UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAOFAcULTAD DE tNGENtERín rlÉcrRtcA y ELECTRó¡¡¡cnESCUELA PROFESIONAL DE IrucenIenÍR ELECTRoNIcA

1. INFORMACION GENERAL

ASIGNATURA

ruúueno DE AstGNATURR

CODIGO

cRnRcrenPRE-REQUISITO

cRÉo¡losHoRAS rEoRi¡HOn¡S pRRCICRS

HORAS LABORATORIO

SEMESTRE

ouRRctótrr

PROFESOR

SILABO

: DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

.20: 180425

. OBLIGATORIO

: 140113,180323

:04: 03 Horas/Semana

: 00 HoradSemana

: 03 HoraslSemana

. 2011-8

. 17 Semanas

: lng. JORGE MOSCOSO SANGHEZ

2. SUMILLA

lntrodurción Básica a la Física del Estado Sólido. Mecanismos de conducción en los semiconductores. Distribución ycirculación de los portadores de carga en los semiconductores. Elecf'ónica fÍsica del diodo de unión pn. Análisis de circuitoscon diodos. Diodos de propésito espocífico. Transistor de juntura bipolar (BJI). Transis,tor de efecto de campo (FET).PolarizaciÓn de BJT, FET y Circuitos lntegrados. Tiristores y Disposiüvos Especiales. Dispositivos Optoelectónicos. Fuentesde Alimentación de Potencia dc: recüficación y filfado. Regulación de voltaje dc y contol de potencia ac.

3. OBJETIVOS

GENERALES Y ESPEC¡FICOS

Brindar a los alumnos los conocimientos de la Fisica del estado solido que proporcionan las bases fisicaspara una mejor conprensión de los d¡spositivos activos y de la circuitería elecbónica y su aplicación. Loque permitirá intoducirlo a la teoría y análisis de los circuitos elecbónicos discretos e integrados y susaplicaciones.

4. METODOLOGíA

Las clases de teoría se desanollarán en las aulas de clases, propiciándose el uso intensivo del cornputadorfuera de clases, con temas relacionados con la asignatura que posibiliten un óptimo uso de las horas nopresenciales. Empleándose la siguiente metodología:

. Se expondrá en forma gen&ica y en caso necesario en forma especifca el tema a batar.

' Se darán ejemplos complehmente analizacios y se plopondrán temas relacionados con la asignatura para que elalumno en sus horas no presenciales {debídamente dosificados) invesiiguen haciendo uso intensivo del compuhdor ydel lnternet y de otas fuentes biblioEáficas que cornplementarán los temas tatados en clases-

' Se propiciarán las exposiciones de trabajos grupales batados en sus horas no presenciale empleando los sistemasde multimedia y sofiware de actualidad. Y discutiéndose y analizando los temas expuestos.

5. CRITERIOS DE EVALUACION

La eyaluación del rendímiento de los alumnos es objetiva, en base al promedio de :

PP : Promedio de prácticas calificadas de aulaEPI : Nota del üamen Parcial

EPz . Nota del Examen Final

PFL . Promedio Final de Notas de Laboratorio

El Promedio Final ( PF) de la asignatura se calculará de la siguiente forma,

Pt = ( PP+EP qZEPz+PFL)|S

NOTA:

a) El alumno podrá rendir un examen sustítutorio, el que será único y abarcará toda la asignatura, cuya reemplazará a ianota mas baja de los exámenes parcial ( Epr) ó fnal (Epz).

b) La nota Mínima Aprobatoria de la asigafura 10.S

{.)

DEPARTAMEMTO ACADÉMEO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA Dts PostTtvos ELEcTRóNtcos

,cá,s

c) Un rubro muy importante para la evaluacón del alumno es la asistencia, puesto que con el 30% de inasisiencias el

alumno tendrá como calificativo NSp.

6. CONTENTDO ru'¡Al_ÍflCO SEMANAL

SEMANA No 01 lntoducción a la Fisica del Estado Sólido. Niveles de Energía. Ecuación de Schrodynger. Origen

de las bandas de energía. Mecanismos de conducción en los serniconductores : Metales y semiconductores.

concenhaciones de portadores. Recombinación y generación de portadores excedentarios. Transporte de la coniente

eléctica.

SEMANA No 02 Distibución de conducción en los serniconduciores lnfodurción. lnyección optica en una

región sin recombinación. Efecto de la recombinación sobre la circulacón. $emiconductores Eaduales y campos que

aparecen en ellos.

SEMANA No 03 Termistores ( NTCs y PTCs). RTD. Fotonesistencias (LDRs). Caracteristicas Gene¡ales.

Principio de Funcionamiento. Modelo y Aplicaciones.

SEMANA No 04 Práctica Calificada No 1

Elechónica física del diodo de unión : lnfoducción. La unión pn. Modelo físico para una unión pn, Comportamiento

dinái¡ico de la unión pn. Esfucturas del diodo de unión. Fotodiodos de unión. Circuitos y Modelm de diodos .

Modefos de diodo lineales a famos. Modelos incrementales de diodos y su análisrs, Circuitos equvalentes modelos del

diodo. Ejernplos y Aplicaciones.

SEIIANA No 05 Diodo Zener, características. Aplicaciones. Diodo Varactores. Diodo de Potencia. Diodo

Túnel. Modelo eléctico, características, acondicionamiento y aplicaciones. Análisis de Circuitos con diodos.

Rectifcación de Media Onda y 0nda Completa. Recortadores y Sujetadores. Diodo de cuato capas ( Shockley)

SEMANA No 06 Transistor de Juntura Bipolar (BJT): Los fansistors de unión como váMulas de

gobierno. Funcionamiento de un ,hansislor bipolar. Operación del tansstor bipolar. fución arnpliñcadora.

Configuraciones : Base Común Colbctor Común. Emisor Común. Valores Nominales y Maximm del tansistor.Palarización CD : BJT. PolarLación Fija. Punto de Operación. Circuito de Polarización. Factores que intervienen en la

selección del punto de tabajo. Circuito de polarización simple para emisor común. Circuito polarizador práctico para

emisor común. Recta de Carga en DC. Ejempios.

SEMANA No 07 Práctica Calilaada No 2

Determinación de parámetos incrementales: Descripciones de redes bipuerta. Medida de parámefm híbridos pí

Variación de los parárnehos hibridos pí con la tensión, la intensidad y la ternperatura. Parámehos para señales

débiles de los transislores. Fl Amplificador Operacional ldeal. Caracteristbas. Análisis de conllguraciones Básicas:

Cornparador. Configuración lnversora. Configuración No- lnversora. Ejem$os.

SEMANA No 08 Examen Parcial

SEMANA No 09 Transistor de Efecto de Campo (FET) : Descripción. Consfucción. GÉfcas. Factores que

intervienen en la selección del punto de tabajo. Región de funcionamiento permitida Redes polarizadoms para

tansistores de efecto de campo. Aplicaciones.

SEMANA No 10 Tiristores y Dispositivos Especiales. Tiristores, UJT. C.l. 555 Rectificación MonofásicaContolada - Media Onda- Carga Resistiva. Rectifcación Monofásica Onda Completa- Carga Resistiva. Ejernplos de

aplicación.

SEMANA No 11 Práctica Calilicada No 3

D|AC G.CS. SCS TRIAC. ; Operación Básica. Características. Ejemplos de Aplicación

SEMANANoI2 Díspositivos Optoelectrónicos: Fotonesistencias (LDRs). Fotodiodos. Fototransistores.Dispositvos de acoplamiento de carga (CCDs). Fotomultiplicadores. Fotoüristores. Sensores ópticos.0 PAMP. Tipos. Características. Aplicaciones.

SEMANA No 13 Fuentes de Alimentación de potencia dc : Transformador, Rectifcación, Filtro, Carga.SEMANA No 14 Regulación de Voltaje dc : Fuentes de Alimentación Regutadas

SEMANA No 15 Práctica Calrflcada No 4

Control de Potencia ac. Sistemas Básicos de Control de potencia.

SEMANA No 15 Examen Final

SEMANA tlo 17 Examen Sustitutono

7. PROGRAMASÓN DE LABORATORIOS

SEMANA 01 lntoducción

SEMANA02 EXPERIMENTO No 01

SEMANA 03 EXPERIMENT0 No 02

SEMAM 04 EXPERIMENTO No 03

: DlODO, CURVAS, CARACTERISTICAS

:D|ODO ZENER

:TMNSISTOR BIPOLAR

DEPARTAMENTO ACADÉMICO OE INGENIERíA ELECTRÓN¡CA DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS

I@

o

SEMANA 05 EXPERIMENTO No 04 : TMNSISTOR DE EFECTO DE CAMPO

SEMANA 06 EXPERIMENTO No 05 : EL AMPLIFICADOR OPERACIOIiIAL

SEMANA O 7 EXPERIMENTO NO 06 : FUENTE DE ALIMENTACIÓN N,IONOFÁSICA: RECTIFICACIÓN

SEMANA 08 EMMEN PARCIAL DE LABORATORIOSEMAM 09 EXPERIMENTO NO 06 : FUENTE DE ALIMENTACIÓN MONOFÁSICA: RECTIFICACIÓN

SEMAM 10 EXPERIMENTO NO 07 : DISPOSITIVO DE POTENCIA EL SCRSEMAM 11 EXPERIMENTO NO 08 : APLICACIÓN DEL UJT, SCR, DIAC Y TRIACSEMAM 12 EXPERIMENTO NO 09 : APLICACIÓN DEL UJT, SCR, DIAC Y TRIAC

SEMAM 13 EXPERIMENTO NO 10 : FUENTE DE ALiMENTACIÓN DC REGULADA

SEMAM 14 EXPERIMENTO NO 10 : FUENTE DE ALIMENTACIÓN DC REGULADA

SEMANA 15 EXAMEN FINAL DE LABOMTORIO

8. B¡BLIOGRAFÍA

a) Física del Estado Sólido, Dr. Humberto Asmat - UNI

b) Principios de Electrónica- Electrónica física, modelos y circuitos electrónicos, Gray & Searlec) Circuitos y dispositivos electrónicos, Lluís Prat Viñas

d) Fisica de Semiconductores, Nanavati

e) Electrónica TeorÍa de Circuitos, Robert Boylestad, Louis Nashelsky

f) Circuitos Electrónicos Discretos e lntegrados, Schilling & Beloveg) Disposiüvos y Circuitos Electrónicos, Míllman & Halkias

h) Díspositivos Electrónicos y Circuitos, Jimmie J. Cathey

i) Circuitos, Dispositivos y Sistemas, Ralph J. Smith.

DEPARTAMENTO ACADEMICO DE INGENIERíA ELEGTRÓNICA DISPOSITIVOS ELECTRÓNrcOS