Silicium Tracking (ILC) Blocs de test en IBM 130 nm
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Silicium Tracking (ILC)
Blocs de test en IBM 130 nm
Rachid SEFRI Journées VLSI LAL Juin 2010
Amine Lazhar1
Rachid Sefri1
Thanh Hung Pham²
( LPNHE1 & IPHC² )
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SITR _BLOCS
Design intermédiaire avant celui d’un circuit multivoies
Circuit dédié à la lecture des micro-pistes en silicium ( ILC )
CMOS IBM 130 nm ( 1.5 V)
3 amplifier-shaper différents ( CR-RC programmable; 3 bit)
ADC Wilkinson simple rampe ( 8 bits )
Une cellule mémoire avec ses switchs d’écriture et de lecture.
Run en cours via le CERN
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Amplifier - Shaper V1
Unipolaire
Amplificateur
Filtrage
Gain : 19.4 mV/MIP
Sh _Time: 600ns – 1us
Bruit @ 1 us : ~ 346 + 19,5 e/pF
Linéarité < 1% ( 15 MIP )
Consommation : 450 uW
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Amplifier - Shaper V2
Amplificateur
Différentiel en entrée et unipolaire en sortie
Gain : 20 mV/MIP
Sh _Time: 550ns – 1us
Bruit @ 1 us : ~ 189 + 18,9 e/pF
Linéarité < 1% ( 15 MIP )
Consommation : 334 uW
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Amplifier - Shaper V3
CMFB
Gain_boost
DifférentielGain : 20 mV/MIP
Sh _Time: 700 ns – 1 us
Bruit @ 1 us : ~ 698 + 17.7 e/pF
Linéarité < 1% ( 15 MIP)
Consommation : 540 uW
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ADC
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Générateur de rampe Comparateur
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Simulations - ADC
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La cellule mémoire
1 pF
SWITCHCAP - CELL
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Layout
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2 X 2 mm²
68 Pads
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Fin
Merci pour votre attention
Rachid SEFRI Journées VLSI LAL Juin 2010
Merci à :
Frédéric Morel ( IPHC )
Grégory Bertolone ( IPHC )
Christian Illinger ( IPHC )
Edouard Bechetoille ( IPN Lyon )
Laurent Royer ( LPC Clermont)