FIRB Project Microdevices in Lithium Niobate –UdR UNIPV UdR UNIPV Personale coinvolto P....
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FIRB Project Microdevices in Lithium Niobate –UdR UNIPV
UdR UNIPV
Personale coinvolto
P. Galinetto, D. Grando, M.C. Mozzati, F. Rossella, C.B. Azzoni, E. Giulotto, G. Samoggia
Risorse cofin: 118 k€
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WP1 957 k€
WP2 1.067 k€
WP4 1.228 k€
WP3 772 k€
dispositivi
UdR UNIPV
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UdR WP n.1 WP n.2 WP n.3 WP n.4 TOTALE
INOA 372.042 503.132 875.174
IMM –CNR 382.920 382.920
UNIPVUNIPV 160.41160.4177
266.000266.000 426.417426.417
AVANEX 134.715 167.832 704.302 1.006.849
Ist. CIB – CNR 250.000 250.000 400.000 89.367 989.367
UNIPD 412.273 412.273
957.405 1.066.752 772.042 1.296.801 4.093.000
24.2%
9.36%10.1%10.4%
24.6%
21.4%
INOA AVANEX UNIPV UNIPD IMM-CNR IdC-CNR
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Presenza Unipv nel progetto
WP1 Attività 4 Caratterizzazione del materiale
Attività 2
Attività 3
Attività 4
WP2 Studio dei fenomeni di trasporto
e localizzazione di carica generata
per irraggiamento ottico in sistemi
ABO3 eventualmente drogati e degli
effetti di tale irraggiamento sulle
proprietà ottiche lineari e nonlineari
Studio della fattibilità di strutture periodiche 1D, 2D e 3D, di guide d’onda e microstrutture in genere su substrati cristallini di LiNbO3 o altri ossidi ferroelettrici mediante irraggiamento laser al femtosecondo nella zona spettrale di trasparenza
Caratterizzazione delle proprietà strutturali, ottiche ed
elettroniche di substrati di LiNbO3 per la valutazione degli effetti dell’irraggiamento con impulsi ultracorti
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Scienza dei Materiali
Fotonica Dispositivi
Opportuni droganti per le finalità ricercate (ad es. LiNbO3 ridurre il danneggiamento ottico cioè diminuire effetto fotorifrattivo o esaltare per fare immagazzinamento ottico)
Realizzazione di micro e nanostrutture per la fotonica
Perchè attività di ricerca?
stabilità strutturale,stabilità chimicacapacità di supportare il trasferimento di carica tra stati di difettocoefficienti elettro-ottici elevati
Richiesta di migliori qualità del materiale
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Crystal xC [mol%Li2O]
nominal
xC, [mol%Li2O]
-Raman
1* LNC 48.60 48.60
2 LN49.64 49.64 49.64 ± 0.03
3 LN49.70 49.70 49.70 ± 0.01
4 LN49.76 49.76 49.52 ± 0.04
5 LN49.35 49.35 49.35 ± 0.03
6 LN49.30 Not known 49.30 ± 0.01
7 LN49.50 Not known 49.08 ± 0.50
8* LN49.80 50.00 49.82 ± 0.01
The stoichiometry ratio of the investigated samples was measured
by evaluating the linewidth of different Raman modes (like E-type
mode at 870 cm-1). The obtained stoichiometry ratio was compared
with the nominal one.
850 875 900N
orm
aliz
ed
Ra
ma
n in
ten
sity
Raman shift (cm-1)
LN49.80 LN49.76 LN49.70 LN49.64 LN49.35 LN49.30
*Commercial samples
CLN SLN crystal samples
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rc, r13 and r33 versus the stoichiometry ratio
48.5 49.0 49.5 50.0
18
19
20
21
22
r c [p
m/V
]
LiO2 [mol%]
rc measured through an ellipsometric technique. The continuous line is a guide to the eye.
r33 and r13 measured through an interferometric technique
48.5 49.0 49.5 50.0
10
30
35
r33
r13
EO
coe
ffici
ent [
pm/V
]LiO
2 [mol%]
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Comparison of the EO results
48.4 48.8 49.2 49.6 50.0
18
19
20
21
22 r
c measured
rc evaluated through r
33 and r
13
r c [p
m/V
]
LiO2 [mol%]
The rc coefficients measured
through the ellipsometric technique are compared to the ones calculated from the relation rc=r33-(no/ne)3r13
The value of r33 and r13 were
measured through the interferometric technique and the ordinary and extraordinary refractive indices as a function of the composition were taken as in U. Schlarb and K. Betzler, JAP, 73 (1993) 3472.
The dotted line is a guide to the eye.
The measured and calculated EO coefficients are in agreement within the experimental error.
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Er doped LN crystals from uniPD0.3 % z-cut d=1.16mm (spacing between electrodes)
l= 2.72mm (propagation length)
0.5 % z-cut d=1.18mm l= 3.50mm
r in pm/V ± 5%, =633nm; * Commercial sample
Er% rT13 rT
33 rTc= rT
33-(no/ne)3rT13
0.0* 31 9.5 21
0.3 23 7.0 10
0.5 28 8.4 19
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0 20 40 60 80 1009
10
11
12
= 1 cm-1
FWH
M (
cm-1)
depth ()0 2000 4000 6000 8000 10000
9.0
9.5
10.0
10.5
11.0
11.5
12.0
FWH
M (
cm-1)
spot position at 10 m depth (m)
Scan at 10 microns depth in a 10 mm
long plate
Depth profile
Li/Nb changes ~0.08 %
Good homogeneity of Li/Nb ratio (changes ≤ 0.3 cm-1)
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Wafering and stress release (CLN, Z-cut)
Monitoring of the peak position @ 870cm-1 as a function of depth:
surface stress due to slicing surface damage removal by
etching check on the domian
selectivity of the etching process on +z/-z surfaces
0 200 400 600 800 10000.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
Inte
nsi
ty (
arb
.un
its)
Raman Shift (cm-1)
Saes Getters S.p.A.Saes Getters S.p.A.Photonic Materials LaboratoryPhotonic Materials Laboratory
Lainate-Milano – ItalyLainate-Milano – ItalyUniversity of PaviaUniversity of Pavia
Physics Department “A. Volta” – Physics Department “A. Volta” – Pavia – ItalyPavia – Italy
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1 2 3 4
0.5
1.0
1.5
SFeCMF
CpCFe
CFe5%
Opt
ical
den
sity
energy (eV)
Optical absorptionOptical absorption
0 2000 4000 6000 8000
x0.2
x10
x20
CMg
CFM
Cp
CFe
Sp
SFe
Der
ivat
ive
EP
R S
ign
als
(arb
. un
.)
B (G)
B c-axisB c-axis
EPREPR
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Hafnium-Doped Lithium Niobate Crystals
Saturation value ns versus HfO2 concentration for congruent LN crystals, measured at a 532-nm beam intensity of 310 W/cm2 b
It was recently reported that Hf:LN exhibits a significant reduction of the photorefractive behaviour at HfO2
concentrations above 4 mol%.a
STRUCTURAL
+
OPTICAL
+
TRANSPORT
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120 130 140 150 160 170 180
1
2
Inte
nsi
ty (
arb
.un
its)
Raman Shift (cm-1 )
Hf 3%
Hf 2% Hf 4% Hf 5% Hf 8% Hf 11%
E(TO) (150cm-1) mode xc= ([Li]/[Li]+[Nb]) structural disorder
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
11
12
13
14
15
16
152(c
m-1
)
Hf (% mol)
microRaman characterization
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- r33 (open circles)
- r13 (full circles)
0 1 2 3 4 5 6 7 8
10
30
35
EO
co
eff
icie
nt
[pm
/V]
Hf2O [mol%]
origin of increased PR damage resistance?
= reff EZ
ryellipsomet13
3
33 rn
nrr
e
oc
etryinterferomijrr
- Measured rc (open circles)
- Calculated rc (full circles)
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n vs Hf concentration
Threshold at 4mol% Hf
0 2 4 6 80,0
5,0x10-5
1,0x10-4
1,5x10-4
2,0x10-4
0,0
5,0x10-11
1,0x10-10
1,5x10-10
2,0x10-10
n
Hf Concentration [mol %]
Ph
oto
con
du
ctiv
ity
origin of increased PR damage resistance?
= reff EZ
0 10 200.0
0.5
1.0
1.5
n
(a
.u.)
time (s)
δΔn
time (s)
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Comparison: optical and electrical measurements
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Esperimenti di femtoscrittura
(oscillatore Ti:Zaffiro: 25 nJ-130 fs-82 MHz)
Sistema laser 2: alta energia e più bassa frequenza di ripetizione
(Ti: Zaffiro amplificato:1 mJ-130 fs-1 kHz)
Sistema laser 1: bassa energia e alta frequenza di ripetizione
Campioni: substrati di Niobato di Litio commerciali
Carattrerizzazione: microscopia ottica in situ,
microscopia ottica e Raman a posteriori
t = 12 ns
t = 1msLunghezza d’onda 810nm
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Riepilogo dei risultati ottenuti danneggiamento e/o variazioni d’indice di rifrazione sia in superficie che in profondità con entrambi i sistemi laser
Sistema laser 1: variazioni locali d’indice e di birifrangenza per accumulazione di cariche attraverso l’effetto fotorifrattivo
– transizione adiabatica tra regioni integre e regioni danneggiate
– ridotto controllo delle dimensioni delle strutture formate
Sistema laser 2: ablazione superficiale e variazioni d’indice di rifrazione in profondità
– transizione netta tra regioni integre e regioni danneggiate
– lavorazioni sia superificiali che in profondità con ottimo controllo delle dimensioni
![Page 21: FIRB Project Microdevices in Lithium Niobate –UdR UNIPV UdR UNIPV Personale coinvolto P. Galinetto, D. Grando, M.C. Mozzati, F. Rossella, C.B. Azzoni,](https://reader036.fdocuments.us/reader036/viewer/2022062701/5542eb6a497959361e8d6763/html5/thumbnails/21.jpg)
Sistema laser 1: formazione di micro-strutture d’ indice di rifrazione superficiali
30 m
Modifica d’indice di rifrazione:
birifrangenza fotoindotta rivelata al microscopio polarizzatore
Strutture dell’ordine della decina di m
La forma e la dinamica della strutture sono consistenti con la formazione di un campo di carica spaziale e le proprietà fotorifrattive del cristallo
La forma a farfalla delle strutture è riprodotta da un semplice modello della distribuzione di carica spaziale. L’orientazione degli assi cristallini fissa la direzione del piano nodale
![Page 22: FIRB Project Microdevices in Lithium Niobate –UdR UNIPV UdR UNIPV Personale coinvolto P. Galinetto, D. Grando, M.C. Mozzati, F. Rossella, C.B. Azzoni,](https://reader036.fdocuments.us/reader036/viewer/2022062701/5542eb6a497959361e8d6763/html5/thumbnails/22.jpg)
c
Sistema laser 1: formazione di micro-strutture d’ indice di rifrazione superficiali
Anche la dinamica della formazione delle strutture è consistente con l’innesco di effetti fotorifrattivi
I tempi di risposta sono dell’ordine dei secondi
![Page 23: FIRB Project Microdevices in Lithium Niobate –UdR UNIPV UdR UNIPV Personale coinvolto P. Galinetto, D. Grando, M.C. Mozzati, F. Rossella, C.B. Azzoni,](https://reader036.fdocuments.us/reader036/viewer/2022062701/5542eb6a497959361e8d6763/html5/thumbnails/23.jpg)
Sistema laser 1: formazione di micro-strutture d’indice di rifrazione in profondità
scrittura a fascio fisso e bersaglio mobile
Velocità di traslazione 1 mm/s
Energia per impulso 5.7 nJ
Profondità del piano focale 200mm
Larghezza della striscia circa 10 mm
Possibilità di impilare le micro-strutture in profondità, ma basso contrasto d’indice e difficile controllo dell’omogeneità
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Sistema laser 2: formazione di micro-fori
Fotografia di micro-fori spaziati di 10±1.5 m ottenuti con impulsi di uguale energia 0.5 J e tempi di esposizione crescenti da sinistra (1/250, 1/100, 1/50, 1/10, 1/5,1/2, 1 s)
Le dimensioni dei micro-fori dipendono maggiormente dall’energia per impulso che dal tempo di esposizione, ossia l’energia totale depositata nel mezzo. Ciò suggerisce che la formazione dei fori sia innescata per effetti di assorbimento a più fotoni
10 m
Andamento delle dimensioni dei micro-fori in funzione dell’energia dell’impulso
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Sistema laser 2: definizione di reticoli superficiali
Passo del reticolo 3 mm e
dimensioni 100 mm x 102
mm.
m = 0
m = +1
m = -1
m = -2
m = -3
LN substrate with the surface grating
Efficienza al 1° ordine di diffrazione del 10% circa a 632 nm
efficienza dell’m-esimo ordine di diffrazione = Im/I0 con I0,n intensità luminosa all’ordine 0 e all’ordine n-esimo
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Sistema laser 2: guide d’onda sepolte
scrittura a fascio fisso e bersaglio mobile
Velocità di traslazione 100 m/s
Energia per impulso 0.3 J
Profondità del piano focale 200m
Spaziatura tra le strisce 20 m
Rivelabili al microscopio ottico e a contrasto di fase, non al microscopio confocale
Omogeneità e salto d’indice in corso di caratterizzazione
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Altri materiali
• LiTaO3 – cLT, sLT
• KLTN – K1-xLixTa1-yNbyO3
• BCT – Ba0.77Ca0.23TiO3
• BTN-Ba6Ti2Nb8O30, BZT-Ba6Zr2Ta8O30 , manganiti
• Materiali multiferroici
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Problemi
Accidentali:
- Rivelatore CCD microRaman
- Diodi Laser per ft-laser
- Allagamento lab DFAV
Strutturali:
-Tempo per ricerca !
-Assestamento gruppo e stabilizzazione personale
Scientifici
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38 lavori su riviste internazionali
8 congressi nazionali
14 congressi internazionali
5 tesi di laurea
1 tesi di dottorato
Realizzazione sito Web http:\\labraman.unipv.it
Beni strumentali 160 k€
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