80
13.00
10.00
24.80
13.00
10.00
0.80
10.00
12.00
13.00
14.00
15.00
18.00
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.30
0.45
0.45
0.45
0.45
0.80
0.80
0.80
0.80
0.80
0.80
1.10
1.50
1.10
1.50
1.10
1.50
1.10
1.50
1.10
1.50
1.10
SSOP8S
65
65
65
100
130
65
100
130
65
100
130
100
130
100
100
Auto Restart
Auto Restart
Auto Restart
ExternalSetting
ExternalSetting
External Setting
Auto Restart
Auto Restart
バックコンバータ方式ラインアップ
09 一次電源デバイスカタログ
Power
~70W
~25W
Time
650V starter650V MOSFET(Ron = 1.4Ω)PWM typeFsw = 65kHz
STBY<25mW
BM2P01xT
低オン抵抗
低ノイズ
高速周波数
オリジナルバースト機能
入力ブラウンインアウト
Xコンデンサ放電機能
など
次世代
650V/800V starter650V/800V MOSFETPWM typeFsw = 65kHz
STBY<25mW
BM2Pxx1シリーズ
650V/800V starter650V/800V MOSFETPWM typeFsw = 65kHz/100kHzFor non-isolated type
STBY<25mW
BM2PxxxPシリーズ
650V/800V starter650V/800V MOSFETPWM typeFsw =65kHz,100kHz,130kHz
STBY<25mW
BM2PxxxEシリーズ650V starter650V/800V MOSFETPWM typeFsw = 100kHzXコンデンサ放電機能
STBY<15mW
BM2PxxxCシリーズ
1,700V 1.4ΩSiC MOSFET InsideQR Linear typeFsw = 120kHz (Max)690VAC入力対応内部ゲートクランパ回路
▶P.17
BM2SCQ12xTシリーズ
フライバック
TO220-7
フライバック
DIP7SOP8
PWMフライバック方式の特長
以下のさまざまなラインアップを取り揃えています。■パッケージ:SOP8/DIP7K/TO220
■出力電力:45Wクラスまで(電源仕様による)■周波数:65kHz~130kHz
■さまざまな保護回路内蔵
■ 概要 ■ 技術トレンド待機電力の削減が大きなテーマとなっています。高効率を実現する回路電流を絞った各種ラインアップを取り揃えています。
F1
C8
LF1
BD1D6
C11
R9
R7
R6R10C6
IC2PC1
14
C4R3
23
R8
R4 C2
D3
T1
C1
C20
4 1
5 7 8
AC IN
IN1
IN2
D
SGND FB
VCCR5
C3
C7
D4
VOUT
GND
VOUT
AC/DCコンバータ ロードマップ(MOSFET内蔵 PWMフライバック方式)
バック
MOS内蔵シリーズ(PWMフライバック方式)
該当デバイス
アプリケーション
BM2Pxxxシリーズ
家電製品 産業機器TV
AC/DC
MOS内蔵シリーズ PWMフライバック方式
MOS内蔵シリーズ(バックコンバータ方式) MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流
ICシリーズSiC MOSFET内蔵
AC/DCシリーズ
10一次電源デバイスカタログ
回路技術
CH4:VOUT
1.0V/div
CH3:VCC
2.5V/div
CH2:VH50V/div
CH1:Vac50V/div
Time100ms/div
Evaluation Result(AC264V/IO=0A/Cx=4.0μF)
Xコンデンサ放電機能内蔵AC/DC
外付けの放電抵抗なしでXコンデンサを放電 Xコンデンサ容量値 最大6.8μF放電可能
待機時低消費電力に大きく貢献
放電必要 放電抵抗削除 放電時の電流経路
放電制御
起動回路制御
+
ー
起動回路
AC電圧検出
放電1
放電2
AB
11 一次電源デバイスカタログ
Pin No.
1
2
3
4
5
6
7
VCC
FB
GND
LATCH
VH
DRAIN
DRAIN
I
I
I/O
I
I
I/O
I/O
Power supply input pin
Feedback signal input pin
GND pin
External latch pin
AC voltage startup pin
MOSFET DRAIN pin
MOSFET DRAIN pin
Oin Name I/O Funcution
PWMフライバック方式(Xコンデンサ放電【待機時低消費電力】)
●PWM ピーク電流制御
●軽負荷時バースト動作
●650V 起動回路内蔵●800V スーパージャンクション MOSFET内蔵●高電圧センス回路内蔵●VCC端子 OVP/UVLO 保護●AC電圧補正過電流保護●外部LATCH機能(LATCH端子)
●Xコンデンサ放電機能
●VCC電圧範囲:1.9V~26.0V
●スイッチング周波数:100kHz
●動作時回路電流:700μA(Typ.)
●動作温度範囲:-40℃~+105℃●ドレイン定格電圧:800V
●最大ドレイン電流(パルス):8.0A
特性
DIP7KW(Typ.) × D(Typ.) × H(Typ.)
9.27mm × 6.35mm × 8.63mm
pitch:2.54mm(Typ.)
特長
アプリケーション回路図
PIN配置/パッケージ
ブロック図
MOS内蔵シリーズ(バックコンバータ方式)
MOS内蔵シリーズ(PWMフライバック方式) MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流
ICシリーズSiC MOSFET内蔵
AC/DCシリーズ
MOS内蔵シリーズ PWMフライバック方式
ACInput
FilterFuse
DiodeBridge
DRAIN
VCC FB GND LATCH
DRAIN HV
ErrorAMP
ACInput
Filter
HV
FuseDiodeBridge
+ー
+ー
+ー
+ー
ClampCircuit
InternalRegulator
+ー
+ー
ErrorAMP
+ー
5VCC
VCC UVLO
VCC OVP
CVCC
1DRAIN
6.7
StartupCircuit
GND
3
SuperJundtionMOSFET
Driver
S
R Q
Filter
Filter
Filter
InternalRegulator
Burst Comparator
PWMComparator
OSCFrequenoyHopping
PWMControl
LATCH
4
FB FB CLP
2
1/4
RA
MaxmumDuty
Soft Start AC inputCompensation
Leading EdgeBlanking
CurrentDetection
Intemal Block
SlopeCompensation
12一次電源デバイスカタログ
PackagePart No.
Part No.
BreakDownVoltage(V)
On resistanse(Typ)(Ω)
On resistanse(Max)(Ω)
Frequency(kHz)
FrequencyReduction
VCC OVP BR UVLO BR OVPX-Cap.
Discharge Function
BM2P26CKBM2P011BM2P012BM2P013BM2P014BM2P031BM2P032BM2P033BM2P034BM2P051BM2P052BM2P053BM2P054BM2P091BM2P092BM2P093BM2P094BM2P0141BM2P0322BM2P039BM2P0391BM2P051FBM2P052FBM2P053FBM2P054FBM2P091FBM2P092FBM2P093FBM2P094FBM2P0522FBM2P0922FBM2P074KFBM2P012TBM2P014T
DIP7K
DIP7K
DIP7K
SOP8
SOP8
TO220
SOP8
1.40
2.40
4.00
8.50
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
DIP7K
650
650
1.40
4.00
4.00
8.50
6.70
650 2.40
External Setting
Internal
Auto Restart External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
External Setting
Auto Restart
4.00
8.50
650
650
650 1.40
2.00
4.00
5.40
12.00
2.00
5.40
5.40
12.00
8.50
4.00
5.40
12.00
2.00
800
650
800
65
65
65
65
65
65
100
100
65
Latch
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Auto Restart
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Auto Restart
Auto Restart
Auto Restart
PackageBreakDownVoltage(V)
On resistanse(Typ)(Ω)
On resistanse(Max)(Ω)
Frequency(kHz)
FrequencyReduction
VCC OVP BR UVLO BR OVPX-Cap.
Discharge Function
BM2P016BM2P0161BM2P0361BM2P015BM2P0151BM2PA15BM2PA35BM2PA55BM2P0161KBM2P095FBM2PA96FBM2P016T
1.40
1.00
3.00
1.40
1.00
1.40
2.40
8.50
1.60
DIP7K
DIP7K
SOP8
TO220
800
650
650
8.50
1.40
2.00
2.00
4.80
2.00
1.35
2.00
4.00
12.00
2.15
12.00
2.00
650
65
65
65
65
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Auto Restart
PWMフライバック方式ラインアップ
6.00 8.40
13 一次電源デバイスカタログ
Power~400W
~200W
Time
BCM Mode PFC Auxiliary Winding type
CCM Mode PFCGate ClamperBCM PFC
Resister type
650V StarterBCM Mode PFCLinear type QRX-cap DischargePFC Auto ON/OFFPFC Voltage Valuable
Linear type650V Starter Gate ClamperFsw = 120kHz
ボトムスキップLinear type650V Starter Gate ClamperFsw = 110kHz
for SiC MOSFET DriveLinear typeGate ClamperFsw = 120kHz(Max.)
低ノイズ、高高効率Switch Clamp
650V Starter Gate ClamperFsw = 65kHz/120kHz
650V Starter Gate ClamperMinus Current SenseExternal Latch FunctionFsw = 5kHz/100kHz/130kHz
Gate ClamperX-Cap Discharge FunctionLow Stand-by Power Function
Fsw = 300kHz(Max.)
PFC
PFC+QR
QR
PWM
MOS外付けシリーズの特長
フライバック回路(PWM/QR)MOSFET外付け。以下のさまざまなラインアップを取り揃えています。■パッケージ:SOP-J8/SOP-J7
■出力電力:150Wクラスまで(電源仕様による)
■ 概要 ■ 技術トレンド高効率・待機時低消費電力が技術のトレンドです。待機電力削減やトランス音鳴り低減など、さまざまな機能を搭載したIC
を取り揃えています。
ロードマップ
14
23
ACIN_L
ACIN_IN +
+
+
+
VOUT
GND
2
1
3
4
5
1
ACMONI FB CS GND
VH NC VCC OUT
2 3 4
8 7 6 5
BCM Mode PFC Resister type
BD7691FJ(SOP-J8)
BD7690FJ(SOP-J8)
BD76xxFJBD7692FJ(SOP-J8)
BM1C101/102F(SOP18)
BM1Q001/002FJ(SOP-J8) BM1Q104FJ(SOP-J8) BD768xFJ(SOP-J8) BMxFJ(SOP-J8)
BM1P061/062FJBM1P101/102FJ
BM1PxxBFJ(SOP-J7) BM1PxxCFJ(SOP-J7)
BMxFJ(SOP-J8)(SOP-J8)
MOS外付けシリーズMOS内蔵シリーズ
(バックコンバータ方式)MOS内蔵シリーズ
(PWMフライバック方式) MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流ICシリーズ
SiC MOSFET内蔵AC/DCシリーズ
該当デバイス
アプリケーション
BM1Pxxxシリーズ(PWM)BM1Qxxxシリーズ(QR)
家電製品 産業機器TV
AC/DC
R65xxKNX(650V)R80xxKNX(800V)
MOSFET
*QR:Quasi-Resonant
14一次電源デバイスカタログ
PWM
QR(疑似共振)
AC/DC + PFC
PackagePart No.
Part No.
Part No.
Frequency(kHz)
FrequencyReduction
FrequencyJitter VCC OVP BR UVLO FBOLP ZTOVP TSD
Burst Freq.Control
X-Cap.Discharge Function
BD7671FJBD7672BGBD7673AGBD7679GBD7678FJBM1P061FJBM1P062FJBM1P065FJBM1P066FJBM1P067FJBM1P068FJBM1P101FJBM1P102FJBM1P105FJBM1P107FJBM1P10CFJBM1P06CFJ
Latch
Latch
Latch
AR
Latch
AR
Latch
AR
Latch
AR
Latch
AR
Latch
AR
AR
SOP-J8
SSOP6
SSOP6
SSOP6
SOP-J8
SOP-J8
SOP-J8
SOP-J7
65
65
65
65
65
65
65
100
100
65
AR
AR
Latch
AR
AR
AR
AR Latch
AR
AR
Latch
AR
AR
Latch
AR
AR
AR
AR
AR
AR
AR
Package Control methodMax Frequency
(kHz)FrequencyReduction
ZTTimeout
VCC
OVPBurst Freq.
ControlBurst Freq.
ControlGain
change2stage Timeout
BD7681FJBM1Q001FJBM1Q002FJBM1Q011FJBM1Q021FJBM1Q103FJBM1Q104FJ
120
120
120
116
15μs AR
15μs
15μs
15μs
Latch
AR
Latch
AR
AR
BR UVLO
AR
AR
AR
Latch
Latch
AR
Latch
FBOLP ZTOVP
SOP-J8
SOP-J8
SOP-J8
SOP-J7
SOP-J8
Max. frequency
Max. frequency
Max. frequency
Bottom Skip
PackageQR Control
methodMax Frequency
(kHz)QR FrequencyReduction
PFC Controlmethod
PFC MaxFrequency
PFC frequencyjitter
VCC OVP
BD7690FJBD7691FJBD7692FJBM1050AFBM1051FBM1C101FBM1C102F
120
BCM
BCM
BCM
65kHzFixed
220kHz
220kHz
400kHz
500kHzVoltagemode
Peakcurrent
120
Latch/AR
Latch
QR FBOLP
AR
AR
PFC VoltageSwitch
X-CAPDischarge
SOP24
SOP-J8
SOP-J8
SOP-J8
SOP18
Max. frequency
Max. frequency
MOS外付けシリーズラインアップ
15 一次電源デバイスカタログ
BD7692FJBCM ZCD 抵抗検出
CCM PFC IC(開発中)
●最大周波数制御(可変)により軽負荷時の効率改善●高精度過電流検出内蔵●VS端子ダイナミックOVPとスタティックOVP
●各種保護機能の充実(過電流保護、エラーアンプ入力ショート保護)● IC回路電流低減による低消費電力実現●ゲートドライバのHigh側電圧にクランパを内蔵
●補助巻線によるゼロ電流検出(BD7690FJ)●抵抗によるゼロ電流検出(BD7691FJ、BD7692FJ)● IS-GND ショート時保護(BD7692FJ)●起動時オーバーシュート低減機能(BD7692FJ)
▶LED照明・家電等に採用
SOP-J8 SOP-J8 SOP-J8
1 2
8 7 6 5
3 4
DiodeBridge
400V
VS
OVP
VCC OUT GND IS
VS
VS
EO RT OVP
OVP
VCC
BD7691FJBD7692FJ
●VCC動作電源電圧範囲:10.0V~26.0V
●動作電流:380μA (BD7690FJ)
540μA (BD7691FJ)
530μA (BD7692FJ)
●最大周波数:220kHz (BD7690FJ)
220kHz (BD7691FJ)
450kHz (BD7692FJ)
●動作温度範囲:-40°C~+105°C
特性概要
ロードマップ
PFC回路の特長
■ 概要
■ 技術トレンド高効率・待機時低消費電力が技術トレンドです。
電圧モード臨界動作PFCです。トランスの巻き線検知タイプとセンス抵抗検知タイプをラインアップしています。特に抵抗検知タイプでは、トランスでなくコイルの使用が可能なため、巻き線ショートが無くなり、高信頼性を実現します。RT端子で最大周波数を設定でき、待機電力削減に対応することが可能です。
BD7690FJBCMZCD 補助巻線検出
▶TV・家電等に採用 ▶より高負荷のセットに
PFCシリーズMOS内蔵シリーズ
(バックコンバータ方式)MOS内蔵シリーズ
(PWMフライバック方式) MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流ICシリーズ
SiC MOSFET内蔵AC/DCシリーズ
TV
LED照明
OA機器
アプリケーション該当デバイス
BD7690FJ(巻き線検知)BD7691FJ(抵抗検知)BD7692FJ(抵抗検知)
AC/DC
R60xxシリーズMOSFET
16一次電源デバイスカタログ
低消費電力
低消費シャントレギュレータを内蔵し、待機電力削減。
オートシャットダウン機能により、軽負荷時の回路電流を削減。
待機時低消費電力化と省スペース化に貢献
CCM(Current Continuous Mode)
対応回路従来のCCM対応回路は一次→二次側へ信号の伝達素子が必要。
ロームは抵抗一本で対応。セットの省スペース化・低コスト化に貢献。
幅広い出力電圧に対応 (BM1R001xxFシリーズ)
AC/DC出力電圧が二次側同期整流
ICの電源となる。
ロームは3.3V系~24.0V系まで幅広く動作可能。
+
同期整流
VOUT
GND
SHUNTREG
0.1mA
二次側同期整流回路の特長
■ 概要
■ 技術トレンド高効率・待機電力削減、高信頼性、省スペースが技術トレンドです。
低消費シャントレギュレータを内蔵し、待機時低消費電力化と省スペース化に貢献します。オートシャットダウン機能により、軽負荷時の回路電流を削減。 また、従来のCCM対応回路は一次→二次側へ信号の伝達素子が必要でしたが、 ロームは抵抗一本で対応可能となり、セットの省スペース化・低コスト化に貢献します。3.3V系~24.0V系まで幅広い出力電圧に対応可能です。 LLC向けBD85506FはMOSFETのゲートオープン保護機能を持ち、MOSFETの発熱対策が可能です。
1 2 3
二次側同期整流ICシリーズMOS内蔵シリーズ
(バックコンバータ方式)MOS内蔵シリーズ
(PWMフライバック方式) MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流ICシリーズ
SiC MOSFET内蔵AC/DCシリーズ
TV
アダプタ
OA機器
アプリケーション該当デバイス
BM1R001xxFシリーズLLC向けBD85506F
二次側同期整流
RxxxシリーズMOSFET 出力電圧/出力電流に応じて選択
17 一次電源デバイスカタログ
電源電圧範囲(V)(Max)品名 通常時動作電流
(μA)(Typ)
BM2SCQ121T-LBBM2SCQ122T-LBBM2SCQ123T-LBBM2SCQ124T-LB
VCC:15.0~27.5DRAIN:1,700
2,000
バースト時動作電流(μA)(Typ)
500
最大動作周波数(kHz)(Typ)
120
FB OLP
Auto Restart
Latch
Auto Restart
Latch
VCC OVP
Latch
Latch
Auto Restart
Auto Restart
動作温度範囲(℃)
-40~+105
0 10 20 30
Output Power(W)P
ow
er
Co
nvers
ion E
ffecie
ncy(%
)
40 50 60 70 80
75
80
85
90
大きな信頼性の向上、部品点数削減を実現
部品点数
効率
体積
安全性
20
××△
5
◎○◎
1
◎◎◎
0 200 400 600
VIN(VDC)
Effi
cie
ncy(%
)
800 1,000 1,20074
76
78
80
82
84
86
90
88
84.484.4
83.483.4
83.683.6
82.882.8
82.282.2
81.081.0
81.181.1
80.480.4
80.280.2
79.479.4
PWM
Quasi-Resonance
最大6%最大6%
SiC MOSFET
Si MOSFET
●世界初*
1,700V/4A SiC MOSFET内蔵AC/DC
高効率、大幅な部品点数の削減を実現
●低ノイズ、高効率な擬似共振方式
●三相690VACまで対応可能なさまざまな 保護回路を内蔵
特長
ラインアップ
1,700V SiC MOSFET内蔵 擬似共振AC/DC BM2SCQ12xT シリーズ
SiC MOSFET内蔵 AC/DCシリーズの特長
インバータ 産業機器向け電源すべてサーバ
従来品のソリューション 新製品のソリューション
++
Si+従来 制御IC
SiC+特化型制御IC
SiC内蔵 制御IC
BD768xFJ-LB BM2SCQ121T-LB*制御ICの性能は同等とする(ローム調べ)*制御ICの性能は同等とする(ローム調べ)
AC/DCコンバータにおけるSi対SiC効率比較
部品点数の削減と実装面積の大幅削減
アプリケーション
SiC MOSFET内蔵 1,700V耐圧AC/DCコンバータシリーズMOS内蔵シリーズ
(バックコンバータ方式)MOS内蔵シリーズ
(PWMフライバック方式) MOS外付けシリーズ PFCシリーズ 二次側同期整流ICシリーズ
SiC MOSFET内蔵AC/DCシリーズ
SiCに変えるだけで最大6%効率改善可能に!
*2019年5月ローム調べ
SiC
VCC
新製品AC/DC
コンバータIC(BM2SCQ12xT-LB)
新製品AC/DC
コンバータIC(BM2SCQ12xT-LB)
Isolator
Error Amp.
3 p
hase
AC
40
0V
to
69
0V
Dio
de B
rid
ge
DriverGate
Clamper
1,700V耐圧SiC MOSFETを内蔵
Snubber
Si
Snubber
Si
VCCController
従来品AC/DC
コンバータ制御IC
従来品AC/DC
コンバータ制御IC
高電圧用クランプ回路
Isolator
Error Amp.
800V耐圧シリコンMOSFET
3 p
hase
AC
40
0V
to
69
0V
Dio
de B
rid
ge
800V耐圧シリコンMOSFET
ドライブ回路ドライブ回路
18一次電源デバイスカタログ
■ LLC
■ フォワード
■ フルブリッジ
■ シングルPFC
■ 部分SW方式PFC
二次側同期整流IC:BD85506F
MOSFET:R60xxシリーズ 600V耐圧
スーパージャンクション MOSFET - SJ MOS 2nd gen.
R60xxKNX ・Low A*Ron
・Fast switching
・High efficiency
IGBT: ・Low SW Loss & Low SW Noise
・Low Gate Charge
・Built-in Very Fast & Soft Recovery FRD
IGBT: RGTHシリーズ ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (2nd gen.)
・Low VCE(sat.) 1.6V Typ
・High Speed SW tf 50ns Typ
PFC:BD7690FJ(巻き線検知) BD7691FJ(抵抗検知) BD7692FJ(抵抗検知)
IGBT: RGCLシリーズ ・Trench Gate & Thin Wafer ・Low VCE(sat.) 1.4V Typ
・Low SW Noise
方式別回路図
方式 対象デバイス/アプリケーション
84.4
83.4
83.6
82.8
82.2
81.0
81.1
80.4
80.2
79.4
最大6%
V1 C1
Q1
P1
TR
S1D1
C3
C2
Q2
S2
V1 C1
P1
TRD2
D3 C2
L1
S1
P2
Q1
D1
V1C1
Q1
Q2
Q3
Q4
P1
TR
D1
S1
S2
D2
C2
L1
PS1
アプリケーション
*制御ICの性能は同等とする(ローム調べ)
IGBT:RGTVシリーズ ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (3rd gen.)
・Short Circuit SOA 2µs Min
・Low VCE(sat.) 1.5V Typ
・High Speed SW tf 40ns Typ
IGBT:RGWシリーズ ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (3rd gen.)
・Low VCE(sat.) 1.5V Typ
・High Speed SW tf 30ns Typ
家電製品 TV 産業機器
アプリケーション 産業機器家電製品 TV
産業機器家電製品 TVアプリケーション
アプリケーション 各種産業機器
アプリケーション 照明機器
エアコン
各種産業機器TVOA
1 2
8 7 6 5
3 4
Dio
de
Brid
ge
400V
VS
OVP
VCC
VS
VCC OUT GND IS
VS EO
BD7691FJBD7692FJ
RT OVP
新製品AC/DC
コンバータIC(BM2SCQ12xT-LB)
従来品AC/DC
コンバータ制御IC
ドライブ回路
19 一次電源デバイスカタログ
■ インターリーブPFC
■ トーテムポール型DiブリッジレスPFC
■ トーテムポール型Diブリッジレス PFC(同期整流型)
IGBT: ・Low SW Loss & Low SW Noise
・Low Gate Charge
・Built-in Very Fast & Soft Recovery FRD
IGBT:RGTHシリーズ ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (2nd gen.)
・Low VCE(sat.) 1.6V Typ
・High Speed SW tf 50ns Typ
IGBT:RGTVシリーズ ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (3rd gen.)
・Short Circuit SOA 2μs Min
・Low VCE(sat.) 1.5V Typ
・High Speed SW tf 40ns Typ
IGBT:RGWシリーズ ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (3rd gen.)
・Low VCE(sat.) 1.5V Typ
・High Speed SW tf 30ns Typ
スイッチング側IGBT:RGTシリーズ・Trench Gate & Thin Wafer Technology (2nd gen.)
・Short Circuit SOA 5μs Min
・Low VCE(sat) 1.65V Typ
・High Speed SW
・Low SW Loss & Low SW Noise
・Low Gate Charge
・Built-in Very Fast & Soft Recovery FRD
スイッチング側Presto MOS:R60xxJNxシリーズFast- Recovery Body Diode Super Junction MOSFET
Presto MOS 2nd gen. R60xxMNx
・Fast trr/Low Rds(on)
・Improvement for Efficiency about Motors.
・Able to remove parallel diode
整流側 SJ-MOS:Low Noise Super Junction MOSFET
SJ MOS 2nd gen. R60xxENx
方式別回路図
方式 対象デバイス/アプリケーション
PS1
PS1
PS1
PS1
アプリケーション 家電製品 TV 産業機器
アプリケーション 家電製品 TV 産業機器
アプリケーション 家電製品 TV 産業機器
アプリケーション
高効率 低ノイズ
軽負荷高効率
軽負荷高効率
各種産業機器エアコン
20一次電源デバイスカタログ
高効率化
2017 2018 2019~
●低損失:switching=20mW
●12V FET駆動電圧制御 (FET駆動のスイッチングロスを軽減)
高信頼性●各種保護内蔵 (OVP, VCC UVLO, OUT short, IS short )
●外部FET保護内蔵 (12V CLAMP) (外部FET保護用ツェナーダイオードの削減可能)
開発工数削減 ●市場での標準ピン配置を採用し、基板そのままでの検討可能。
PFC IC(力率改善IC)
アプリケーションサポート
以下の特長を持った製品を提案・開発
SOP-J8BD7691FJBCMZCD is detected by resister
MP
SOP-J8BD7692FJBCM (resister)BD7691FJ+more protection
より高信頼性・低ノイズに
MP
SOP-J8BD76xxFJCCMSOP-J8
BD7690FJBCMZCD is detected by auxiliary winding
MP
3TInsulation tape
NP1 NP2NS1 NS2 NS3ND
1T
ロームでは各種アプリケーションサポートを取り揃えてお客様の電源ブロック回路の検討依頼をお待ちしております。
回路図提案 トランス仕様作成 特性(比較)評価 ノイズ特性評価 発熱評価 基板レイアウトのご相談
IC、ディスクリート含め実機やシミュレーションによる各種技術サポートにてお客様の電源ブロックのさらなる開発をサポートします。
Circuit Evaluation・efficiency Noise Evaluation
Trans Design Application Evaluation Layout
M
M
M
21 一次電源デバイスカタログ
第3世代 トレンチ構造 SiC MOSFET
Si IGBT(左)と比較してトレンチ構造SiC MOSFET(右)はスイッチング時の損失を大幅に低減
第2世代MOS(青)と比較して第3世代MOS(赤)はさらに低オン抵抗を実現
ローム独自のダブルトレンチ構造
Loss comparison
Si IGBT SiC MOSFET
誘導損失
オフ損失
オン損失
30kHz駆動時
0
20
40
60
80
100
120
Lo
ss(W
)
スイッチング時の損失をIGBT比73%削減
スイッチング時の損失をIGBT比73%削減
オン損失オフ損失誘導損失
160140120100806040200
Trade-off curve between RDS(on) and Ciss
Cis
s(p
F)
RDS(on) @ 25℃(mΩ)
at same chip areaCiss 35%⇩
at same chip areaCiss 35%⇩
at same chip Ron,Ciss 70%⇩
at same chip Ron,Ciss 70%⇩
Trench MOS40mΩ 1,200V
Trench MOS80mΩ 1,200V
2G DMOSSCR2080KE 80mΩ 1,200V
Metal
Metal
Gate trenchP+
N+
P
Sourcetrench SiC n-Drift layer
SiC sub
SiC UMOS
Poly-Si
スイッチング時の損失を大幅低減
SiC MOSFET製品 特長とラインアップ
さらなる低オン抵抗化を実現 構造
アプリケーション 太陽光パワーコンディショナー 電源
22一次電源デバイスカタログ
第2世代(プレーナ構造)
第3世代(トレンチ構造)
製品ラインアップ
スイッチング時の損失をIGBT比73%削減
at same chip areaCiss 35%⇩
at same chip Ron,Ciss 70%⇩
品名 極性(ch)
VDSS
(V)ID(A)
PD(W)(TC=25℃)
RDS(on)
(Typ)(mΩ)
Qg(Typ)(nC)
駆動電圧(V)VGS=18V
パッケージ 車載対応AEC-Q101
SCT2120AFSCH2080KESCT2080KESCT2160KESCT2280KESCT2450KESCT2750NYSCT2H12NYSCT2H12NZ
N
N
N
N
N
N
N
N
N
650
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,700
1,700
1,700
29
40
40
22
14
10
5.9
4
3.7
165
262
262
165
108
85
57
44
35
120
80
80
160
280
450
750
1,150
1,150
61
106
106
62
35
27
17
14
14
18
18
18
18
18
18
18
18
18
TO-220AB
TO-247
TO-268-2L
TO-3PFM
YES
SCT3017ALSCT3022ALSCT3030ALSCT3060ALSCT3080ALSCT3120ALSCT3022KLSCT3030KLSCT3040KLSCT3080KLSCT3105KLSCT3160KL
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
N
650
650
650
650
650
650
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
118
93
70
39
30
21
95
72
55
31
24
17
427
339
262
165
134
103
427
339
262
165
134
103
17
22
30
60
80
120
22
30
40
80
105
160
172
133
104
58
48
38
178
131
107
60
51
42
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
18
TO-247(TO-247N)
YES
YES
YES
YES
YES
YES
YES
YES
YES
YES
YES
YES
Note:パッケージはJEDEC表記です。( )内はROHMパッケージを示します。
23 一次電源デバイスカタログ
第3世代 SiCショットキーバリアダイオード低VFと高速リカバリにより電源装置の小型化かつ高効率化を実現
第2世代(左下)では低VF、さらに第3世代で低VF・高サージ電流耐量を実現
第3世代ショットキーバリアダイオードでは常温から高温領域まで低VFを実現
1.3 1.4 1.5 1.61.230
40
50
60
70
80
90
100
110
IFMS @
10m
sec
half-
sinu
soid
alw
ave s
ing
le p
uls
(A)
ローム第3世代Low VF and High IFSM
good
(Ref. 650V 10A)
VF@10A(V)
Characteristics of Competitors’ devices
ローム第1世代ショットキーバリアダイオードSCS110A
ローム第1世代ショットキーバリアダイオードSCS110A
ローム第2世代ショットキーバリアダイオードSCS210ALow VF
ローム第2世代ショットキーバリアダイオードSCS210ALow VF
ローム第3世代ショットキー
バリアダイオードSCS310A
25℃
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I F(A
)
VF(V)
I F(A
)
150℃
0
0 0.5 2 3 4
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
VF(V)
Compompany By B Company B
SiCショットキーバリアダイオード製品 特長とラインアップ
太陽光パワーコンディショナー 電源PFC 充電ステーションアプリケーション
低VF・高サージ電流耐量
世代進化とともに高温時の低VFを実現
Compompany A ACompany A
ローム第3世代ショットキー
バリアダイオードSCS310A
BC A
Compompany C CCompany C
Compompany By B Company B
Compompany A ACompany A
Compompany C CCompany C
24一次電源デバイスカタログ
SiCショットキーバリアダイオード
製品ラインアップ
ローム第1世代ショットキーバリアダイオードSCS110A
ローム第2世代ショットキーバリアダイオードSCS210ALow VF
Company B
Company A
品名
絶対最大定格(Ta=25℃) 電気的特性(Ta=25℃)
VRM
(V)VR
(V)IF
(A)IF(A)
VF
(Typ)(V) VR(A)
IR(Max)(μA)
パッケージ 等価回路図 車載対応AEC-Q101
SCS206AGSCS208AGSCS210AGSCS212AGSCS215AGSCS220AGSCS206AGHRSCS208AGHRSCS210AGHRSCS212AGHRSCS215AGHRSCS220AGHRSCS302AHGSCS304AHGSCS306AHGSCS308AHGSCS310AHGSCS312AHGSCS315AHGSCS320AHGSCS206AMSCS208AMSCS210AMSCS212AMSCS215AMSCS220AMSCS304AMSCS306AMSCS308AMSCS310AMSCS312AMSCS315AMSCS320AMSCS215AESCS220AESCS220AE2SCS230AE2SCS240AE2SCS220AE2HRSCS230AE2HRSCS240AE2HRSCS205KGSCS210KGSCS215KGSCS220KGSCS205KGHRSCS210KGHRSCS215KGHRSCS220KGHRSCS210KE2SCS220KE2SCS230KE2SCS240KE2SCS210KE2HRSCS220KE2HR
650
650
650
650
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650
650
650
650
650
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
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650
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650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.35
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
1.4
6
8
10
12
15
20
6
8
10
12
15
20
2
4
6
8
10
12
15
20
6
8
10
12
15
20
4
6
8
10
12
15
20
15
20
10
15
20
10
15
20
5
10
15
20
5
10
15
20
5
10
15
20
5
10
120
160
200
240
300
400
120
160
200
240
300
400
10
20
30
40
50
60
75
100
120
160
200
240
300
400
20
30
40
50
60
75
100
300
400
200
300
400
200
300
400
100
200
300
400
100
200
300
400
100
200
300
400
100
200
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
650
650
650
600
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
650
650
600
600
600
600
600
600
600
600
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
1,200
6
8
10
12
15
20
6
8
10
12
15
20
2
4
6
8
10
12
15
20
6
8
10
12
15
20
4
6
8
10
12
15
20
15
20
10/20*
15/30*
20/40*
10/20*
15/30*
20/40*
5
10
15
20
5
10
15
20
5/10*
10/20*
15/30*
20/40*
5/10*
10/20*
22
29
38
42
52
67
22
29
38
42
52
67
19
27
47
67
82
96
112
123
22
29
38
42
52
67
27
47
67
82
96
112
123
52
67
38/76*
52/104*
67/135*
38/76*
52/104*
67/135*
22
42
62
78
22
42
62
78
22/45*
42/84*
62/124*
78/157*
22/45*
42/84*
TO-220AC
TO-220FM
TO-247
TO-220AC
TO-247
TO-220AC(TO-220ACP)
――――――
YES
YES
YES
YES
YES
YES
――――――――――――――――――――――――――
YES
YES
YES
――――
YES
YES
YES
YES
――――
YES
YES
IFSM(A)50Hz.1
Note:パッケージはJEDEC表記です。( )内はROHMパッケージを示します。 *1端子/パッケージ
Company C
Company B
Company A
Company C
25 一次電源デバイスカタログ
ノイズ評価
プレーナMOSに対して、第1世代スーパージャンクションMOSFETでは65%、第2世代スーパージャンクションMOSFETでは、オン抵抗を80%低減
KNシリーズは特に効率に特化した製品であり、ENシリーズよりもスイッチング損失を40%低減
ENシリーズ(赤)は特にノイズが非常に小さくノイズ対策が必要な回路に推奨
Planar 第1世代スーパージャンクションMOSFET
第2世代スーパージャンクションMOSFET
100
80
(%)
60
40
20
0
80%低減
65%低減
ON-Resistance Comparison (TO-220 Package)
100
35
20
Evaluation Circuit : PFC Circuit Critical Mode
IC
Input100V/60Hz
Output120W
0.00
0.20
0.40
0.60
0.80
1.00
1.20
1.40
1.60
R6020ENX(Low Noise)
R6020KNX(High Efficiency)
Company B(High Efficiency)
Lo
ss(W
)
0.34 0.380.36
1.14
1.501.50
0.680.82
1.02
1.20
40%
スイッチング損失
低減高速スイッチングが特長のR60xxKNx、R65xxKNxシリーズは低損失・高効率に特化した電源回路におすすめ
Limit (Quasi Peak)
R6020ENX (Low Noise Type)
R6020KNX (High Efficiency Type)
Competitor A
Frequency (MHz)
Rad
iate
d E
mis
sio
n (H
)(d
BμV
)
30030
0
10
20
30
40
50
60RADIATED EMISSION H (dBμV/m) 100V/60Hz Input 146W
Switching Loss
Conduction Loss
スーパージャンクションMOSFET製品 特長とラインアップ
第2世代 スーパージャンクションMOSFET(600V、650V)電源回路全般アプリケーション
低オン抵抗 実現
効率評価
R60xxENx、R65xxENxシリーズは非常にノイズが小さく、ノイズ対策が必要な電源回路におすすめ
26一次電源デバイスカタログ
製品ラインアップ
1.50
低ノイズタイプ
パッケージ 用途PD(W)
(Tc=25℃)
RDS(on)(Ω)
VGS=10V
Typ Max
Qg (nC)VGS=10V
駆動電圧(V)
R6011END3R6009END3R6007END3R6004END3R6002END3R6511END3R6509END3R6507END3R6504END3R6502END3R6024ENJR6020ENJR6015ENJR6011ENJR6009ENJR6007ENJR6004ENJR6524ENJR6520ENJR6515ENJR6511ENJR6509ENJR6507ENJR6504ENJR6030ENXR6024ENXR6020ENXR6015ENXR6011ENXR6009ENXR6007ENXR6004ENXR6530ENXR6524ENXR6520ENXR6515ENXR6511ENXR6509ENXR6507ENXR6504ENXR6035ENZR6030ENZR6024ENZR6020ENZR6015ENZR6535ENZR6530ENZR6524ENZR6520ENZR6515ENZR6076ENZ4R6047ENZ4R6035ENZ4R6030ENZ4R6024ENZ4R6020ENZ4R6576ENZ4R6547ENZ4R6535ENZ4R6530ENZ4R6524ENZ4R6520ENZ4
☆☆☆☆☆
☆☆☆☆
☆☆☆☆☆
0.390
0.535
0.620
0.980
3.400
0.400
0.585
0.665
1.050
3.300
0.165
0.196
0.290
0.390
0.535
0.620
0.980
0.185
0.205
0.315
0.400
0.585
0.665
1.050
0.130
0.165
0.196
0.290
0.390
0.535
0.620
0.980
0.140
0.185
0.205
0.315
0.400
0.585
0.665
1.050
0.102
0.130
0.165
0.196
0.290
0.115
0.140
0.185
0.205
0.315
0.042
0.072
0.102
0.130
0.165
0.196
0.046
0.080
0.115
0.140
0.185
0.205
0.340
0.500
0.570
0.900
2.800
0.360
0.530
0.605
0.955
3.000
0.150
0.170
0.260
0.340
0.500
0.570
0.900
0.160
0.185
0.280
0.360
0.530
0.605
0.955
0.115
0.150
0.170
0.260
0.340
0.500
0.570
0.900
0.125
0.160
0.185
0.280
0.360
0.530
0.605
0.955
0.095
0.115
0.150
0.170
0.260
0.098
0.125
0.160
0.185
0.280
0.038
0.066
0.095
0.115
0.150
0.170
0.040
0.070
0.098
0.125
0.160
0.185
124
94
78
59
26
124
94
78
59
24
245
231
184
124
94
78
58
245
231
184
124
94
78
58
86
74
68
60
53
48
46
35
86
74
68
60
53
48
46
35
102
86
74
68
60
102
86
74
68
60
735
481
379
305
245
231
735
481
379
305
245
231
ID(A)
11
9
7
4
1.7
11
9
7
4
1.7
24
20
15
11
9
7
4
24
20
15
11
9
7
4
30
24
20
15
11
9
7
4
30
24
20
15
11
9
7
4
35
30
24
20
15
35
30
24
20
15
76
47
35
30
24
20
76
47
35
30
24
20
VDSS
(V)
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
600
600
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
650
650
600
600
600
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
650
650
650
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
600
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
650
極性(ch)
形名
品名 包装記号
N
N
N
N
N
TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTL―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
C8C8C8C8C8C8C8C8C8C8C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13
スイッチング
TO-252〔DPAK〕
TO-263S(LPTS)[SC-83]〔D2PAK〕
TO-220FM
TO-3PF
TO-247
32
23
20
15
6.5
32
24
20
15
6.5
70
60
40
32
23
20
15
70
61
40
32
24
20
15
85
70
60
40
32
23
20
15
90
70
61
40
32
24
20
15
110
85
70
60
40
113
90
70
61
40
260
145
110
85
70
60
260
145
110
85
70
60
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
☆:開発中Note:パッケージはJEDEC表記です。( )内はROHMパッケージ、[ ]内はJEITAコード、〔 〕内はGENERALコードを示します。 *包装仕様C7 G(チューブ)も可
M
27 一次電源デバイスカタログ
高速スイッチングタイプ
スーパージャンクションMOSFET製品 特長とラインアップ
パッケージ 用途PD(W)
(Tc=25℃)
RDS(on)(Ω)
VGS=10V
Typ Max
Qg (nC)VGS=10V
駆動電圧(V)
R6011KND3R6009KND3R6007KND3R6006KND3R6003KND3R6511KND3R6509KND3R6507KND3R6504KND3R6024KNJR6020KNJR6015KNJR6011KNJR6009KNJR6007KNJR6004KNJR6524KNJR6520KNJR6515KNJR6511KNJR6509KNJR6507KNJR6504KNJR6030KNXR6024KNXR6020KNXR6015KNXR6011KNXR6009KNXR6007KNXR6006KNXR6004KNXR6530KNXR6524KNXR6520KNXR6515KNXR6511KNXR6509KNXR6507KNXR6504KNXR6035KNZR6030KNZR6024KNZR6020KNZR6015KNZR6535KNZR6530KNZR6524KNZR6520KNZR6515KNZR6076KNZ4R6047KNZ4R6035KNZ4R6030KNZ4R6024KNZ4R6020KNZ4R6576KNZ4R6547KNZ4R6535KNZ4R6530KNZ4R6524KNZ4R6520KNZ4R6535KNX1R6530KNX1R6524KNX1R6520KNX1R6515KNX1
☆☆☆☆☆
0.390
0.535
0.620
0.830
1.500
0.400
0.585
0.665
1.050
0.165
0.196
0.290
0.390
0.535
0.620
0.980
0.185
0.205
0.315
0.400
0.585
0.665
1.050
0.130
0.165
0.196
0.290
0.390
0.535
0.620
0.830
0.980
0.140
0.185
0.205
0.315
0.400
0.585
0.665
1.050
0.102
0.130
0.165
0.196
0.290
0.115
0.140
0.185
0.205
0.315
0.042
0.072
0.102
0.130
0.165
0.196
0.046
0.080
0.115
0.140
0.185
0.205
0.115
0.140
0.185
0.205
0.315
0.340
0.500
0.570
0.720
1.300
0.360
0.530
0.605
0.955
0.150
0.170
0.260
0.340
0.500
0.570
0.900
0.160
0.185
0.280
0.360
0.530
0.605
0.955
0.115
0.150
0.170
0.260
0.340
0.500
0.570
0.720
0.900
0.125
0.160
0.185
0.280
0.360
0.530
0.605
0.955
0.095
0.115
0.150
0.170
0.260
0.098
0.125
0.160
0.185
0.280
0.040
0.070
0.095
0.115
0.150
0.170
0.040
0.070
0.098
0.125
0.160
0.185
0.098
0.125
0.160
0.185
0.280
124
94
78
70
44
124
94
78
58
245
231
184
124
94
78
58
245
231
184
124
94
78
58
86
74
68
60
53
48
46
40
35
86
74
68
60
53
48
46
35
102
86
74
68
60
102
86
74
68
60
735
481
379
305
245
231
735
481
379
305
245
231
102
86
74
68
60
ID(A)
11
9
7
6
3
11
9
7
4
24
20
15
11
9
7
4
24
20
15
11
9
7
4
30
24
20
15
11
9
7
6
4
30
24
20
15
11
9
7
4
35
30
24
20
15
35
30
24
20
15
76
47
35
30
24
20
76
47
35
30
24
20
35
30
24
20
15
VDSS
(V)
600
600
600
600
600
650
650
650
650
600
600
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
650
650
600
600
600
600
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
650
650
650
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
600
600
600
600
600
600
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
極性(ch)
形名
品名 包装記号
N
N
N
N
N
N
TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTLTL―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
―*
C8C8C8C8C8C8C8C8C8C8C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C13C10C10C10C10C10
スイッチング
TO-252〔DPAK〕
TO-263S(LPTS)[SC-83]〔D2PAK〕
TO-220FM
TO-3PF
TO-247
TO-220AB
22
16.5
15
12
8
22
16.5
15
10
46
40
30
22
16.5
15
10
46
40
30
22
16.5
15
10
56
46
40
30
22
16.5
15
12
10
56
46
40
30
22
16.5
15
10
72
56
46
40
30
72
56
46
40
30
165
100
72
56
46
40
165
100
72
56
45
40
72
56
45
40
27.5
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
☆:開発中Note:パッケージはJEDEC表記です。( )内はROHMパッケージ、[ ]内はJEITAコード、〔 〕内はGENERALコードを示します。 *包装仕様C7 G(チューブ)も可
☆☆☆☆
☆☆☆☆☆
7
B
28一次電源デバイスカタログ
高速trrタイプ〈PrestoMOSTM〉
パッケージ 用途PD(W)
(Tc=25℃)
RDS(on)(Ω)
VGS=10V
Typ Max
Qg (nC)VGS=10V
駆動電圧(V)
R6009JND3R6007JND3R6006JND3R6004JND3R6020JNJR6018JNJR6012JNJR6009JNJR6007JNJR6006JNJR6004JNJR6025JNXR6020JNXR6018JNXR6012JNXR6009JNXR6007JNXR6006JNXR6004JNXR6050JNZ
R6030JNZ
R6025JNZ
R6020JNZR6070JNZ4R6050JNZ4R6042JNZ4R6030JNZ4R6025JNZ4R6020JNZ4
☆
☆☆☆☆☆☆
0.585
0.780
0.936
1.430
0.260
0.286
0.390
0.585
0.780
0.936
1.430
0.182
0.260
0.286
0.390
0.585
0.780
0.936
1.430
0.083
0.143
0.182
0.234
0.058
0.083
0.104
0.143
0.195
0.234
0.450
0.600
0.720
1.100
0.200
0.220
0.300
0.450
0.600
0.720
1.100
0.140
0.200
0.220
0.300
0.450
0.600
0.720
1.100
0.064
0.110
0.140
0.180
0.045
0.064
0.080
0.110
0.150
0.180
125
96
86
60
252
220
160
125
96
86
60
85
76
72
60
53
46
43
35
120
93
85
76
770
615
495
370
306
252
ID(A)
9
7
6
4
20
18
12
9
7
6
4
25
20
18
12
9
7
6
4
50
30
25
20
70
50
42
30
25
20
VDSS
(V)
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
極性(ch)
形名
品名 包装記号
N
N
N
N
N
TL1TL1TL1TL1TLTLTLTLTLTLTL
C7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC7 GC8
C8
C8
C8C13C13C13C13C13C13
スイッチング
TO-252〔DPAK〕
TO-263S(LPTS)[SC-83]〔D2PAK〕
TO-220FM
TO-3PF
TO-247
22
17.5
15.5
10.5
50
42
28
22
17.5
15.5
10.5
57
45
42
28
22
17.5
15.5
10.5
120
75
65
50
160
120
100
74
65
45
trr(Typ.)(ns)
65
60
58
45
85
80
70
65
60
58
45
90
85
80
70
65
60
58
45
120
100
90
85
135
120
110
100
90
85
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
15
☆:開発中Note:パッケージはJEDEC表記です。 ( )内はROHMパッケージ、[ ]内はJEITAコード、〔 〕内はGENERALコードを示します。
7
29 一次電源デバイスカタログ
第4世代 ファストリカバリダイオード
製品ラインアップ
第4世代は、ノイズレスリカバリ性能を実現。共に低VF化した2シリーズ、RFS(高速trrタイプ)シリーズ、RFL(低VFタイプ)シリーズを展開。
使用回路例
Switching Waveform Comparison RFS vs RFUH
Tj=125℃ VR=400V
IF=30A
di/dt=-500A/μs
50ns
10A100V
超低リカバリノイズを実現
RFS30TZ6S第4世代
RFUH30TS6S(3rd Gen.)
PFC For Power Supply FWD For Inverter OBC For Diode Bridge
Motor
VF-trr Trade-off Figure
1.3 1.5 1.8 2.0 2.2 2.4 2.8 3.0
20
30
40
50
60
70
80
trr(ns)
HighEfficiency
HighEfficiency
RFLシリーズ
RFSシリーズ
第4世代第4世代
第3世代RFNLシリーズ(Ultra Low VF Type)
RFNシリーズ(Low VF Type)
RFUHシリーズ(Soft Recovery Type)
RFVシリーズ(Hard Recovery Type)
0
RFS : High Speed Type
RFL : Low VF Type
VF(V)
Tj=25℃
ファストリカバリーダイオード製品 特長とラインアップ
第4世代 ファストリカバリダイオード RFS/RFLシリーズノイズレスリカバリ性能を実現!!
PFC回路(エアコン、サーバ、UPSなど)、インバータ回路(モータ)、2次側整流回路(OBC、充電ステーション)アプリケーション
ノイズレスリカバリ性能に加え、リカバリ速度(trr)同等で低VF化を実現
IO*1
(A)
パッケージスケジュール 等価回路図
RFS20TJ6SRFS60TZ6SRFL60TZ6SRFS30TZ6SRFL30TZ6SRFS30TS6DRFL30TS6DRFS60TS6DRFL60TS6D
TO-220ACFP
TO-247-2L
2019年後半民生・産機向け量産開始2019年後半民生・産機向け量産開始2019年後半民生・産機向け量産開始2019年後半民生・産機向け量産開始2019年後半民生・産機向け量産開始2020年前半民生・産機向け量産開始2020年前半民生・産機向け量産開始2020年前半民生・産機向け量産開始2020年前半民生・産機向け量産開始
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
650
20
60
60
30
30
15×2
15×2
30×2
30×2
120
180
200
160
180
80
100
160
180
VR
(V)VRM
(V)
絶対最大定格(TC=25℃)
品名
Note:開発中につき予告なく仕様変更することがあります。 *11素子あたりの出力平均電流は、Io(1素子入り)もしくは1/2 Io(2素子入り)です。 *21素子あたりの規格です。
IFSM(A)*2
60Hz.1
30一次電源デバイスカタログ
第3世代 ファストリカバリダイオード
製品ラインアップ
第3世代は、超高速trrのRFVシリーズと、超低VFのRFNLシリーズを展開
HighEfficiency
第4世代
trr
VF
低電流アプリケーション向け(200W~300W以下)
高電流アプリケーション向け(200W~300W以上)
RFNLシリーズ超低VFタイプ
RFNシリーズ低VFタイプ
RFVシリーズ超高速trrタイプ
ハードリカバリタイプ
DCM向け
CCM向け
全てのアプリケーションに最適なVF-trrトレードオフを提供
RFUHシリーズ高速trrタイプ
ソフトリカバリタイプノートPC タブレット
エアコン
LCD-TV
産機モジュール サーバー
ゲーム
VF-IF特性
I F(A
)VF(mV)
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500
0.1
1
10
100
RFNLシリーズ
RFVシリーズRFUHシリーズRFNシリーズ
Tj=25℃Tj=25℃
50ns
5A200V RFVシリーズ
RFUHシリーズ
IF
VR
ファストリカバリーダイオード製品 特長とラインアップ
第3世代 ファストリカバリダイオード RFNL/RFVシリーズPFC回路向けに特化した特性ラインアップを拡充!!
電源PFC回路(エアコン、サーバ、ゲーム、TV)アプリケーション
超高速trr、超低VFタイプを展開
品名 包装記号
車載対応AEC-Q101製品性能コ―ド
一般品 車載品
形名 絶対最大定格(TC=25℃) 電気的特性(Tj=25℃)*2
RFNL5BGE6S
RFNL5BM6SRFV5BM6SRFV8BM6SRFNL5TJ6SRFVS8TJ6SRFV8TJ6SRFNL10TJ6S*3
RFV12TJ6SRFV15TJ6SRFNL15TJ6SRFNL20TJ6SRFVS8TG6SRFV8TG6SRFV12TG6SRFV15TG6SRFV30TG6S
*
―**GGGGGGGGGGGGG
FH
FHFHFH
FHG――
FHG――
FHGFHG―――――
TL
TLTLTLC9C9C9C9C9C9C9C9C9C9C9C9C9
VRM
(V)VF(V)(Max)
IF(A)
IR(μA)(Max)
VR
(V)trr(ns)(Max)
IF(A)
IR(A)
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
VR
(V)
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
IO*1
(A)
5
5
5
8
5
8
8
10
12
15
15
20
8
8
12
15
30
50
50
60
100
50
60
100
120
120
150
160
200
60
100
120
150
200
1.3
1.3
2.8
2.8
1.3
3
2.8
1.25
2.8
2.8
1.3
1.3
3
2.8
2.8
2.8
2.8
5
5
5
8
5
8
8
8
12
15
15
20
8
8
12
15
30
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
10
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
600
60
60
20
25
60
20
25
65
25
30
65
70
20
25
25
30
40
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
TO-252GE〔DPAK〕
TO-252〔DPAK〕
TO-220ACFP
TO-220AC
―
YES
YES
YES
YES
――
YES
――
YES
YES
―――――
*:一般品の製品性能コードは空白です。 *11素子あたりの出力平均電流は、Io(1素子入り)もしくは1/2 Io(2素子入り)です。 *21素子あたりの規格です。 *3VF保証をIF 2水準でしています。 Note:パッケージはJEDEC表記です。 〔 〕内はGENERALコードを示します。
IFSM(A)*2
60Hz.1
パッケージ 等価回路図
DCM : Dicontinuous Current Mode
CCM : Continuous Current Mode
LCD TV
ア ン
ノ トPC ゲ
ル サーバー照明
31 一次電源デバイスカタログ
オーバーシュートノイズが小さい(UDZFV/UDZGV)
Cuフレームガルウイング端子(UDZGV)
Power dissipation
端子形状DS
MP
400mW
ガルウイング開発中開発中
250mW
フラットリードOK
2019年/夏~
UDZGV UDZFV
UDZGVシリーズ
Cuフレーム
UDZFVシリーズ
Fe-Niフレーム
ツェナーダイオード 特長とラインアップ
シリーズ 回路2 2.2 2.4 2.7 3 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100 110 120 130 150
Vzランク
JEDEC(ROHM)
パッケージ 許容損失(mW)
SDZ
CDZV
EDZV
UFZV
UDZV
UDZLV
UDZFV
UDZGV
TFZV
YFZV
TDZV
YDZV
BZX84B
BZX84C
KDZV
KDZLV
PDZV
PTZ
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
シングル
DSN0603-2(SMD0402)SOD-923(VMN2M)SOD-523(EMD2)SOD-323FL(UMD2)SOD-323FL(UMD2)SOD-323FL(UMD2)SOD-323FL(UMD2M)SOD-323(UMD2GM)SOD-323HE(TUMD2M)SOD-323HE(TUMD2M)SOD-323HE(TUMD2M)SOD-323HE(TUMD2M)SOT-23(SSD3)SOT-23(SSD3)SOD-123FL(PMDU)SOD-123FL(PMDU)SOD-128(PMDTM)DO-214AC(PMDS)(SMA)
100
100
150
500
200
200
250
400
500
500
500
500
250
250
1000
1000
1000
1000
パッケージ許容損失アップ品も登場 ますます選定の幅が広がります
新シリーズの特長①
ツェナーダイオード
温度サイクルに強いCuフレームのガルウィング端子を採用。動作温度環境が厳しい自動車用途にも適しています。
ブレークダウン時に発生する電圧変動は既存のシリーズと比較して大幅に減少。サージ保護用途としてより安全に使用する事が出来ます。
豊富なパッケージラインアップと高信頼性が特長
ブレークダウン時に発生する電圧変動は、既存のシリーズと比較して大幅に減少しており、サージ保護としてより安全に使用出来ます。
Comparison of Breakdown Noise7
5.3
3.5
1.8
0
UDZVxx UDZFVxx UDZGVxx
60%Down60%Down
80%Down80%Down
車載対応
☆:開発中
☆
新シリーズの特長②
ツェナー DIブレークダウン波形Vertical100.0μA/div
Horizontal5.00V/div
Step Gen(A/V)50.0nA/Step
Step Offset0.00A
AUX SUPPLY0.00V V
cl(V
)
30
25
20
15
10
5
0
-5
time(ms)
15 20 25 30 35 40 45 50-10 -5 0 5 10
Vcl-time CHARACTERISTICS
Bre
ak d
ow
n n
ois
e(V
)
Vz
Iz
32一次電源デバイスカタログ
UDZFVシリーズ
UDZGVシリーズ
新シリーズ製品ラインアップ
形名(一般品)
Vz(V)
スケジュール
スケジュール
Min Typ Max 一般品 車載対応品 一般品 車載対応品
DS CSMP
UDZFVTE-173.6BUDZFVTE-173.9BUDZFVTE-174.3BUDZFVTE-174.7BUDZFVTE-175.1BUDZFVTE-175.6BUDZFVTE-176.2BUDZFVTE-176.8BUDZFVTE-177.5BUDZFVTE-178.2BUDZFVTE-179.1BUDZFVTE-1710BUDZFVTE-1711BUDZFVTE-1712BUDZFVTE-1713BUDZFVTE-1715BUDZFVTE-1716BUDZFVTE-1718BUDZFVTE-1720BUDZFVTE-1722BUDZFVTE-1724BUDZFVTE-1727BUDZFVTE-1730BUDZFVTE-1733BUDZFVTE-1736B
形名(車載対応品)
Pd(W)
Iz(mA)
UDZFVFHTE-173.6BUDZFVFHTE-173.9BUDZFVFHTE-174.3BUDZFVFHTE-174.7BUDZFVFHTE-175.1BUDZFVFHTE-175.6BUDZFVFHTE-176.2BUDZFVFHTE-176.8BUDZFVFHTE-177.5BUDZFVFHTE-178.2BUDZFVFHTE-179.1BUDZFVFHTE-1710BUDZFVFHTE-1711BUDZFVFHTE-1712BUDZFVFHTE-1713BUDZFVFHTE-1715BUDZFVFHTE-1716BUDZFVFHTE-1718BUDZFVFHTE-1720BUDZFVFHTE-1722BUDZFVFHTE-1724BUDZFVFHTE-1727BUDZFVFHTE-1730BUDZFVFHTE-1733BUDZFVFHTE-1736B
0.252019年/夏
開発中
3.6
3.89
4.17
4.55
4.98
5.49
6.06
6.65
7.28
8.02
8.85
9.77
10.76
11.74
12.91
14.34
15.85
17.56
19.52
21.54
23.72
26.19
29.19
32.15
35.07
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
3.845
4.16
4.43
4.75
5.2
5.73
6.33
6.93
7.6
8.36
9.23
10.21
11.22
12.24
13.49
14.98
16.51
18.35
20.39
22.47
24.78
27.53
30.69
33.79
36.87
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
―OK
OK
OK
OK
OK
―OK
OK
OK
―――OK
―OK
OK
――――――――OK
OK
OK
―――OK
OK
――
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
OK
形名(一般品)
Vz(V)
Min Typ Max
UDZGVTE-173.6BUDZGVTE-173.9BUDZGVTE-174.3BUDZGVTE-174.7BUDZGVTE-175.1BUDZGVTE-175.6BUDZGVTE-176.2BUDZGVTE-176.8BUDZGVTE-177.5BUDZGVTE-178.2BUDZGVTE-179.1BUDZGVTE-1710BUDZGVTE-1711BUDZGVTE-1712BUDZGVTE-1713BUDZGVTE-1715BUDZGVTE-1716BUDZGVTE-1718BUDZGVTE-1720BUDZGVTE-1722BUDZGVTE-1724BUDZGVTE-1727BUDZGVTE-1730BUDZGVTE-1733BUDZGVTE-1736B
☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆
☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆☆
形名(車載対応品)
Pd(W)
Iz(mA)
UDZGVFHTE-173.6BUDZGVFHTE-173.9BUDZGVFHTE-174.3BUDZGVFHTE-174.7BUDZGVFHTE-175.1BUDZGVFHTE-175.6BUDZGVFHTE-176.2BUDZGVFHTE-176.8BUDZGVFHTE-177.5BUDZGVFHTE-178.2BUDZGVFHTE-179.1BUDZGVFHTE-1710BUDZGVFHTE-1711BUDZGVFHTE-1712BUDZGVFHTE-1713BUDZGVFHTE-1715BUDZGVFHTE-1716BUDZGVFHTE-1718BUDZGVFHTE-1720BUDZGVFHTE-1722BUDZGVFHTE-1724BUDZGVFHTE-1727BUDZGVFHTE-1730BUDZGVFHTE-1733BUDZGVFHTE-1736B
0.4
3.47
3.76
4.17
4.61
5
5.49
6.08
6.66
7.35
8.04
8.92
9.8
10.78
11.76
12.74
14.7
15.68
17.64
19.6
21.56
23.52
26.33
29.25
32.18
35.1
3.6
3.9
4.3
4.7
5.1
5.6
6.2
6.8
7.5
8.2
9.1
10
11
12
13
15
16
18
20
22
24
27
30
33
36
3.73
4.04
4.43
4.79
5.2
5.71
6.32
6.94
7.65
8.36
9.28
10.2
11.22
12.24
13.26
15.3
16.32
18.36
20.4
22.44
24.48
27.68
30.75
33.83
36.9
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
2
2
2
2
60%Down
80%Down
☆:開発中
33 一次電源デバイスカタログ
抵抗体に特殊合金を採用! 独自のトリミングレス構造で熱集中を回避し表面温度上昇を低減
独自の精密溶接技術により抵抗体金属と厚い銅電極を接合し高い放熱性と熱容量を持った構造を実現
ローム独自のトリミングレス構造抵抗体に特殊合金採用
短辺電極熱
長辺電極熱
放熱性アップ!放
熱
● 3W~5Wクラスの大電力独自の精密溶接技術により抵抗体金属と厚い銅電極を接合し高い放熱性と熱容量を持った構造を実現
● 0.1mΩ~の超低抵抗抵抗体金属に高機能合金材料を採用し超低抵抗領域でも低TCR(抵抗温度係数)を達成
● 凸型形状を採用抵抗体金属と基板の間に距離が出来るため、基板への熱ストレスを低減
抵抗体金属(Ni-Cr/Cu-Mn系合金)
溶接部
電極(Cu) 電極(Cu)
特殊金属を採用し低TCRを実現 更にローム独自の新構造により優れた放熱性能を実現
他社よりも優れた放熱性を実現<Top> <Bottom>
<Side>
各種電流検出用 車載(EPS、バッテリ監視ユニット他) エネルギー関係(パワーコンディショナー) 大型電気機器(エアコン、冷蔵庫)
各種電流検出用 車載(ECU,モータ周辺回路,他) 産機(汎用インバータ) 蓄電関係(パワコン) 大型電気機器(エアコン,冷蔵庫) 各種電源
シャント抵抗器 特長とラインアップ
トリミングレスにより熱集中を避け、表面温度上昇を低減!
ROHM
(88.7ºC) (98.8ºC)
他社
サイズ:6432印加電力:1W
ローム:PMR他社:金属板タイプ
表面温度上昇比較
各種電流検出用 ノートPC 携帯電話 充電器 DC/DCコンバータ 小型バッテリ制御 過電流検知HDD
各種電流検出用 ノートPC 携帯電話 充電器 DC/DCコンバータ 小型バッテリ制御 過電流検知HDD
長辺電極構造採用により電極強度と放熱性を向上 定格電力比較
PML100 (1.0 to 2.2mΩ)
PMR100
周囲温度(ºC)-55 25 70 155
0
1
2
3
4
定格電力
(W)
3264サイズ3W at 25ºC保証!
表面温度比較外観
<107℃ at 3W>
<GMR100/10mΩ>
<140℃ at 3W>
<Competitor/10mΩ>
超低抵抗 金属板/汎用タイプ PMRシリーズ
低抵抗 金属板/高電力タイプ GMRシリーズ
超低抵抗 金属板/高電力タイプ PSRシリーズ
超低抵抗 金属板/長辺電極品 PMLシリーズ
内部電極(Cu)中間電極(Ni)外部電極(Sn)
保護膜(樹脂)
金属抵抗体
34一次電源デバイスカタログ
超低抵抗 シャント抵抗器(金属板タイプ) 裏面電極タイプ チップ抵抗器(厚幕タイプ)
超低抵抗 シャント抵抗器 /長辺電極品(金属板タイプ)
高電力 超低抵抗 シャント抵抗器(金属板タイプ)
高電力 超低抵抗 シャント抵抗器(金属板タイプ)
高電力チップ抵抗器/長辺電極品(厚幕タイプ)
品名 外観 サイズmm(inch)
定格電力(W)
抵抗値許容差
抵抗値範囲(mΩ)
抵抗温度係数(ppm/℃)
使用温度範囲(℃)
PMR01
PMR03
PMR10
PMR18
PMR25
PMR50
1005(0402) 0.2
0.25
0.5
1
1
1
2
J(±5%)
J (±5%)F (±1%)
1608(0603)
2012(0805)
3216(1206)
3225(1210)
5025(2010)
10
10(☆5)
2,3,4,5,6,7,8,9,10
1,2,3,4,56,7,8,9,10(☆:1.2,2.5)
1,2,3,4,5
1,2,3,4,5,6,7,8,9,10
(☆:1.2,1.5,2.5)
1,2,(☆:1.5)3,4,5,67,8,9,10
1,2
±150
±100
±150
6432(2512)
☆3
0~200
0~150
±150
±100
±100
±100
-55~+155
-55~+170
サイズmm(inch)
定格電力(W)
品名 外観
0603(0201)
1005(0402)
1608(0603)
2012(0805)
1220(0508)
1632(0612)
2550(1020)
3264(1225)
3216(1206)
UCR006
UCR01
UCR03
UCR10
UCR18
0.1
0.125
0.25
0.33
0.5
品名 外観 サイズmm(inch)
定格電力(W)
抵抗値許容差
抵抗値範囲(mΩ)
抵抗温度係数(ppm/℃)
使用温度範囲(℃)
1220(0508)
1632(0612)
2550(1020)
3264(1225)
PML10
PML18
PML50
PML100
1.0, 1.5,2.0, 2.5
J(±5%)G(±2%)
J(±5%)G(±2%)
J(±5%)
J(±5%)
0.5, 1.0,1.5, 2.0, 2.5
0.5, 2.2
1.0, 1.5,2.0, 2.2
0.5
±200
±150
±200
±100
±150
0.66
1
2
2
2(3W at 25℃)
-55~+155
品名 外観 サイズmm(inch)
定格電力Tk=110℃
(W)
抵抗値許容差
抵抗値範囲(mΩ)
抵抗温度係数(ppm/℃)
使用温度範囲(℃)
0.3
0.5
1.0
2.0, 3.0
☆0.2
0.3, 0.5
1.0, 2.0, 3.0
☆0.1
0.2
0.3, 0.4, 0.5
1.0, 2.0
±150
±115
±100
±50
125±50
±175
±75
200±50
±225
±150
±75
F(±1%)
F(±1%)
F(±1%)
6432(2512)
10×5.2(3921)
15×7.75(5931)
PSR100
PSR400
PSR500
3
4
5
-55~+170
品名 外観 サイズmm(inch)
定格電力Tk=110℃
(W)
抵抗値許容差
抵抗値範囲(mΩ)
抵抗温度係数(ppm/℃)
使用温度範囲(℃)
5025(2010)
F(±1%)
2
3
GMR50
GMR100
GMR320
6432 (2512)
7142(2817)
5,10~220(E6)
5,10~220(E6)10/15/20/22/33/39/40/47/50/56/100/
220mΩ
5,10~100(E6)
±20(at +20℃~+60℃)
±50(at +20℃~+60℃)
-55~+170
サイズmm(inch)
定格電力(W)
品名 外観
☆
LTR10
LTR18
LTR50
LTR100
0.5
1.0
2.0
PMR100
5
定格電力Tk=70℃
(W)
6
12
15
☆
☆
☆
定格電力Tk=70℃
(W)
3
5
7
☆
☆
☆
☆
☆
☆:開発中
2.0
3.0
☆:開発中Note: 抵抗値範囲のExxシリーズについては製品によって範囲がことなりますので、データシートにてご確認ください。
35 一次電源デバイスカタログ
第2世代 耐硫化チップ抵抗器 SFRシリーズ
高い耐サージ特性を実現
■Standard Type
Internal Electrode
Current flow
Resistive ElementLaser Trim Current flow Resistive Element
■Anti-Surge Resistance Type
独自の抵抗体パターン設計で、耐サージ特性を汎用品より大幅に向上
●従来のシリーズと比較して高電力に対応し セットの省スペース化に貢献●静電気耐圧2kV~5kVを保証
断面図
試験条件・温度:110℃・硫黄粉末:10g・デシケータ使用・判定値:ΔR≧100%
Sulfur(10g) Specimen
Desiccator
Oven 110℃
100
90
80
70
60
50
40
30
20
1
00 500 1000 1500 2000 2500 3000
Time(h)
汎用チップ
第1世代耐硫化品
SFRシリーズ
1st GenAnti- SulfurationProduct Lifetime : 750hrs
SFR Series : Over 3000hrs
Burn
out
Ratio
(%)
Sn層 Ni層
硫化ガス進入箇所
抵抗体
上面電極(Ag系)
②硫化保護層(樹脂)
①側面電極(Ni-Cr系)
オーバーコート(樹脂)
アプリケーション 車載全般 産業機器全般 通信インフラ関係
高信頼性抵抗器 特長とラインアップ
サイズmm(inch)
1005(0402)
1608(0603)
2012(0805)
3216(1206)
3225(1210)
5025(2010)
6432(2512)
MCR01
MCR03
MCR10
MCR18
MCR25
MCR50
MCR100
0.063W
0.10W
0.125W
0.25W
0.25W
0.50W
1.0W
ESR01
ESR03
ESR10
ESR18
ESR25
――
0.20W
0.25W
0.40W
0.5W
0.66W
――
―SDR03
SDR10
――――
―0.3W
0.5W
――――
――
LTR10
LTR18
―LTR50
LTR100
――
0.25W
0.75W
―1.0W
2.0W
シリーズ MCRシリーズ(Standard)
ESRシリーズ(High power)
SDRシリーズ(High power)(Anti-surge)
LTRシリーズ(High power)(Wide terminal)
●長辺電極構造の採用により定格電力を汎用品に比べて大幅アップ●電極間距離が短くなることにより接合信頼性を大幅に向上 ●静電気耐圧3kVを保証
●過酷な硫化環境での使用が想定される各種アプリケーションに対応●従来の耐硫化品と比較して耐硫化性能を劇的に改善(ローム標準試験にて3倍以上の実力を確認)
硫化特性 構造
静電気破壊試験結果
1MΩ100KΩ10KΩ1KΩ100Ω10Ω
5%
0%
–5%
–10%
–15%
–20%
–25%Resis
tan
ce C
han
ge R
ate
(⊿
R /
R )
MMCRCR03MCR03
ESESR03ESR03
SDR03SDR03耐サージ性能を更に向上
Test Condition
DC V (Applied Voltage) 3kV
No. of Cycles ±10
C (Capacitor) 100pF
R (Discharge Resistor) 1.5kΩ
R1
DCV SampleC
●独自の抵抗体パターン、トリミング技術により、 耐サージ特性を大幅に向上
高い定格電力保証を実現WideTerminal LTRシリーズ Conventional MCRシリーズ
Electrode Size
Heat Dissipation to Substrate
Rated Power ◎ ○
Large Small
heatheat
Superior Standard
耐サージチップ抵抗器 ESRシリーズ 長辺電極チップ抵抗器 LTRシリーズ
高耐サージチップ抵抗器 SDRシリーズ
☆
☆:開発中
36一次電源デバイスカタログ
耐サージ チップ抵抗器(高信頼タイプ)
高電力チップ抵抗器 /長辺電極品(高信頼タイプ)
高耐圧 チップ抵抗器(高信頼タイプ)
耐硫化 チップ抵抗器(高信頼タイプ)
品名 外観 サイズmm(inch)
定格電力(W)
抵抗値許容差 抵抗値範囲(Ω)
抵抗温度係数(ppm/℃)
使用温度範囲(℃)
ESR01
ESR03
ESR10
ESR18
ESR25
1005(0402)
1608(0603)
2012(0805)
3216(1206)
3225(1210)
0.2
0.25
0.4
0.5
0.66
J (±5%)
F (±1%)
J (±5%)
F (±1%)
D(±0.5%)
J (±5%)
F (±1%)
D(±0.5%)
J (±5%)
F (±1%)
D(±0.5%)
10~1M
1~30M
1~10M
10~1M
1~15M
1~10M
10~1M
±100
±200
±100
±100
±200
±100
±100
J (±5%)F (±1%)
D(±0.5%)
J,F:1~10M D:10~1M
J:±200F,D:±100
1~9.110~10M
1~9.7610~10M
±200±100
+500/-250±200
品名 外観 サイズmm(inch)
定格電力(W)
抵抗値許容差 抵抗値範囲(Ω)
抵抗温度係数(ppm/℃)
使用温度範囲(℃)
LTR10
LTR18
LTR50
1220(0508)
1632(0612)
2550(1020)
3264(1225)
0.25
0.75
1.0
2.0
J (±5%)F(±1%)
D(±0.5%)
1~1M(D:10~1M)
J:±200F,D:±100
10~2.2M
1~10M
±100
±200
☆:開発中Note:(E24)標準品(E96)注文生産品
-55~+155
SDR03
SDR10☆
1608(0603)
2012(0805)
0.3
0.5
±100
±100
±200
±200±100
±200±100
±200
10~1M(E24/96)
10~1M(E24/96)
1~10M(E24)
1~9.76(E24/96)10~10M(E24/96)
1~9.76(E24/96)10~10M(E24/96)
1~10M(E24)
D(±0.5%)
D(±0.5%)J(±5%)
F(±1%)
F(±1%)
J(±5%)
-55~+155
品名 外観サイズ
mm(inch)定格電力
(W) 抵抗値許容差抵抗値範囲(Ω)
抵抗温度係数(ppm/℃)
使用温度範囲(℃)
SFR01
SFR03
SFR10
SFR18
SFR25
1005(0402)
1608(0603)
2012(0805)
3216(1206)
3225(1210)
0.063
0.1
0.125
0.25
0.5
F(±1%)
J(±5%)
F(±1%)
J(±5%)
F(±1%)
J(±5%)
F(±1%)
J(±5%)
F(±1%)
J(±5%)
1~9.1(E24)
10~10M(E24)
10~2.2M(E24/96)
1~9.1(E24)
10~10M(E24)
10~10M(E24/96)
1~9.1(E24)
10~10M(E24)
10~2.2M(E24/96)
1~9.1(E24)
10~10M(E24)
10~2.2M(E24/96)
1~1M(E24)
10~1M(E24/96)
+500/-250
±200
±100
±400
±200
±100
±400
±200
±100
±400
±200
±100
±200
±100
-55~+155
-55~+155
品名 外観サイズ
mm(inch)定格電力
(W) 抵抗値許容差抵抗値範囲(Ω)
抵抗温度係数(ppm/℃)
使用温度範囲(℃)
KTR03
KTR10
KTR18
1608(0603)
2012(0805)
3216(1206)
3225(1210)
0.1
0.125
0.25
0.33
素子最高電圧(V)
350
400
500
J (±5%)F (±1%)
1~10M
J:1 ~30MF:1~10M
J:1 ~15MF:1~10M
1~10M
J:±200F:±100
-55~+155
LTR100
KTR25 600
MCR03
ESR03
SDR03
37 一次電源デバイスカタログ
ロームグループ主要拠点(Japan)
京都本社京都本社 京都テクノロジーセンター京都テクノロジーセンター 横浜テクノロジーセンター横浜テクノロジーセンター ラピズセミコンダクタ宮崎ラピズセミコンダクタ宮崎
ラピズセミコンダクタ宮城ラピズセミコンダクタ宮城
● ●
● ●
営業拠点生産拠点R&D拠点物流拠点
京都東京横浜
名古屋松本水戸
西東京仙台高崎
宇都宮
● 営業拠点
ローム株式会社ローム滋賀株式会社ローム浜松株式会社ローム・ワコー株式会社ローム・アポロ株式会社ローム・メカテック株式会社ラピスセミコンダクタ株式会社ラピスセミコンダクタ宮城株式会社ラピスセミコンダクタ宮崎株式会社
● 生産拠点
京都テクノロジーセンター(本社)京都テクノロジーセンター(京都駅前)横浜テクノロジーセンターラピスセミコンダクタ株式会社(新横浜)ラピスセミコンダクタ株式会社 宮崎デザインセンター
ローム・ロジステック株式会社
● 物流拠点
● R&D拠点
仙台
西東京
高崎松本
ローム浜松(静岡)
名古屋ローム滋賀(滋賀)
ローム(本社)京都
ローム・メカテック(京都)
ローム・ワコー(岡山)
ローム・ロジステック(岡山)
ローム・アポロ(福岡)
ラピスセミコンダクタ宮城(宮城)
水戸
東京ラピスセミコンダクタ(本社)横浜
ラピスセミコンダクタ宮崎(宮崎) ラピスセミコンダクタ宮崎デザインセンター
(宮崎)
宇都宮
38一次電源デバイスカタログ
ロームグループ主要拠点(Global)
京都本社 京都テクノロジーセンター 横浜テクノロジーセンター ラピズセミコンダクタ宮崎
ラピズセミコンダクタ宮城
● 営業拠点
ROHM Semiconductor Korea CorporationROHM Semiconductor Trading (Dalian) Co., Ltd.ROHM Semiconductor Trading (Beijing) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd.ROHM Semiconductor Hong Kong Co., Ltd.ROHM Semiconductor Taiwan Co., Ltd.ROHM Semiconductor Singapore Pte. Ltd.ROHM Semiconductor Philippines CorporationROHM Semiconductor (Thailand) Co., Ltd.ROHM Semiconductor Malaysia Sdn. Bhd.ROHM Semiconductor India Pvt. Ltd.ROHM Semiconductor U.S.A., LLCROHM Semiconductor GmbH
AMERICAEUROPE
ASIA
● 開発拠点
Korea Technical CenterBeijing Technical Center Shanghai Technical Center Shenzhen Technical Center Taiwan Technical CenterIndia Technical Center/India Design Center Americas Technical Center (Santa Clara)Europe Technical CenterFinland Software Development Center
AMERICAEUROPE
ASIA
● 生産拠点
ROHM Korea CorporationROHM Electronics Philippines, Inc.ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.ROHM Semiconductor (China) Co., Ltd.ROHM Electronics Dalian Co., Ltd.ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd.ROHM Mechatech Philippines, Inc.ROHM Mechatech (Thailand) Co., Ltd.Kionix, Inc.SiCrystal GmbH
AMERICAEUROPE
ASIA
● QAセンター
Korea QA Center Shanghai QA Center Shenzhen QA Center Taiwan QA CenterThailand QA Center America QA CenterEurope QA Center
AMERICAEUROPE
ASIA
営業拠点生産拠点R&D拠点QAセンター
GermanySiCrystal
India
ROHM Integrated Systems (Thailand)ROHM Mechatech (Thailand)
Thailand
ROHM-Wako Electronics (Malaysia)PhilippinesTaiwanShanghai
Korea
ROHM Electronics DalianROHM Semiconductor (China)
Finland
ROHM Mechatech PhilippinesMalaysiaSingapore
ShenzhenHong Kong
KionixDetroit
ROHM Electronics Philippines
U.S.A.Santa Clara
Beijing
●
●
●
●
Catalog No.62P7223J-B 08.2019 PDF © 2019 ROHM Co., Ltd.
2019 8 1
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