IGBT-modules F4-50R07W1H3 B11A EasyPACK module and ...
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テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
F4-50R07W1H3_B11AIGBT-モジュールIGBT-modules
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dateofpublication:2014-03-05revision:3.0 ULapproved(E83335)
EasyPACKモジュールandPressFIT/NTCサーミスタEasyPACKmoduleandPressFIT/NTC
J
VCES = 650VIC nom = 25A / ICRM = 50A
一般応用 TypicalApplications• •車載用アプリケーション AutomotiveApplications• •高周波スイッチングアプリケーション HighFrequencySwitchingApplication• •ja DC/DCconverter• •スタティックインバーター AuxiliaryInverters• •ハイブリッド自動車 HybridElectricalVehicles(H)EV• •誘導加熱 and 溶接 InductiveHeatingandWelding
電気的特性 ElectricalFeatures• •650Vに増加したブロッキング電圧 Increasedblockingvoltagecapabilityto650V• •高速IGBTH3 HighSpeedIGBTH3• •低インダクタンスデザイン Lowinductivedesign• •低スイッチング損失 LowSwitchingLosses• •低VCEsat飽和電圧 LowVCEsat
機械的特性 MechanicalFeatures• •2.5kVAC1分 絶縁耐圧 2.5kVAC1minInsulation• •長い縁面/空間距離 HighCreepageandClearanceDistances• •PressFIT接合技術 PressFITContactTechnology• •RoHS対応 RoHScompliant• •固定用クランプによる強固なマウンティング Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCodeBarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23
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F4-50R07W1H3_B11AIGBT-モジュールIGBT-modules
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IGBT- インバータ/IGBT,Inverter最大定格/MaximumRatedValuesコレクタ・エミッタ間電圧Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 650 V
コレクタ電流Implementedcollectorcurrent ICN 50 A
連続DCコレクタ電流ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 130°C, Tvj max = 175°CTC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC 25
55 AA
繰り返しピークコレクタ電流Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 100 A
トータル損失Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 175°C Ptot 200 W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧Collector-emittersaturationvoltage
IC = 25 A, VGE = 15 VIC = 25 A, VGE = 15 VIC = 25 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,501,551,60
1,85 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧Gatethresholdvoltage IC = 0,80 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 4,9 5,8 6,5 V
ゲート電荷量Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,50 µC
内蔵ゲート抵抗Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
入力容量Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 3,25 nF
帰還容量Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,09 nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 0,05 mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGon = 6,8 Ω
td on0,020,020,02
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
ターンオン上昇時間(誘導負荷)Risetime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGon = 6,8 Ω
tr0,010,0110,012
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGoff = 6,8 Ω
td off0,150,180,19
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
ターンオフ下降時間(誘導負荷)Falltime,inductiveload
IC = 25 A, VCE = 300 VVGE = ±15 VRGoff = 6,8 Ω
tf0,0070,0110,013
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失Turn-onenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 300 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, di/dt = 2300 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 6,8 Ω
Eon
0,210,320,35
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
ターンオフスイッチング損失Turn-offenergylossperpulse
IC = 25 A, VCE = 300 V, LS = 25 nHVGE = ±15 V, du/dt = 4800 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 6,8 Ω
Eoff
0,220,350,38
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
短絡電流SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 280 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 4 µs,
ジャンクション・ケース間熱抵抗Thermalresistance,junctiontocase IGBT部(1素子当り)/perIGBT RthJC 0,60 0,75 K/W
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ケース・ヒートシンク間熱抵抗Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBTλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,75 K/W
動作温度Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Diode、インバータ/Diode,Inverter最大定格/MaximumRatedValuesピーク繰返し逆電圧Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V
連続DC電流ContinuousDCforwardcurrent IF 25 A
ピーク繰返し順電流Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 50 A
電流二乗時間積I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C I²t 50,0 A²s
電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
順電圧Forwardvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 VIF = 25 A, VGE = 0 VIF = 25 A, VGE = 0 V
VF
1,651,601,55
2,15 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
ピーク逆回復電流Peakreverserecoverycurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V
IRM
35,040,041,0
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
逆回復電荷量Recoveredcharge
IF = 25 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V
Qr
0,961,601,75
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
逆回復損失Reverserecoveryenergy
IF = 25 A, - diF/dt = 2300 A/µs (Tvj=150°C)VR = 300 VVGE = -15 V
Erec
0,210,350,39
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
ジャンクション・ケース間熱抵抗Thermalresistance,junctiontocase /Diode(1素子当り)/perdiode RthJC 1,25 1,45 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiodeλPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,95 K/W
動作温度Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max.
定格抵抗値Ratedresistance TC = 25°C R25 5,00 kΩ
R100の偏差DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
損失Powerdissipation TC = 25°C P25 20,0 mW
B-定数B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-定数B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-定数B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
適切なアプリケーションノートによる仕様Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
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モジュール/Module絶縁耐圧Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
内部絶縁Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)basicinsulation(class1,IEC61140) impr.Al2O3
沿面距離Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 11,5
6,3 mm
空間距離Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 10,0
5,0 mm
相対トラッキング指数Comperativetrackingindex CTI > 200
min. typ. max.
内部インダクタンスStrayinductancemodule LsCE 15 nH
パワーターミナル・チップ間抵抗Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch RCC'+EE' 5,50 mΩ
保存温度Storagetemperature Tstg -40 125 °C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Federmountig force per clamp F 20 - 50 N
質量Weight G 24 g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin.VGE muss im Kurzschluss auf 15V begrenzt werden (z.B. Klemmschaltung).VGE has to be limited to 15V during shortcircuit (e.g. clamping).
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出力特性IGBT- インバータ(Typical)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50Tvj = -40°CTvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
出力特性IGBT- インバータ(Typical)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,00
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100VGE = 9VVGE = 11VVGE = 13VVGE = 15VVGE = 17V
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
IC [A
]
5 6 7 8 9 10 11 120
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=6.8Ω,RGoff=6.8Ω,VCE=300V
IC [A]
E [m
J]
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 500,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8Eon, Tvj = 25°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 25°CEoff, Tvj = 150°C
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スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=25A,VCE=300V
RG [Ω]
E [m
J]
0 2 4 6 8 10 12 140,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8Eon, Tvj = 25°CEon, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 25°CEoff, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 150°C
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータtransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,1
1
10ZthJH : IGBT
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,050,0005
20,150,005
30,350,05
40,80,2
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=6.8Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0 100 200 300 400 500 600 7000
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110IC, ModulIC, Chip
容量特性IGBT- インバータ(Typical)capacitycharcteristicIGBT,Inverter(typical)C=f(VCE)VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz
VCE [V]
C [pF
]
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 50010
100
1000
10000
Cies
Coes
Cres
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ゲート充電特性IGBT- インバータ(典型)gatechargecharacteristicIGBT,Inverter(typical)VGE=f(QG)IC=25A,Tvj=25°C
QG [µC]
VG
E [V
]
0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5-15
-13
-11
-9
-7
-5
-3
-1
1
3
5
7
9
11
13
15VCC = 120VVCC = 480V
順電圧特性Diode、インバータ(typical)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50Tvj = -40°CTvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=6.8Ω,VCE=300V
IF [A]
E [m
J]
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45 500,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6Erec, Tvj = 25°CErec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=25A,VCE=300V
RG [Ω]
E [m
J]
0 2 4 6 8 10 12 140,0
0,1
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6Erec, Tvj = 25°CErec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
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過渡熱インピーダンスDiode、インバータtransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,1
1
10ZthJH : Diode
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,20,0005
20,60,005
30,90,05
40,50,2
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)
TC [°C]
R[Ω
]
0 20 40 60 80 100 120 140 160100
1000
10000
100000Rtyp
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回路図/circuit_diagram_headline
J
パッケージ概要/packageoutlines
´´
´ ´
FxxxRxxW1 xxEasyPIM
Infineon GYYWW
TM
10
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この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
利用規約このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。このデータシートには、保証されている特性が記述されております。その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。
追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスにお問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照)製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。ー リスク 及び 品質の評価ー 品質契約ー アプリケーションの共同評価上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。
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