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UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO

UNIVERSIDAD NACIONAL DE

CHIMBORAZO

FACULTAD DE INGENIERÍAESCUELA DE ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONES SÍLABO DE

LA CÁTEDRA ELECTRONICA Y LABORATORIO

PROFESOR: ING. GIOVANNY CUZCO

PERIODO LECTIVO: 2012 2013

SEMESTRES

SÍLABO DE ELECTRONICA Y LABORATORIO


INSTITUCIÓN: UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO FACULTAD: INGENIERÍANOMBRE DE LA CARRERA: ELECTRONICA Y TELECOMUNICACIONESAÑO O SEMESTRE: SEMESTRENOMBRE DE LA MATERIA: ELECTRONICA Y LABORATORIO CÓDIGO DE LA MATERIA: EET42 +EET43

NÚMERO DE CRÉDITOS TEÓRICOS: 4 = 54 HORAS = 3.375 CRÉDITOS NÚMERO DE CRÉDITOS PRÁCTICOS: 3 = 54 HORAS = 3.375 CRÉDITOS

DESCRIPCIÓN DEL CURSO

El curso de electrónica, cubre la teoría básica de los semiconductores, concepto de uniones pn, tipos de diodos y sus aplicaciones, análisis y diseño de circuitos con diodos, transistores bipolares de unión y de efecto de campo, sistemas amplificadores de pequeña señal y de potencia, porque su estudio permite conocer, comprender y aplicar estos conocimientos en el diseño de circuitos electrónicos del futuro profesional.

PRERREQUISITOS

EET27 CIRCUITOS ELECTRICOS I

CORREQUISITOS

CIRCUITOS ELECTRICOS II

OBJETIVOS DEL CURSO

Conocer las diferentes aplicaciones de los distintos tipos de diodos.

Diseñar puntos de operación en CD de los transistores BJT.

Diseñar puntos de operación en CD de los transistores FET.

Conocer modelo hibrido, re del transistor y Calcular parámetros Zi,Zo,Av,Ai,Ap.Diseñar amplificadores de pequeña señal con transistores BJT utilizando las distintas


UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZOconfiguraciones existentes tanto con parámetros h como con parámetros re.

Diseñar los amplificadores de pequeña señal para los transistores JFET y MOSFET en las

distintas configuraciones utilizando el circuito equivalente del transistor.

Conocer la respuesta de los amplificadores multietapa a alta y baja frecuencia

Conocer las diferentes clases de amplificadores de potencia



CONTENIDOS – TEMAS (Que debe saber)

No DE

HORAS/ SEMANAS

RESULTADOS DEL

APRENDIZAJE (Qué debe ser capaz de hacer)

EVIDENCIAS DE LO APRENDIDO

1-1 El diodo ideal1-2 Análisis mediante

la recta de carga1-3 Aproximaciones

de diodos1-4 Configuraciones

de diodos en serie, paralelo y serie-paralelo conentradas DC

1-5 Rectificación de Media Onda, Onda completa

1-6 Diodos especiales, Zener, varactores, ópticos, Schottky, Túnel, Pin y laser

1-7 Circuitos recortadores y cambiadores de nivel

1-8 Aplicaciones con diodos

36/1-2

Conoce las distintas configuracione s de Diodos. Conoce las distintas aplicacionesde diodos

especiales Diseña circuitos rectificadoresy cambiadores

de nivel

Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra

que conoceny diseñan

circuitos con diodos (Guardar

los trabajos).

TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS Robert


UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZOL. Boylestad. Cap1,2 Pag 1- 110.

Práctica Encendido de 3 Leds con una resistenciaPractica Encendido de 3 Leds con 3 resistenciaPráctica Cambiador de nivel

36/1-2

Calcular los valores de resistencia.Diseñar el cambiador de nivel

Trabajos que demuestran calculan y diseñan (informes y respaldos en discos ópticos)

TRABAJO DE INVESTIGACIÓN



U

NI

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D

2 (

T

R

A

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S

T

O

R

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S

D

E

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L

A

R


No DE

HORAS/ SEMANAS

RESULTADOS DEL





2-1 Construcciónde transistores

2-2 Operación de los transistores

2-3 Configuracionesde transistores

2-4 Parámetros y rangos

de operación delos transistores

2-5 El transistorcomo interruptor

2-6 Punto de operación en

CD2-7 Polarizaciones

de transistores2-8 Operaciones

de diseño

36/3-4

Conoce las distintas configuracione s de los Transistores BJTCalcula Punto de operación Diseña el Punto Q de operación

Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que conoce, calcula y diseña punto de operación en DC de transistores BJT. (Guardar los trabajos).

Simular la polarización de Transistor

36/3-4 Diseña y Simula

Trabajos que demuestran el cálculo de punto Q de operación. (informes y respaldos en discos



ópticos)




UNIDAD 3 ( TRANSISTORES DE EFECTO

DE CAMPO)


No DE

HORAS/ SEMANAS

RESULTADOS DEL



3-1 Operación y Construcción de los JFET

3-2 Operación y Construcción de MOSFET

3-3 ConfiguraciónPolarización de

JFET

3-4 ConfiguraciónPolarización de

MOSFET

3-5 FET como interruptor

3-6 Operaciones de diseño

36/5-6

Conoce las distintas configuraciones de los Transistores JFET y MOSFET Calcula Punto de operaciónDiseña el Punto Qde operación

Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que conoce, calcula y diseña punto de operación en DC de transistores JFET y MOSFET. (Guardar los trabajos).



Simular la polarización de Transistor


Trabajos que demuestran el cálculo de punto Q de operación. (Informes y respaldos en discos ópticos).




UNIDAD 4 ( MODELAJE DE TRANSISTORES

BIPOLARES)


No DE

HORAS/

SEMANAS

RESULTADOS DEL

APRENDIZAJE (Qué debe

ser capaz de hacer)EVIDENCIAS

DE LO APRENDIDO

4-1 Amplificación en el dominio de AC.

4-2 Modelaje de transistores

BJT.4-3 Los

parámetros importantes: Zi, Zo, Av, Ai, Ap.

4-4 El modelo re de transistores.

4-5 El Modelo híbrido equivalente.

4-6 Determinación gráfica de los parámetros h.

4-7 Variaciones de los parámetros de transistores.

36/6-9

Conoce modelo hibrido, re del transistor

Calcula parámetrosZi,Zo,Av,Ai,Ap

Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que conocen los modelos hibrido, re, y calculan Zi, Zo, Av, Ai, Ap (Guardar los trabajos).



Diseñar , Calcular los parámetros importantes con Av y Simular el circuito


Trabajos que demuestran el cálculo de punto Q de operación. (Informes y respaldos en discos ópticos).




UNIDAD 5 ( ANÁLISIS DE PEQUEÑA SEÑAL

DEL TRANSISTOR BIPOLAR)


No DE

HORAS/

SEMANAS

RESULTADOS DEL



DE LO APRENDIDO

5-1 Configuración de emisor común con polarización fija

5-2 Polarización mediante divisor de voltaje

5-3 Configuración de emisor común con polarización en emisor

5-4 Configuración emisor –

seguidor5-5 Configuración de base

común5-6 Configuración con

retroalimentación en colector y dc en colector

5-7 Circuito equivalente híbrido aproximado yhíbrido completo

5-8 Efectos de Rs y RL en los amplificadores de pequeña señal

5-9 Amplificadores

Multietapa5-10 Diseño

de amplificadores de pequeña señal

36/9-11

Conoce las diferentes configuraciones aplicadas a pequeñas señalesDiseñaamplificadores de pequeña señal

Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra

que diseñan amplificadores

Multietapa (Guardar los

trabajos).



Diseñar y simular circuito multietapa con AV dada.

36/9-11 Diseña y simula

Trabajos que demuestran el diseño de amplificadoresmultietapa. (Informes y respaldos en discos ópticos).

TRABAJO DE INV ESTIGACIÓN



UNIDAD 6 ( ANÁLISIS DE PEQUEÑA SEÑAL

DEL JFET)


No DE

HORAS/

SEMANAS

RESULTADOS DEL



DE LO APRENDIDO

6-1 Modelo de pequeña señal del FET

6-2 Configuración de polarización fija, autopolarización,divisor de voltaje para elJFET

6-3 Configuración Fuente – Seguidor (Drenaje común) y compuerta común para el JFET

6-4 MOSFET detipo

Decremental.6-5 MOSFET de

tipoIncremental

6-6 Configuración de retroalimentación en drenaje y divisor de voltaje para el MOSFET

6-7 Efectos de Rs y RL en los amplificadores de pequeña señal

6-8 AmplificadoresMultietapa.

6-9 Diseño de redes con amplificador FET

36/11-14

Conoce las diferentes configuraciones aplicadas a pequeñas señalesDiseñaamplificadores de pequeña señal

Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que diseñan amplificadoresMultietapa (Guardar los trabajos).



Diseñar y simular circuito multietapa con AV dada.


Trabajos que demuestran el diseño de amplificadoresmultietapa. (Informes y respaldos en discos ópticos).




UNIDAD 7 (RESPUESTA EN FRECUENCIA DE

TRANSISTORES BJT Y JFET)


No DE

HORAS/

SEMANAS

RESULTADOS DEL



DE LO APRENDIDO

7-1 Logaritmos y decibeles7-2 Consideraciones

generales sobre la frecuencia

7-3 Análisis a baja frecuencia, gráfica de Bode

7-4 Respuesta abaja

frecuencia, amplificadorBJT y FET

7-5 Capacitancia de efecto

Millar7-6 Respuesta a alta

frecuencia, amplificador BJT Y FET

7-7 Efectos de frecuencia en

Multietapas

36/11-14

Conoce la respuesta a alta y baja frecuencia de amplificadores de BJT y FETConoce los efectos de frecuencia en amplificadores multietapa

Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que el estudiante conoce los efectos amplificadores Multietapa (Guardar los trabajos).

Diseñe y simule un amplificador multietapa y analice sus efectos a alta y


Trabajos que demuestran los efectos de baja y alta frecuencia. (Informes y



baja frecuencia respaldos en discos ópticos).




UNIDAD 8 ( AMPLIFICADORES DE

POTENCIA)


No DE

HORAS/

SEMANAS

RESULTADOS DEL



DE LO APRENDIDO

8-1 Introducción:definiciones y tipos de amplificadores

8-2 Amplificador claseA

alimentado en serie8-3 Amplificador acoplado

con transformador clase A

8-4 Operación del amplificador clase B

8-5 Circuitos de amplificador clase B

8-6 Distorsión del amplificador

8-7 Disipación de calor del transistor de potencia

8-8 Amplificadores clase C

y clase D

36/12-15

Conoce los distintas clases de amplificadores de potencia.

Trabajos de los estudiantes en los que se demuestra que el estudiante conoce los amplificadores de Potencia (Guardar los trabajos).

Diseñar y simular un amplificador de potencia

36/15-18Diseña y Simula

Trabajos que demuestran que diseñan amplificadores de potencia. (Informes



y respaldos en discos ópticos).




CONTRIBUCIÓN DEL CURSO EN LA FORMACIÓN DEL PROFESIONALLa asignatura de Electrónica y Laboratorio aporta con el conocimiento de dispositivos electrónicos y el diseño de amplificadores de pequeña señal para aplicaciones que se

presentan en la carrera de Ingeniería en Electrónica y telecomunicaciones

RELACIÓN DEL CURSO CON EL CRITERIO RESULTADO DE APRENDIZAJE.La asignatura contribuye para que el estudiante tenga una conocimientos, basada en el análisis

y en el desarrollo de habilidades y destrezas para solucionar el Diseño circuitos electrónicos.

ASPECTOS DE CONDUCTA Y COMPORTAMIENTO ETICOSe exige puntualidad, no se permitirá el ingreso de los estudiantes con retrasoLa copia de exámenes será severamente castigada. Art. 207 literal g. Sanciones (b) de laLOESRespeto en las relaciones docente-estudiante y alumno-alumno. Art. 86 de la LOESEn los trabajos se debe incluir las citas y referencias de los autores consultados, usando las normas APA. El plagio puede dar motivo a valorar con cero el respectivo trabajo.No se receptarán trabajos o deberes u otro fuero de la fecha prevista, salvo justificación debidamente aprobada.

BIBLIOGRAFÍA

Robert L. Boylestad, Louis Nashelsky TEORÍA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRONICOS, Décima Edición, 2009, Prentice Hall

BIBLIOGRAFÍA COMPLEMENTARIA

Floy Thomas DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS, Octava Edición, 2008,PEARSON.

LECTURAS RECOMENDADASC. J. Savant Jr, Martin S. Roden, Gordon, Diseño Electronico, 3ª Edición, 2000 Editorial Prentice-Hall


UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZORESPONSABLE DE LA ELABORACIÓN DEL

SILABO Ing. Giovanny Cuzco

FECHA Abril 2013


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