Bentuk-Bentuk Perubahan Pertukaran dalam Perkawinan Bajapuik
Kuliah 5- 1 Respons Frekuensi 5- 1 Respons Frekuensi Analisis Domain Frekuensi Bentuk fungsi...
Transcript of Kuliah 5- 1 Respons Frekuensi 5- 1 Respons Frekuensi Analisis Domain Frekuensi Bentuk fungsi...
Kuliah 5- 1Respons Frekuensi
Analisis Domain Frekuensi
Bentuk fungsi transfer: polinomial bentuk sum/jumlah
T s( ) =ams m + am−1sm−1 + ... + a0
s n + bn−1sn−1 + ... + b0
Bentuk fungsi transfer: polinomial product/perkalian
T s( ) = am
s − z1( ) s − z2( )... s − zm( )s − p1( ) s − p2( )... s − pn( )
am konstan Zi zero = akar polinomial pembilang
pole = akar polinomial penyebutPi
Pendekatan fungsi
Orde Satu (STC) Orde Dua (resonansi)
Umum
LPF
BPF
HPF
T s( ) =a1s + a0
s + 0
T s( ) = a0
s + 0
T s( ) = a1ss + 0
---
T s( ) =a2s2 + a1s + a0
s2 + 0
Qs + 0
2
T s( ) =a0
s2 + 0
Qs + 0
2
T s( ) = a1s
s2 + 0
Qs + 0
2
T s( ) = a2s2
s2 + 0
Qs + 0
2
Kuliah 5- 2
+
-
+
-
V1 V2
R
C
Contoh Rangkaian STC (1)
p = 1CR
V2
V1
s( ) =ZC
ZC + R1
=
1sC
1sC
+ R
V2
V1
s( ) = 11+ sCR
=
1CR
s + 1CR
Frekuensi pole
V2
V1
0( ) = 1
V2
V1
∞( ) = 0
Respons frekuensi rendah (DC)
Respons frekuensi tinggi (DC)
+
-
+
-
V1 V2R
C
Contoh Rangkaian STC (2)
V2
V1
s( ) = s
s + 1
CR
p = 1CR
Frekuensi pole
Respons frekuensi rendah (DC)
Respons frekuensi tinggi (DC)
V2
V1
s( ) = R1sC
+ R
V2
V1
0( ) = 0
V2
V1
∞( ) = 1
Kuliah 5- 3
Contoh Rangkaian STC (3)
+
-
+
-
V1 V2
R1
R2 C
V2
V1
s( ) =ZR2// C
ZR2// C + R1
ZR2// C =R2
1sC
R2 + 1sC
= R2
1 + sCR2
V2
V1
s( ) =
R2
1+ sCR2
R2
1+ sCR2
+ R1
= R2
R2 + R1 1+ sCR2( )
V2
V1
s( ) = R2
R1 + R2 + sCR2R1
=
1CR1
s + 1C
R1 + R2
R2R
V2
V1
s( ) =
1CR1
s + 1C R1 // R2( )
Frekuensi Pole
V2
V1
0( ) = R2
R1 + R21
V2
V1
∞( ) = 0
p = 1C R1 // R2( )
Kuliah 5- 4
Plot Bode
V2
V1
j( ) = 11+ j CR
= 1 − j CR1+ CR( )2
V2
V1
s( ) = 11+ sCR
V2
V1
j( ) = 1
1+ CR( )2
+
-
+
-
V1 V2
R
C
∠ V2
V1
j( ) = − tan−1 CR( )
-45
-40
-35
-30
-20
-15
-10
-5
0
0.01 0.1 1 10 100
ωCR
Mag
nitu
de V
2/V
1 [d
B]
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
Phas
e V
2/V
1 [d
eg]
mag
angle
-25
Kuliah 5- 5
Plot Bode
Pengaruh pole dan zero pada plot Bode
zero menambah slope 20dB/dekade, pole mengurangi 20dB/dekade
gain pada corner frequency oleh pole sekitar -3dB*, zero sekitar +3dB*
* bila tidak berdekatan dengan pole/zero lainnya
-20
-15
-10
-5
0
0.01 0.1 1 10 100
ωCR-25
ω = ωο = 1/CR
corner frequency
-20dB/dekade
3dB
20logV2
V1
j( )
0.01 0.1 1 10 100
ωCR-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
05.7o
5.7o
∠V2
V1
j( )
Kuliah 5- 6Fungsi Transfer Amplifier
ωωΗ
3dBA0
|A| dB
Direct coupled (DC) amplifier
Capacitively coupled amplifier
ωωΗ
3dB
AM
|A| dB
ωΗ
Bandwith BW = H − L
L << H BW ≅ H
Figure of Merit amplifier: gain-bandwidth product
GBW ≡ AM H
Kuliah 5- 7A s( ) = AM FL s( ) FH s( )Fungsi Penguatan
AL s( ) = AM FL s( )
A s( ) ≈ AM
AH s( ) = AM FH s( )
ωωΗ
AM
|A| dB
ωΗ
Response Frekuensi Rendah
FL s( ) =s + Z1( ) s + Z 2( )... s + ZnL
( )s + P1( ) s + P2( )... s + PnL
( )Pendekatan pole dominan, frekuensi pole
FL s( ) ≅ ss + P1( )
FL j L( ) 2≡ 1
2
Bila tidak ada pole dominan, untuk menentukan ωL
FL j L( ) 2= L
2 + Z12( ) L
2 + Z 22( )... L
2 + Zn2( )
L2 + P1
2( ) L2 + P2
2( )... L2 + Pn
2( ) = 12
L ≅ P1
Kuliah 5- 8
Pendekatan untuk sistem dengan 2 poledan 2 zero
L ≅ P12 + P2
2 − 2 Z12 − 2 Z 2
2
Response Frekuensi Tinggi
FH s( ) =1+ s / Z1( ) 1+ s / Z 2( )... 1+ s / ZnH
( )1+ s / P1( ) 1+ s / P2( )... 1+ s / PnH
( )Pendekatan pole dominan, frekuensi pole
H ≅ P1
FH s( ) ≅ 11+ 1/ P1( )
Pendekatan untuk sistem umum dengan 2 poledan 2 zero
H ≅ 1
P12 + 1
P22 − 2
Z12 − 2
Z 22
Kuliah 5- 9
FH s( ) = 1+ a1s + a2s2 + ... + anH snH
1+ b1s + b2s2 + ... + bnH snH
b1 = 1
P1
+ 1
P2
+ ... + 1
PnH
b1 = Ci Rioi=1
nH
∑
b1 ≈ 1
P1
Menghitung ωH dan ωL dengan Pendekatan Konstanta Waktu Rangkaian Terbuka dan Rangkaian Hubung Singkat
Bentuk “sum” respons frekuensi tinggi
Bentuk “product” respons frekuensi tinggi
Untuk koefisien orde-1 penyebut
Cara menghitung
Pendekatan pole dominan (paling rendah) pada ωP1
Frekuensi cut-off tinggi H ≈ 1Ci Rio
i∑
Ci kapasitor dalam rangkaian respons frekuensi tinggi
Rio resistansi yang dirasakan kapasitor Ci saat kapasitor
lain terbuka, sumber tegangan hubung singkat dan sumber
arus terbuka
FH s( ) =1+ s
Z1
1+ s
Z 2
... 1+ s
ZnH
1+ s
P1
1+ s
P2
... 1+ s
PnH
Kuliah 5- 10Bentuk “sum” respons frekuensi rendah
Untuk koefisien orde-1 penyebut
Cara menghitung
Pendekatan pole dominan (paling tinggi) pada ωP1
Frekuensi cut-off rendah
Ci kapasitor dalam rangkaian respons frekuensi tinggi
Ris resistansi yang dirasakan kapasitor Ci saat kapasitor
lain hubung singkat, sumber tegangan hubung singkat
dan sumber arus terbuka
FL s( ) = snL + d1snL−1 + d2snL −2 + ...
snL + e1snL−1 + e2snL−2 + ...
FL s( ) =s + Z1( ) s + Z 2( )... s + ZnL( )s + P1( ) s + P2( )... s + PnL( )
e1 = P1 + P2 + ... + PnL
Bentuk “product” respons frekuensi rendah
e1 ≈ 1
P1
H ≈ 1Ci Ris
i∑
e1 = CiRisi=1
nL
∑
Kuliah 5- 11
Contoh Analisis Konstanta Waktu (1)
+
-
R1
C1
R2
C2
+
-
vI vO
Mencari konstanta waktu dari masing-masing kapasitor
Kapasitor oleh C1: Kapasitor oleh C2:
R1
C1
R2
C2
R1
C1
R2
C2
C1 R1 + R2( ) C2 R2
Koefisien orde-1 b1 = C1 R1 + R2( ) + C2R2
Frekuensi cut-off tinggi (pendekatan)
H = 1C1 R1 + R2( ) + C2R2
VO
VI
s( ) =
1sC2
R1 + 1sC1
1sC2
+ R1 + 1sC1
R2 +
1sC2
R1 + 1sC1
1sC2
+ R1 + 1sC1
VO
VI
s( ) = sC1R1 +1s2C1R1C2 R2 + s C1 R1 + R2( ) + C2 R2[ ] +1
Kuliah 5- 12
Contoh Analisis Konstanta Waktu (2)
Mencari konstanta waktu dari masing-masing kapasitor
Kapasitor oleh C1: Kapasitor oleh C2:C1 R1 + R2( )
Koefisien orde-1
Frekuensi cut-off rendah (pendekatan)
+
-
+
-
vI vO
C1
C2
R1
R2
C2 R1
e1 = C1 R1 + R2( ) + C2 R1
L = 1C1 R1 + R2( ) + C2R1
C1
C2
R1
R2
C1
C2
R1
R2
VO
VI
s( ) = R2
R2 + 1sC1
+
1sC2
R1
1sC2
+ R1
VO
VI
s( ) =sC1R2 sC2 R1 +1( )
s2C1R1C2 R2 + s C1 R1 + R2( ) + C2 R1[ ]+1
Kuliah 5- 13
Respons Frekuensi Rendah Penguat Common Source
Vi
R
Rin
RG1
RG2
CC1
RD
RS CS
CC2
VDD
RL
Vo
Rangkaian lengkap
Rangkaian pengganti sinyal kecil (ro diabaikan)
Vi
R
RG1RG2
CC1 RD
RS CS
CC2
RL
Vo
Ig=0
1/gm
+
-
Vgs
gmVgs
Vg
RGG=Rin ZS
Id
G
S
D
Id
Kuliah 5- 14
Fungsi transfer frekuensi rendah
Fungsi transfer pada rangkaian input
Vg
Vi
s( ) = Rin
Rin + 1
sCC1
+ R=
sCC1Rin
1+ sCC1 Rin + R( )
Vg
Vi
s( ) = Rin
Rin + R( )s
s + 1CC1 Rin + R( )
= a1
ss + P1
a1 = Rin
Rin + RP1 = 1
CC1 Rin + R( )
Fungsi transfer pada transistor
Id s( ) =Vg s( )
1/ gm + ZS
ZS =RS
1sCS
RS + 1sCS
=RS
sCS RS + 1
Id
Vg
s( ) = 1
1/ gm + RS
sCSRS + 1
=sCS RS +1
sCS RS + 1( ) / gm + RS
Id
Vg
s( ) = gm
sCS RS +1
sCSRS + 1+ gm RS
= gm
s + 1CS RS
s + 1 + gm RS
CS RS
= a2
s + Z
s + P2
a2 = gm Z = 1CSRS
P2 =1+ gm RS
CS RS
= 1CS 1/ gm // RS( )
Vo
Vi
s( ) =Vg
Vi
s( ) Id
Vg
s( ) Vd
Id
s( ) Vo
Vd
s( )
Kuliah 5- 15
Fungsi transfer pada rangkaian output
Vd
Id
s( ) = RD //1
sCC 2
+ RL
=
RD
1sCC 2
+ RL
RD + 1sCC2
+ RL
Vo
Vd
s( ) = RL
1sCC 2
+ RL
Vo
Id
s( ) = RDRL
RD + 1
sCC2
+ RL
=sCC2 RDRL
1+ sCC 2 RD + RL( )
Vo
Id
s( ) = RD RL
RD + RL( )s
s + 1CC2 RD + RL( )
= a3
ss + P3
a3 = RDRL
RD + RL
= RD // RL P3 = 1CC 2 RD + RL( )
Fungsi transfer frekuensi rendah keseluruhan
Vo
Vi
s( ) = am
ss + P1
s + Z
s + P2
ss + P3
am = a1a2a3 = Rin
Rin + Rgm RD // RL( )
P3 = 1CC 2 RD + RL( )
Z = 1CSRS
P1 = 1CC1 Rin + R( )
P2 = 1CS 1/ gm // RS( )
Kuliah 5- 16
+
-
Vgscgs
cgd
cdb
rogmVgs
G D
S
gmbVbscgb
csb
+
-
Vbs
B
Model Umum
Model FET Frekuensi Tinggi
Model untuk S-B hubung singkat
+
-
Vgscgs
cgd
cdsrogmVgs
G D
S
Model untuk S-B hubung singkat dengan cds diabaikan
+
-
Vgscgs
cgd
rogmVgs
G D
S
Kuliah 5- 17
Model Kapasitansi
Csb =Csb0
1+VSB
V0
Cdb =Cdb0
1+VDB
V0
Unity-Gain Frequency (fT)
Csb kapasitansi junction S-B Cdb kapasitansi junction D-B
Csb0 kapasitansi junction S-B pada kondisi VSB=0
Cdb0 kapasitansi junction D-B pada kondisi VDB=0
VSB tegangan bias junction S-B VDB tegangan bias junction D-B
V0 tegangan barrier
T = gm
Cgs + Cgd
fT = gm
2 Cgs + Cgd( )
Untuk penguatan satu, f = fT
Io
Ii
s( ) = gm
s Cgs + Cgd( )
Vgs = Ii
s Cgs + Cgd( ) Io = gmVgs
+
-
Vgscgs
cgd
rogmVgs
G DIo
Ii
Kuliah 5- 18
Teorema Miller
-K+
-
+
-
V1 V2
Z
I1 I2
IzIa Ib
Iz
-K+
-
+
-
V1 V2
I1 I2Ia Ib
Z1 Z2
Iz Iz
IZ = V1 − V2
Z= V1 + KV1
Z= 1+ K( )V1
Z
IZ = V1
Z1
= 1+ K( )V1
ZZ1 = 1 + K( ) Z
IZ = − V2
Z2
= − −K( )V1
Z2
= 1 + K( )V1
ZZ2 = K
1 + K( )Z
Rangkaian asal
Rangkaian pengganti
Hubungan kapasitansi rangkaian pengganti dengan rangkaian asal
Kuliah 5- 19
Respons Frekuensi Tinggi Penguat Common Source
Vi
R
Rin
RG1
RG2
CC1
RD
RS CS
CC2
VDD
RL
Vo
Rangkaian lengkap
Rangkaian pengganti sinyal kecil
Vi
R
RG1RG2 RD RL
Vo
+
-Vgs
gmVgs
RGG=Rin ZS ≈ 0
G
S
Cgs ro
DCgd
Vo ≈ -gmVgsRL'
R' = R // RGG = R // RG1 // RG2 RL' = ro // RD // RL
V' = Vi
RGG
R +R GG
Kuliah 5- 20
Vi’
R’Vo
+
-Vgs
gmVgs
Cgs RL’
Cgd
Rangkaian pengganti sinyal kecil disederhanakan
Rangkaian input dengan Teori Miller (pendekatan)
Rangkaian membentuk respons LPF, dengan nilai resistansi dan kapasitansipenentu konstanta waktu:
Vi’
R’
Cgs Cgd(1+gmRL’)
CT
CT = Cgs + Cgd 1+ gm RL'( )
R' = R // RG1 // RG2
H = 1CT RL
'
Fungsi transfer frekuensi tinggi rangkaian
AH s( ) = AM
1
1+ s
H
Kuliah 5- 21
Menghitung respons frekuensi tinggi secara eksak
Analisis nodal rangkaian
Arus pada node gate
Vi/R’ R’
Vo
+
-Vgs
gmVgs
Cgs RL’
Cgd
Arus pada node drain 0 = gmVgs +Vo
RL' + sCgd Vo − Vgs( )
Vi
R=
Vgs
R' + sCgsVgs + sCgd Vgs − Vo( )
Kedua persamaan di atas diselesaikan untuk Vo dan Vgs sebagai fungsi Vi
Vo s( )Vi s( )
= −AM
1 − s
gm / Cgd
1+ s Cgs + Cgd 1 + gm RL'( )+ Cgd
RL'
R'
R
' + s2CgsCgd R' RL'
Secara fisik biasanya, Cgd lebih kecil dari Cgs untuk Cgd yang cukup kecil
maka fungsi transfer di atas akan mengikuti bentuk pendekatan yang telah
diperoleh sebelumnya
Kuliah 5- 22
Model Hybrid-π BJT
Model frekuensi rendah
+
-
Vπ rogmVπ
B C
E
rπ
rµrx
rx (resistansi akses ke junction BC) memodelkan resistansi bahan silikon
rµ memodelkan pengaruh tegangan kolektor pada arus basis
Parameter model pada frekuensi rendah
Untuk frekuensi rendah digunakan model hybrid (umumnya berbasis penguat
common emitter), persamaan dan rangkaian pengganti model ini:
vb = hieib + hrevc
ic = h feib + hoevc
hie
hievc hfeib
ib
1/hoe
+
-
vc
Parameter model ini mempunyai unit besaran sbb:
hie [Ohm], hre [V/V], hfe [A/A], hoe [Ohm-1]
Pengertian subscript:
i input, o output, e konfigurasi CE, f forward, r reverse
Kuliah 5- 23Pengukuran dan ekstraksi parameter h
Rangkaian pengukuran 1
Besaran diukur: vb, v, dan vo
Besaran dihitung:ib dan ic
Parameter dihitung dan
untuk
untuk
RL << RC
Rangkaian pengukuran 2
RB >> r
Besaran eksitasi: vs
Besaran eksitasi: vc
Besaran diukuri: vb
Parameter dihitung
Ic ≈ Io =Vo
RL
Ib ≈ Ii = VRS
hie = Vb
Ib
h fe = Ic
Ib
hre = Vb
Vc
RB RC
∞
∞
+
-
Vb (diukur)
Vc
VBB VCC
RsVs
RB RC
RL∞
∞
Ii+ -V
+
-
Ib Ic
Io
VBB VCC
Vo
Vb
Kuliah 5- 24
Korelasi parameter model hybrid dengan hybrid-π
Rangkaian pengukuran 3
Besaran eksitasi: vy
Besaran diukur: v dan vc
Parameter dihitung
hie = rx + r // r( ) ! resistansi input, Vo = 0 (RL = 0)
h fe = ac = gmr ! arus output, Vo = 0 (RL = 0)
RB RC
∞
∞
+
-
Vc
VBB VCC
- +V
Vy
Ry
VRy
= Vc
RC //1
hoe
hoe = VVcRy
− 1RC
hie
hieVc=0 hfeIb
Ib
1/hoe
B C
E
Io
+
-
Vπ rogmVπ
B C
E
rπ
rµrx
Io
Kuliah 5- 25
hre = r
r + r! tegangan input, ib = 0 (base open)
hoe ≈ 1ro
+ 0
r
! tegangan input, ib = 0 (base open)hoe = 1ro
+gmr
r + r+ 1
r + r
Korelasi parameter model hybrid-π dengan hybrid
gm =IC
VT
r =h fe
gm
rx = hie − r
r =r
hre
ro = hoe −h fe
r
−1
ro = VA
IC
hie
hieVc=0 hfeIb
0
1/hoe
B C
E
Vc
+
-
Vb
+
-
E
+
-
Vπ rogmVπ
B C
rπ
rµrx0
+
-
Vc
+
-
Vb
Kuliah 5- 26Model frekuensi tinggi
Model rangkaian pengganti frekuensi tinggi dengan kemasan
Model rangkaian pengganti frekuensi tinggi disederhanakan (tanpa kemasan)
Frequency Cutoff
+
-
Vπ cπ
cµ
cdsrogmVπ
B C
rπ
rµ
E
CBP
LB
rx
RB
LE
RE
CCP
LCRC
B’
+
-
Vπ cπ
cµ
rogmVπ
C
rπ
E
rx B’B
+
-
Vπ cπcµ
rogmVπ
Crπ
rx B’
BVb
E
Ib scµVπ
E
Ic=(gm-scµ)Vπ
Kuliah 5- 27
V = Ib r // C // C( )
h fe ≡ Ic
Ib
=gm − sC
1r
+ s C + C( )h fe ≈
gmr
1+ s C + C( )r
h fe = 0
1+ s C + C( )r
gm >> C
= 1
C + C( )r
=
T = 0
T =gmr
C + C( )r = gm
C + C
fT = gm
2 C + C( )
Gain-bandwidth product penguatan arus
untuk
Pole penguatan transistor transistor hfe ada pada
ωωβ
-20dB/dekade
3dB
ωΤ0
β0
h fe [dB]
Kuliah 5- 28Respons frekuensi rendah penguat CE
Solusi eksak diselesaikan dengan analisis titik simpul (nodal analysis) untuk tegangan ouput Vo
Vs
Rs
= Vi
1Rs
+ sC1
+ Vb −sC1[ ]
0 = Vi −sC1[ ]+ Vb sC1 + 1RGG
+ 1r
+ Ve − 1
r
0 = Vb − 1r
− gm
+ Ve
1r
+ 1RE
+ 1ro
+ sCE + gm
+ Vc − 1
ro
0 = Vb gm[ ]+ Ve − 1ro
− gm
+ Vc
1ro
+ 1RC
+ sC2
+ Vo −sC2[ ]
0 = Vc −sC2[ ]+ Vo sC2 + 1RL
node i
node b
node e
node c
node o
Bentuk umum solusi akhir
Vo
Vs
s( ) = am
ss + P1
s + Z
s + P2
ss + P3
Vs
Rs C1
RB1
RB2
RC
RE CE
C2
RL
Vi
VoVc
Ve
Vb
VCC
VCC
Kuliah 5- 29
Solusi pendekatan dapat diselesaikan dengan analisis konstanta waktu
Rs C1
RB1RB2RC
RE CE
C2
RLrπ Vπ
+
- gmVπ
rx
Rs C1
RB1RB2RC
RE CE
C2
RLrπ Vπ
+
- gmVπ
rx
Rs C1
RB1RB2RC
RE CE
C2
RLrπ Vπ
+
- gmVπ
rx
C1= C1 Rs + RBB // rx + r + +1( )RE( )( )[ ]
CE= CE RE / RBB + rx + r ) / +1( )( )[ ]
C2= C2 RC + RL[ ]
L ≈ 1
C1+ CE
+ C2
Frekuensi cutoff
Kuliah 5- 30Respons frekuensi tinggi penguat CE
Solusi eksak dapat diselesaikan dengan analisis titik simpul (nodal) sepertipada CS (hal 5-21)
Solusi pendekatan dapat diselesaikan dengan bantuan Teori Miller
Vs
Rs
RB1RB2RCCπ
Cµ
RL
Vi
rπ Vπ
+
- gmVπ
rx
Vo
VIH
RIH
CIH ROHrπ Vπ
+
- gmVπ
Vo
COH
K ≈ gm ROH
RIH = RS // RBB( ) + rx
ROH = RC // RL
CIH = C + C 1+ gm ROH( )
COH = Cgm ROH
1+ gm ROH
Frekuensi cutoff H ≈ 1CIH RIH + r( )
Kuliah 5- 31Respons frekuensi tinggi penguat CB
+VCC
RB
RC
RE
-VEE
C2
BC
EC3
C1
Rsvs
RL+
-
vo
Rangkaian pengganti sinyal kecil frekuensi tinggi
Untuk menyederhanakan pengaruh rx dan ro diabaikan sehingga: V = −Ve
Ie = gmVe +Ve
r+ sC Ve
Rsvs
RC RL
+
-
Vo
B C
E
RE
gmvπ
+
-
Vπ rπ Cπ
Cµrx
ro
Ie
Kuliah 5- 32
Ie
Ve
= gm + 1r
+ sC = gmr +1r
+ sC = +1r
+ sC
Ie
Ve
= 1re
+ sC
Susun ulang rangkaian pengganti sinyal kecil frekuensi tinggi
Rsvs
RC RL
+
-
VoB
C
E
RE
gmvπ+
-
Vπ re Cπ
Cµ
V
Vs
= −RE // re
RE // re( ) + Rs
11+ sC re // RE // RS( )
Rangkaian input
Rangkaian outputVo
V= −gm RC // RL( ) 1
1+ sC RC // RL( )
P1 = 1C RC // RL( )
P2 = 1C re // RE // RS( )
Frekuensi pole:
Kuliah 5- 33Respons frekuensi tinggi penguat cascode
CB
R1
R2
RE
RC
VCC
VCC
CC2
CE
RL
RS
VS
Vo
CC1 R3
CE
CB
VS' = VS
R1 // R2
RS + R1 // R2( )r 1
r 1 + rx1 + R1 // R2 // R3( )RS
' = r 1 // rx1 + R1 // R2 // R3( )[ ]{ }
2 = 1C 2re2
≈ T 2
Frekuensi pole transistor atas (CB, bagian input):
! penguatan tegangan CB, gain-bandwidth product
Kuliah 5- 34
VS
RS
R3
R2
r X1
r π1
Cπ1
Cµ1
r o1
r π2
Cπ2
Cµ2
RC
RL
Vo
+ -
g m1V
π1
+- Vπ2
g m2V
π2V
π1
B1
C1
E2
C2
B2
E1
B1i
Cµ2
RC
RL
Vo
g m2V
π2C
2C
µ1
VS
RS’ Cπ1
r o1
r π2
Cπ2
+ -
g m1V
π1
Vπ1
C1
E2
1/g m
2
+-
Vπ2
B1i
VS
RS’ Cπ1
r e1
2Cµ1
+ -
g m1V
π1
Vπ1
C1
E2
+- Vπ2
2Cµ1
B1i
Cπ2
Cµ2
Vo
g m2V
π2C
2
RL’
Kuliah 5- 35
Vc1 ≈ −gm1V 1re2 ≈ −V 1
1 = 1
RS' C 1 + 2C 1( )
Frekuensi pole transistor bawah (CE, bagian input):
3 = 1C 2 RL
'
Frekuensi pole transistor atas (CE, bagian output, beban hanya resistif):
Frekuensi pole dominan (beban resistif): H ≈ 1
Frekuensi pole transistor atas (CE, bagian output, beban kapasitif):
3 = 1
C 2 + CL( )RL'
Respons frekuensi tinggi penguat common collector
VS
RS
VCC
-VEE
RE
Vo
BVo s( )VS s( )
= AM
s + Z( )1+ s / P1( ) 1+ s / P2( )
Kuliah 5- 36
+
-
Vπ cπ
cµ
Vo
gmVπrπ
rx B’B
VS
RS C
RE
+
-
VπCµ Cπ
Vo
gmVπrπ
B’
VS
RS’= RS + rx C
RE
YπVπ
Yπ = 1/rπ + sCπ
Yπ -> rπ // sCπ
Cµ Cπ/(1+gmRE)rπ(1+gmRE)VS
RS’
RE
Vo = gm + y( )V RE
gm + y( ) = 0
gm + 1r
+ sZC
= 0 sZ = −
gm + 1r
C= − 1
C re≈ − T
Zero diperoleh untuk:
Kuliah 5- 37Rangkaian ekivalen pada terminal emitter:
Zeq ≡Vo
y V=
gm + y( )RE
y
Zb' = 1y
+ Zeq = 1+ gm RE
y+ RE
Rangkaian ekivalen pada terminal base:
Pole dari STC pada rangkaian ekivalen pada terminal base:
P = C +C
1+ gm RE
RS
' // 1+ gm RE( )r[ ]
−1
VCC
Vo
VCC
Penguat kaskade CC dan CE
CE memberi penguatan tegangan
CC memberi resistansi output rendah untuk
input CE
Konstanta waktu dari kapasitansi Miller CE
kecil (frekuensi tinggi)
Bandingkan dengan kaskode CE dan CB
CB memberi isolasi beban dari kolektor CE
sehingga efek Miller rendah
Kuliah 5- 38Respons frekuensi penguat diferensial
VCC
I
RC RC
+
-
+VS/2
Vo
+
-
-VS/2
VCC
RC
+
-
VS/2
Vo/2
Respons eksitasi simetrik
Vo
VS
= −r
r + Rs / 2gm RCPenguatan DC dan frekuensi rendah
Frekuensi pole dominan oleh efek Miller
Vo
VS
=A0
1+ s / P
Respons eksitasi simetrik
Vo
VS
=A0
1+ s / P
VCC
I
RC RC
+
-
VS
VoVc1 Vc2+ -
A0 = −2r
2r + Rs + 2rx
gmRC
P = 1
RS + 2rx( ) // 2r[ ] C / 2 + C / 2 gm RC( )[ ]
P = 1
RS / 2( ) // r[ ] C + C 1+ gmRC( )[ ]
Kuliah 5- 39
+
-
Vπ2 Cπ
Cµ
rogmVπ2rπ
rx B2’B2
Vc2
+
-
Vπ1 Cπ
Cµ
rogmVπ1rπ
rx B1’B1
E
Vc1+
-
VS+
-
Vo
+
-
Vπ Cπ
Cµ
rogmVπrπ
rx B1’B1
+
-Vπ Cπ
Cµ
rogmVπrπ
rx B2’B2
Vc2
Vc1+
-
VS+
-
Vo
Vo≈-gmRC(2Vπ)
+
Cµ
rogmVπ
rx B1’B1
-
2Vπ Cπ/2
Cµ
ro
2rπ
rx B2’B2
Vc2
Vc1+
-
VS+
-
Iµ1
Iµ2
+
rx B1’B1
-2Vπ Cπ/22rπ
rx B2’B2
+
-
VS gmroCµ/2
Kuliah 5- 40Efek resistansi emitter pada respons frekuemsi
VCC
RC
+
-
VS/2
Vo/2
+
-
+
-
Vπ cπ
cµ
rogmVπrπ
rx B’B
E
+
-
VS
RS
RE
+
-
Vo/2
+
-
Vπ cπ
cµ
rogmVπrπ
rx B’B
E
RS
RE
+
-
Vπ cπ
cµ
rogmVπrπ
rx B’B
E
RS
RE
A0 = −− +1( ) re + RE( )
Rs / 2 + rx + + 1( ) re + RE( )RC
re + RE
R = r //RS
' + RE
1+ gm RE
R = RC +1+ RE / re + gm RC
1/ r + 1/ RS'( ) 1+ RE / re( )
H ≈ 1R C + R C
Kuliah 5- 41Variasi CMRR menurut frekuensi
VCC
RC
VCM
2R
RS
VoCM
C/2 I/2
fZ = 12 2R( ) C / 2( )
= 12 RC
ACM log
Ad log
CMRR log
f log
f log
f log
fZ
fZ
fZ
fH
fH
fH
Kuliah 5- 42Wideband Amplifier - konfigurasi CC CB
VCC
I
RC
+
-
Vi
Vo
+
-
+
-
Vπ2 cπ
cµ
gmVπ2rπ
+
-
Vπ1 cπ
cµ
gmVπ1rπ
B1
E
+
-
ViRS
Vo
RCB2
+
-
Vπ Cπ/2 CµgmVπ2rπ
+
-
Vi
RSVoRC
+
-
Cµ
Vo
Vi
=RC
2re
Penguatan DC dan frekuensi rendah
Frekuensi pole:
fP1 = 1
2 RS // 2r( ) C / 2 + C( )
fP2 = 12 RCC