Laboratoria FET

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1 Universidad de Pamplona Pamplona - Norte de Santander - Colombia Tels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co Una universidad incluyente y comprometida con el CONFIGURACIONES Y UTILIZACIÓN DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO JEFERSON PEREZ MILLER SÁNCHEZ BALAGUERA DOCENTE ING. JESÚS EDUARDO ORTIZ S. UNIVERSIDAD DE PAMPLONA FACULTAD DE INGENIERIAS Y ARQUITECTURA PROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRÓNICA

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uso y aplicaciones de los transistores de efecto de campo, en este caso, el jfet

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Universidad de PamplonaPamplona - Norte de Santander - ColombiaTels: (7) 5685303 - 5685304 - 5685305 - Fax: 5682750 - www.unipamplona.edu.co

CONFIGURACIONES Y UTILIZACIN DE TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO

JEFERSON PEREZMILLER SNCHEZ BALAGUERA

DOCENTEING. JESS EDUARDO ORTIZ S.

UNIVERSIDAD DE PAMPLONAFACULTAD DE INGENIERIAS Y ARQUITECTURAPROGRAMA DE INGENIERIA ELECTRNICAPAMPLONA2015INTRODUCCIN

El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales, de una amplia aplicacin y que no difiere en gran medida, con las del transistor BJT, aun cuando existen diferencias importantes entre los dos tipos de dispositivos, tambin hay muchas semejanzas.Las diferencias principales entre los dos tipos de transistor radican en el hecho de que: El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje. As como hay transistores bipolares npn y pnp, tambin existen transistores de efecto de campo de canal n y de canal p. Sin embargo, es importante tener en cuenta que el transistor BJT es un dispositivo bipolar; y el FET es un dispositivo unipolar.

OBJETIVOS

OBJETIVO GENERAL Analizar el comportamiento y funcionamiento de un transistor de efecto de campo

OBJETIVO ESPECIFICO Realizar el montaje de un mezclador de 2 canales mediante el empleo de un transistor de efecto de campo. Deducir de que forma el transistor opera en el circuito.

MARCO TEORICO

El transistor de efecto de campo (FET) es un dispositivo de tres terminales que se utiliza en varias aplicaciones El trmino efecto de campo requiere alguna explicacin. Todos sabemos de la capacidad de un imn para atraer las limaduras de metal hacia s mismo sin requerir un contacto real. El campo magntico del imn envuelve las limaduras y las atrae hacia el imn porque las lneas de flujo magntico actan hasta donde es posible como un cortocircuito. Para el FET las cargas presentes establecen un campo elctrico, el cual controla la ruta de conduccin del circuito de salida sin que requiera un contacto directo entre las cantidades de control y las controladas.Cuando se introduce un dispositivo con muchas aplicaciones semejantes al que se introdujo, hay una tendencia natural a comparar algunas de la caractersticas generales de uno con las del otro:Uno de las caractersticas ms importantes del FET es su alta impedancia de entrada.

Figura 1. Estructura del transistor

Los FET son ms estables a la temperatura que los BJT, y en general son ms pequeos que los BJT, lo que los hace particularmente tiles en chips de circuitos integrados (CI). Las caractersticas de construccin de algunos FET, sin embargo, pueden hacerlos ms sensibles al manipuleo que los BJT.[footnoteRef:1] [1: (Nashelsky, 2009)]

Jack (conector)Elconector Jack(tambin denominadoconector TRSoconector TRRS) es unconectordeaudioutilizado en numerosos dispositivos para la transmisin de sonido en formato analgico.PotencimetroUnpotencimetroes unresistorcuyo valor deresistenciaes variable. De esta manera, indirectamente, se puede controlar la intensidad de corrienteque fluye por un circuito si se conecta en paralelo, o ladiferencia de potencialal conectarlo en serie. Normalmente, los potencimetros se utilizan en circuitos de poca corriente. Para circuitos de corrientes mayores, se utilizan los restatos, que pueden disipar ms potencia.[footnoteRef:2] [2: (Wikipedia)]

DISEO Y RESULTADOS

Figura 2. Circuito con transistor 2N3809

Video 1. Funcionamiento de mezclador de audio con JFET

CUESTIONARIO

1. Una vez realizado el montaje y probado el circuito que se puede concluir del dispositivo. funciono de una manera adecuada? Respondi a sus necesidades?

-Que podemos emplear un transistor cuando deseamos mezclar dos seales de entrada y las deseamos las dos en una sola salida de audio .El circuito si respondi a nuestras necesidades pues se buscaba obtener una salida de audio que mezclara las dos entradas.

2. Qu tipo de polarizacin maneja el dispositivo en DC?

Polarizacin fija

3. Realice los clculos de los dispositivos para la polarizacin que usted cree que se est manejando . Exprese sus resultados en el informe?

- =0.89 v=0.4 mA

4. si se suprime la resistencia 4 que efecto tiene en el circuito? cambia su funcionamiento?

No funciona el circuito.

5. Qu labor cumplen los capacitores en el montaje?

Realizan un acoplamiento en el circuito.

6. Qu labor cumplen los potencimetros en el montaje?

los potencimetros de la entrada controlan el volumen de las seales de entrada de cada canal.

7. Se puede decir que el circuito se adapta al estudio de los transistores de efecto de campo que se han analizado en la asignatura II?

-Si debido a que estamos estudiando los transistores de efecto de campo y sus aplicaciones.

CONCLUSIONES

Mediante el empleo de un transistor de efecto de campo (JFET) 2N3809, se realiz el montaje de un circuito mezclador de audio de dos entradas y una salida, circuito que cumpli con nuestras expectativas al ver en funcionamiento una de tantas aplicaciones de los JFET.Cabe mencionar que el transistor no realizara ninguna amplificacin, su labor ser el de mezclar las dos seales de entrada, y para poder percibir la salida se debe contar con un speaker de un tamao considerable, ya que al realizar las pruebas con audfonos no se alcanzaba a percibir las seales. Se debe tener en cuenta las conexiones de los Jack de audio, ya que una mala soldadura de estos conectores genera que el dispositivo no funcione correctamente.

BIBLIOGRAFIA

Diseo electrnico. Circuitos y sistemas C.J. Savant, M.S. Roden y G.L. Carpenter Ed. Addison-Wesley Iberoamericana, 1 edicin, 1992. PRINCIPIOS DE ELECTRNICA. Albert P. Malvino. McGraw-Hill. 6 edicin. 1999.

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