Sm 1989/19

ORMOCERe - Neue Werkstoffe für die Elelctronik

POPALL M., SCHULZ J. , SCHMTDT H.

Fraunhofer-fnstitut für si l icatforschung (fsc)

Neunerplatz 2, D-87OO Würzburg

Die zunehmende Tendenz zu mehr fntegration, Packungsdj,chte

und Schnell igkeit, in der Datenverarbeitung verlangt nach

neuen Systerolösungen und daraus resultierend auch nach

neuen Werkstof fen, die z. B. für Mult i layertechniken ge-

eignet s ind . Die vom f SC entwickelten ORMOCER,e ( ORganical -

Iy Modi f ied CERarn ics) s te l len e ine Sto f fk lasse da; , d ie

aufgrrrnd ihrer Eigenschaften für diese Anwendungen präde-

s t in ier t i s t . H ieraus resu l t ie ren Akt iv i tä ten des fsc auf

fo lgenden Gebie ten:

Entwicklung von PassivierunEslayern

Entvicklung von Isolat j .onslayern

Entwicklung photostmkturierbarer Systeme

Entwicklung ionenlei t fähiger Systene

Entwicklung von Gassensoren

ORMOCERe

Die neue Stoffk lasse der oRl ' fOCERe kann zwischen anorgani-

schen und organischen Pol lnneren eingeordnet werden, als

anorganisch-organischer rrVerbundwerkstof frr in nolekularen

Maßstab betrachtet werden und läßt s ich über den SoI-GeI-

Proze$ darstel len. Die Organik kann entweder durch Copo1y-

mer isat ion n i t den organ ischen Monomeren, durch 'E inbr in-

gen von lösl ichen organischen Pol lmeren, durch Cokondensa-

t ion rn i t o rgan isch funkt iona l is ier ten E inhe i ten (2 . B.

R 's i (oR) 3 , R '= organofunkt ione l le Gruppe ( thermisch oder

I fV-vernetzbar) ) oder qurch Kombinat ion dieser Wege ein-

g e b r a c h t w e r d e n [ 1 , 2 , 3 ] .

2 6 3

Diese neu entwicke l ten Mater ia l ien lassen s ich in unter -

schiedl ichster Gestal t darstel len: das Spektnrm reicht .von Besch ichtungen, Fasern, d ichten Mater ia l ien b is h in

zu pressbaren Pulvern. Präpol lmere rni t e instel lbarer Vis-

kosi tät für die unterschiedl ichsten Beschichtungs-Techni-

ken sind ebenso synthet is ierbar. Die Mater ialeigenschaften

sind var i ierbar in einem weiten Bereich entsprechend der

funkt ionel len Gnrppen der Si lane sowie der Cokondensa-

t ion n i t Netzwerkb i ldnern wie A1 (On) r , Z t (oR) a , T i (OR) + ,

s n ( o n ) + o d e r a n C e r e n .

NaOR

B (oR) 3

s i ( oa ) a

r i (oa ) a

Ba (on) z

R ' S i 1 O n 1 ,

R ' S i ( ( o R ) 3

R r S i ( O n ; ,

P

' s i

3 Keramische

G1 as

Werks i ,o f fe

Tio -Ba_

S i t\ l.o-s

i- R' �

organisch ncd i f i -

z iert ,e S i l ica' . -e

anorganisch-

organ isches

Pol lmer

(oRI'IOCER,)

\ ,

I- - - - P

R 'I- s i -I

- P

i -,

PIsI

P : : IR- bzw. I fV-pol1.meris ierbarer Liganden (z .b. Methacryl - ,Epo>qf - , Vinyl-)

R : , CH3 , C2Hs

R ' = f f i : , ( C H Z ) f m Z , C 6 H 5

Bi ld L : Mater ia lsynthesen innerha lb des SoI -GeI -Prozesses

t 4 l

2 6 4

fn Bi ld L is t zunächst Cas bre i te Spektr rum nögl icher Mate-

r ia l synEhesen innerha lb des So l -Ge l -Ver fah rens au fgeze ig t ,

während dem Bi ld 2 .a ls Para l le le zum F1Ußdiagramm des a l l -

gemeinen Sol -Ge1-Prozesses der Synthesewegl e ines ORMOCERs

zu entnehmen is t . Zugle ich is t aus dem Bi ld 2 d ie für e ine

Stnrktur ierbarkei t 'wesent l iche photo in i t i ier te Här tung d,er

ORMOCERe zu entnehmen.

Allge:neine Route Beisp ie l (oR.YocER)

ECukte : Alkoxide' S a I z e

ox ide

I

I angsa:ner Wasserzusatz

Zur Darstel lung von

GIas und Keramik:

S intemng

BiJ .d 2 : F lußd iagramn des So l -Ge1-Prozesses

s i ( oR ) 4Ti (on) +(RO) 3Si (CHZ) rOCirrcr icFizc

{

Zuga-be von

ROH + Säure

I sio /Tio //sLoz-=e"ry1

t . IrV-Bestrahlung

I

I zur Darste l lung von ere-

|I potlmeren t

JR- oder lJV-Bestrahlung

zur Pol lmrer isat ion und

Aushärtung

Coat ings :

sp in -on ,

d i p - ,

Sprühen

Lösungsroittel-

zugabe

Polykondensat ion

zu einen

S C I - ) G e 1

Coat ings :

sp in=on ,

d iP 'Sprühen

2 6 5

ORMOCER,e können nit einfacher Applikationstechnik a1s Be-

schichtungen Curch Tauchen, A-bschleuCern und Rakeln aufge-

bracht werden. Die Aushärtung kann unter ni lden Bedingun-

gen geschehen: Temperaturen in Bereich von L2O 'C sind

ausreichend, Ifv-Härtung ist ebenf alls nöglich [ 5 , 6 ] .

Vorteile .Cer ORMOCERe als Werkstoffe ffir die EleK,ronil<

ORMOCERe zeichnen sich durch eine rel ativ hohe Teupera-

turstabi l i tät aus, durch weitgehend vari ierbare mechani-

sche Eigenschaf ten wie z. B. hohe Abr iebbeständigkei t so-

wie durch die Möglichkeit der Anbindung funktionaler orga-

nischer Grrrppen an das Si-Gerüst , welche ein gezie l tes

Eigenschaf tsprof i1 eraögl ichen. Da s ie sowohl aus organj . -

schen aIs auch anorg:anischen Bausteinen bestehen, is t e ine

gute Haftung sowohl auf organischen Pollmeren als auch auf

anorgan ischen Subst ra ten (2 . B . GIas , l fe ta l le w ie F€, A l ,

C9 e tc . ) be i en tsprechender Mod i f i ka t ion gewähr le is te t .

Aufgmnd ihres part iel len anorganischen Charakters weisen

die oRMocERe eine gute eesiandigkeit gegenüber Umweltein-

f lüssen und v ie len gebräuchl ichen organischen Lösungsmit -

te ln au f . D ie an Iso la t ions- und Pass iv ie rungs layer ge-

ste l l ten e lektr ischen Anfordenrngen wie oberf lächen-,

Bulkwiderstand und Durchschlagsfest igkei t werden er fü l l t .

Perrnit t ivi tätskonstanten ( 3 und geringe Verlustwinkel

s ind erre ichbar. Diese Eigenschaf ten zeigen die gnr te Eig-

nung der ORMOCERe als fsolat ionslayer für verschiedene An-

r^rendungen. oRMoCERe besi tzen e ine ger inge Wasser lös l ich-

kei t sowie gute Wasserdampfspern^r i rkung t7 l , wodurch s ie

auch als Passiv iemngslayer , z . B. für e lektronische Bau-

te i le e inse tzbar s ind . D ie Mög l ichke i t der d i rek ten Photo-

stmkturierbarkeit (Masken-Technik, Laser-I^Ir i t ing) der

ORMOCERe d,urch den Einbau geeigneter photochemisch aktiver

organischer Funktional i täten eröffnet diesem Werkstoff

das vei te Gebiet der st ruktur ierbaren f solat ionsla l rer .

2 6 6

So wird bspw. an ISC zlrr Zeit d,as direlde Laser.rr i t ing

von stnrkturierten Layern für d,ie Aufbau- und Verbin-

d,ungstechnik veri f izier!,. Der Einbau anderer geeigneter

Funktional itäten frrhr:t, zu ionenl eitf äbigen ORMOCERen ,

d,ie Anwendung in Batterien, .Brennstoffzellen und für

elektrochrome Fenster find,en können. Zudem eraöglicht

der Einsatz von ORMOCERen als Dielektrila auf Interdi-

gitalkonde,nsatoren selektive einfache Gassensoren:

( 2 . B . f ü r S O 2 ) .

fm folgend,en seien einige markante Anwendungen dieser

neuen Stof fk lasse kurz dargeste l l t :

ORMOCERe als Isolations- und Passivienngslayer

Die hohe Integrationsdichte moCerner MiJcroelektronischer

SchaltunEen führt zu eri :ebl icher Verlust:*ärne, welche

Curch konvent ionel le wenig wäraele i tende Lei terp lat ten

(z . B . FR4 ) nur unEenirgenc abgefuhrt werden kann . Abhil f e

kann hier e ine Metal lkern-Lei terp lat te schaf f€Dr vre lche

beispielsweise, aus einen Al uninium-Kern, einer Cünnen

oRlt[ocER-BeschichtunE ait hohen DurchEangswiCerstanC unC

einer abschl ießend,en Kupferbeschichtung bestehen kann. Axc'

ISc mrde daher ein Po}lnner:

(ceHs) zsio (o) -s i (oz ) - (cHz=cH) cHrsi (o2) (v inyl -äruppen

pol)mer is ier t ) entwickel t , welches bei k le iner Perai t t i -

v i tätskonstante (€

gangswiderstand (R

fes t igke i t von mehr a Is 106 v . cm- l ze ig t . Kr i te r ien w ie

Feucht igkei tsbeständ, igkei t , chemische Stabi l i tä t t i fek-

trolytbäder) und gute Haftung auf dem Substratmaterial

werd,en ebenso er fü l l t . Das Pol lmer zeichnet s ich zudem

durch einfachste Applikationstechnik (Tauchbeschichtung)

aus. Für komplexere Anwend,ungen nrrde das ORMOCER .nit tels

Aminogruppen funkt ional is ier t , welch€, wie in Bi ld 3 dar-

gestel l t , d.urch Protonierung elektr isch geladen eine ka-

taphoretische Abscheidung d,es ORMOCERs e:möglichen [8] .

2 6 7

Sc wird, bspw. axl f SC zllr Zeit Cas d i =elct,e Laser"rriting

von st:rrktu=ierten Layern für Cie Aufbau- und Verbin-

Cungstechnik ve=i f iziert, . Der Einbau anderer geeigneter

Funkticnalitäten fuhrt zu ionenleitf ähigen ORYOCER'en,

die Artwendu::g in Batterien, Brennstoffzellen und für

elektrochrcme Fenster finCen können. Zudem eraöglicht

der Einsatz von ORMOCERen a1s Dielektrika auf InterCi-

gitalkondensatoren selektive einfache Gassensoren:

( 2 . B . f ü r S o 2 ) .

fm folgenCen seien einiE" markante Anwendungen dieser

neuen Stof fk lasse kurz Cargeste l l t :

ORMOCERe als Isolations- und Passivienrngslayer

Die hohe InteErat ionsCichte mcCerner Mlkrcel ek:roni scher

SchaLtungen führt zu erheblicher Verlust-, iärne, welche

Curch konvent ionel le wenig wä:=ele i iende Lei terpLat ten

(z . B . FI14 ) nur ungentgeni abEe fuhrt werden kann . Abfr i l f e

kann hier e ine Meta ' l lkern-Lei terp lat te schaf fen, welche

beispielsweise, aus einein ALuninium-Kern, einer Cunnen

ORI"IOCER,-Beschichtung nit hche;a DurchgangswiCersianC unC

einer abschl ießenden Kupferbeschichtung bestehen kann. Am

ISC nrrde daher e in Pol lmer:

( ce Hs ) zS io (o ) - s i ( oz ) - ( cHz :cH) cH ts i ( o2 ) ( v i ny l - ö ruppen

pol lmer is ier t ) ent-* ickel t , welches bei k le iner Permit t i -

v i tätskonstante (€

gangswid,erstand (R

f est igkei t von mehr aI s 10 6 V. cm-I z e igt . Kr i ter ien wie

Feucht igkei tsbestänCigkei t , chernische Stabi l i tä t t i fek-

trolytbäder) und, gute l iaftung auf dem Substratmaterial

werd 'en ebenso er fü l l t ' Das Polynaer zeichnet s ich zudem

d,urch e infachste Appl ikat ionstechnik (Tauchbeschichtung)

aus. Für komplexere Anwendungen mrrd,e das ORI'{OCER .mittels

Aninogruppen funkt ional is ier t , welch€, v ie in Bi ld 3 dar-

gestel l t , d,urch Protonierung elektr isch geladen eine ka-

taphoretische Abscheidung d,es ORMOCERs eranöglichen [8] .

2 6 7

o ' l 3 l o 3 r , .I l i r

cccccccII

2l{:O -- 0: . i.9 . 4H I 4H,C - 1e3-^ :CH 3. 7 ' .1 .2

,t-Nl{!o- CHs - * ) ' ! ! i . - .{-C

flt;cuis rnier K:l ; ' :cce

(R :c j< : : on : n : e r kc l hcc i sc . renD i; fusion s gren::: .1 ic : : : I

(Reoktion in Cer onodischenC i ff u s ions Eren:sciic.':t I

Bi ld 3 : Pr inzLp der Katapho: re t i schen Absche idung (der

Stof f t ransport zur Kathode er fo lgt durch Kon-

vekt ion und in der Di f fus ionsgrenzschicht

durch Di f fus ion und Migrat ion)

Die Forderung nach immer höherer Integrationsdichte be-

d, ingt e ine Miniatur is ierung der akt iven und passiven Bau-

elemente. Ein Volumenver lust von mehr a ls I /3 durch Kap-

selungsmater ia l pro Bautei l sowie kostenintensive Kapse-

lungsverfahren drängen die Frage nach alternativen kompak-

teren Mater ia l ien und Verfahren auf . Für re ine fsolat ions-

zwecke bieten s ich ORMOCERe nach obigen Baupr inz ip an.

Wird unter Passivierung auch eine Wasserdanpfsperrr.r irkung

verstanden, so können dem Polykondensat gezielt hydrophobe

Funkt ional i tä ten (A1kyt- , Ary l - und Vinyl - ) gegeben wer-

den. Durch gezie l te Steuerung des Polykondensat ions- ünd

des s ich nach er fo lgter Appl ikat ion anschl ießenden Aus-

härtungs-Prozesses lassen sich diese ORI'IOCERe zudem ver-

d ich ten . Es resu l t ie ren , b isher igen Ergebn issen zu fo lge ,

Systeure nit einer Wasserdanpfsper::r.rirkung vergleichbar

ni t besten kommerzie l l erhäl t1 ichen Systemen. Im Vergle ich

2 6 8

zu C iesen Sys temen (Tef lon , hoch verd ich te tes Po lye thy l€D,

. . . ) erfordern ORIIOCERe nur eine einfache Applikations-

Technik und, können bezüglich ihres Haft- und, Critringverhal-

tens durch Mod, i f ikat ion dem jewei l igen Substrat angepaßt

werden..

St=ulcturierbare ORMOCERe

Die Photol i thographie ste l l t e in wesent l iches Verfahren

zur St:rrkturierung von aktiven und passiven Bauelementen

dar, zugle ich erncAl icht s ie e ine gezie l te VerbinCung

d ieser Baute i le in der Aufbau- und, Värb indungstechn ik [9 ] .

Ozu, lOCERe lassen s ich auf e infache Weise photoeurpf indl ich

Eestalten . Durch Funktional is ierung uri t polyrneris ierbaren

Subst i tuenten w ie be isp ie lswe ise MethacrY l - , Epoxy- oCer

Vinyl -Gmppen sowie der Zugabe von photochernisch in i t j . ier-

baren Radikalstar t ,ern is t e ine gezie l te photochenische

Vernetzung (Masken-Technik) mög1ich. Bisher igen Untersu-

chungen zufclge können solche strukturiert vernetzte

ORMOCER-Schichten naßchenisch in organischem wie auch

wässr igem Medium entwickel t werden. Kantenreinhei t und-ste i lhei t s ind Themen augenbl ick l icher Untersuchungen.

oRMoCERe lassen s ich somit a ls d i rekt und indi rekt s t ruk-

tur ierbare d ie lektr ische Mater ia l ien in der Elektronik

einsetzen. Die Werte der e lektr ischen Kenngrößen s ind

vergle ichbar nr i t den für Isol .at ionslayer geforderten ! ' ier -

ten . VLS I -S cha 1 tkre i s e ( Very-Large-Systen-fntegration )

mi t ih ren hohen Ansch lußzah len und sehr kurzen S igna l lau f -

zei ten er ford,ern e ine d i rekte Vernetzung der Anschlußpads

der Chips. Dies kann zum Beispie l nr i t te ls LCvD-Verfahren

(Laser -Chemica l -Vapor -Depos i t ion) rea l i s ie r t werden. Für

das h ier für er f ord,er l iche st ruktur ierbare d ie lektr i iche

2 6 9

Iso lat ionsmedium sind ORMOCERe aufgnrnd ihrer Photostruk-

tur ierbarkei t und ihrer sehr k le inen Perrn i t t iv i tätskon-

st ,ante € von großen Interesse. Bisher ige Untersuchungen

und erste Stnrkturierungen nit tels Laser:vri t ing bel egen

das Potent ia l d,er ORI ' {OCERe in d iesem Bereich. Die Bi ld,er

4 und 5 zeigen Aufnahmen erster Strukturen sowie deren

Profi t durch Stufenhöhen-Messung.

Bild 4 z Lichtnj.kroskopische Aufnahmen einer Laserstnrktu-

r ierung einer 100 pru Lochblende in Strahlengang

(St ruk turbre i te : ca . 130 pn)

2 7 A

l16

12F

f-g;-c. I:o

r+

=

0

0 100 200Scon -Weg Ipml

300

Bild. 5 : Rasterelektronenmikroskopische Aufhahme und zuge-

hör ige Stu fenhöhennessung e ines mi t te ls L4ser-

Writ ing strukturierten ORI'IOCERs ( I : 257 I1Itr I Vor-

tr ieb nr i t te ls StePPermotor)

2 7 1

oRMocERe als gassensitive Beschichtung

Selekt iv adsorbierende Beschichtungen spie len e j .ne wesent-

l iche Rol le innerhalb der Entwick lung von Sensoren. fm

Ideal fa l l so l l te durch e infache Modi f ikat ionen i ' : ,eben al -

Ien geforderten Randbedingungen eine genügend sensit ive

und selekt ive Detekt ion unterschiedl ichster Gase nögl ich

werden [ 10 , L] - l .

Wesentl iches Merlmal der ORMOCER.e ist gerade diese gefor-

der te Mul t i funkt ionsfähigkei t . Auf der e inen Sei te lassen

s ich gez j .e t t Mater ia lparameter e ins te l len , während au f der

anderen Sei te durch Einbinden entsprechender Funkt ional i -

täten gevrunschte Selekt iv i täten erre icht werden. Dies sei

am Be isp j .e l e iner SO, -sens i t i ven Besch ich tung er Iäu ter t :z

Voraussetzung zur Detekt ion von Gasen is t pr inär e in ho-

hes Adsorptionsveraögen der Beschichtung, welches durch ge-

z ie l te Steuenrng des Sol-Gel-Prozesses erre icht werden kann.

Deswei teren er fordert d ie gevninschte Selekt iv i tät entspre-

chende Zentren zur revers ib len Ad- und Desorpt ion von So2,

we lche mi t te ls (CH) f -N

(CZHS) , -Cruppen ver i fLz ie r t werden

konnter l . Schl ießl ich kann die in der Gassensor ik immer re-

Ievante Quereropf indl ichkei t zu HZO durch gezie l ten Einbau

hyd,rophobierender Alkyl-Funktional i täten eingeschränkt

werd,en. I^ iäh1t tnan aus der Vie lzahl mögl icher e lektroni -

scher Bausteine den Interd ig i ta lkondensator und t rägt das

beschr iebene ORMOCER als d ie lektr isches Layer auf r so re-

sul t ier t bei Vermessung der nunmehr SOZ-abhängigen Kapazi-

tät d, ie selekt ive Detekt ion von SoZ wie in Bi ld 6 darge-

s te l l t . D ieses Sys tem er laubt augenb l - i ck l i ch d ie Detek t ion

von schon wenigen ppn So2.

2 7 2

tl-c-

O

i5,60-

I CCo

I

I 000I

75ü ppnr soz N2

I

i 300i :00 r l'1"

so I too15.60 I

120t / m i n

BiLC 6: ZeL iabhänEige AnCer : . rnEen cer Kapaz i tä t e i ; res p la-

na ren rn te rc iE i ta l kcn iensa tc rs rn i t gassens i t i ve r

oRl locER.-Besch ichtung be i ce f j - r i€ r - .en sch" ' e f e lc i -

ox iCkonz ent ra t ionen

ORYOCERe als Feststof f- Ionenlei ter

Ers te pro tonenre i tence E lek t rory te (Nninos i le ) s ind pubLi -

z ier t und. entha l ten a1s funkt ione l le Gruppen Amino-Subst i -

t uen ten . E in en tsche idender vo r ie i l . d iese r Ma te r ia l i en i s t

entsprechenC ihres glasart igen anorganischen Netzwerks ihr

amorpher charakter, w€lcher bis in hohe Temperaturbereiche

erha l ten b le ib t . Mechan ische (2 . B . F lex ib i l i t ä t ) und che -

m ische E igenscha f ten (2 . B . Lös t i chke i t von sa rzen und säu -

ren) können d .urch organ ische funkt ione l le Gruppen var i ie r t

werd .en ( z . 8 . säu re - , basen- , hyd rop i r i l e ode r komp lexb i l den -

de Gruppen) . E rs te E rgebn isse ze igen be i P ro tonen le i t e rn

Le i t f äh igke i ten von ca. 10 5s. . * -1 be i Raumternperatur

t r2 I . B i fd . I ze ig t temperaturabhängig d ie Le i t fäh igke i t

e ines Syste : rs rn i t - (cHz) r - l tn - (cHz) z - f f i -

(cHz) ?*n,

Funkt io-

na l i t ä ten (T r i amo) , we lche gez ie l t n i t t e l s H -CF 'SOg p ro -

toniert \ rurden.

2 7 3

Iemcerciur

:nn <'1. l v , \ J - v

rn :C

0I

|J

a

Gg'6:GI

.=o

J

2.3 3.0 3.5 t'.0

reziprske Terrceretr-r in K-'

B iLd - I z Ternperaturabhängigke i t der Le i t fäh igke i t Ces Fest -

s to f f - fonen le i ters - (CHZ) : - f f i - (c t lz ) Z- f f i -

(cHZ) ZWz/+

H '

C F 3 S O I

AF,p l ikac ionen wie Min i - und Micro-Bat ter ien, ionen le i -

tende Membrane für Brennstoffzel len und elektrochrome

Fens te r b ie ten s i ch an . D ies s ind s i che r nu r e in ige As -

pekte aus e iner Viel z ahl zukünftiger Anr^rend,lrngär, .

Ausbl ick

Die h ier vorgeste l l ten neuen anorgan ischen-organ ischen

Polyurere (oRlvlocERe) , welche sich auf einfache Weise in-

nerha lb des Sol -Gel -Prozesses in Mikroe lek t ron ik re le-

vanter Reinhg i t dars te l len lassen und ur i t in der E lek-

tronik übl ichen einfachsten Appl ikat ionsmethoCen verar-

bei tet werden können t zeigen schon j etzt ihr hohes Poten-

t ia l a ls funkt ione l le r Werksto f f der E lek t ron ik . Anwen-

dungen a l s f ü r d ie . j ewe i l i gen App l i ka t i onen we i tgehend

2 7 4

ncCi f ,Lz ie rbar3 , s t : : . rk tu= ie rbare Iso la t ions- unC Pass i ' r ie -

rLtng:snater ia l i en sowie a ls funkt ional is ierbare Bas is vcn

Sensoren unC Fes ts to f f ionen le i te rn s ind je tz t schon vcrge-

geben. Wei t ,e re App l ika t ionen s ind nur e ine FraEe Cer Ze i t .

L i te ra tu r

t l l H . S c h m i d t , M a t . R e s . S o c . S l m p . P r o c . 3 2 ( 1 9 8 4 ) 3 2 7 .

tzJ H. SchniCt unC B. Sei f er l ing, Mat . Res . Soc - Slnnp .

P r o c . 7 3 ( 1 9 8 6 ) ' 1 3 9 .

t 3 l H . Schn iC t i n : ACS Sympos iun Se r i es No . 360 ' I no rgan i c

anC Organoneta l l i c Po lv1ers , M. Ze lC in , K- J . Wynne

u n d , l i . R . A L L c c c k , l l r s g . , ( f 9 8 8 ) 3 3 3 ,

J . N c n - C r y s t S o l i d s 7 3 ( 1 9 8 5 ) 6 8 1 .

t 4 l f i . S c h n i C t i n : J . N c n - C r y s t . S o l i d s 1 0 0 ( 1 9 E 4 ) 5 1 .

t 5 I f i . Schn id t , B . Se i f e rJ - ing , c . Ph i l ipp unC K. De j -cn iaann:

. Developrnent o f organic- inorganic harC coat ings by the

So l -Ge! -p rocess in : U l t ras t ruc tu re p rocess ing o f aC-

vanced , ce ram ics . J . D . Mackenz ie und D . R - U1 r i ch ,

l i r sg : . , W i l ey & Sons , New Yo rk 1988 .

t6 l G . Ph i l i pp und l I . Schn r i d t , J . Non -Crys t . So l i ds 63

( 1 9 e 4 ) , 2 8 3 .

t 7 ] H . SchmiCt , I I . Scho Lze und G. Tünker , J . Non-Crys t '

S o L i d s 8 0 ( 1 9 8 6 ) 5 5 7 . .

t 8 l H - Schmid t und H . Wo l te r i n : P roceed ings o f t he f i f t h

Internat ional ! {orkshop on Glasses and Ceramics f rom

GeIs . Augus t 1989 , R io de Jane i ro /B tas i l i en . J ' Ncn -

Crys t . So l i ds ( i n D ruck ) .

2 7 5

t 9 I f . Ruge: Ha lb le l te r -Techn ik , Spr inger -Ver l d9 , Ber l in

1 9 8 4 .

[ 10 ] S . Dros t , H . -E . Endres und E. Obermeier : The deve lop-

ment of gassensing mosfets using organical ly nodi f ied'

s i l i ca tes (o rmos i l es ) . J . - L . Aucou tu r i e r e t a I .

Hrsg . , Proc . 2nd In t . Meet ing on Chemica l

SensoES r Bo rdeaux 1986 , S . 4 /L4 .

[ 11 ] F . Hut t ? t r K . H. Haas und H. Schmid t : o rmos i les

A new c lass o f mater ia ls fo r sens i t i ve layers in

the deve lopment o f gas sensors . J . -L . Aucoutur ie r

e t a I . H rsg ' . , P roc . 2nd f n t . Mee t i ng on

Chemica l Sensors , Bordeaux L98 6 , S . 443 / 46 .

K .H . Haas , F . Hu t t e r und H . Schmid t : Gassens i t i ve

layers based on ncdi f ied s i l icates . Ex1>el=rat ' 87 Che-

mical Sensors, Bcrdeaux L987 , Abstracts.

l L z ] F . R o u s s e a u , M . . P o p a l l , H . S c h m i d t , c . P o i n s i g n o n ,

M. A :mand, J .Y . Sanchez: Proceed ings o f the second

internat ional symposium on polymer e lectro ly tes

S iena 89 , Elsevior r ( im Dntck) .

, 7 6

NEUE POLY}'{ERE

Pol ymere mi t ex t rerT len mechani schen, thermr- schenund chemischen E jgenscha f ten

Po l ymer l eg ' i e rungen und -b ' l ends m i t neuen E i gen -schaften

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27 . b ' i s 29, Seot ,ember 1989K l os te r Eanz

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