CERN- Bonding A.Pezous CERN, 13.03.2013. Copyright 2013 CSEM | Bonding| A.Pezous | Page 1 Design 2...
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CERN- Bonding A.Pezous CERN, 13.03.2013
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CERN- BondingA.PezousCERN, 13.03.2013
Copyright 2013 CSEM | Bonding| A.Pezous | Page 2
Design
• 2 “NA62 frame”
• 2 “ATLAS”
• 8 “explosions”
• 10 “micro-chevron”
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Process flow
Split 1 Split 2 Split 3 Split 4
Wetox 1um Backside lithographie
« alignement cross » DRIE etching SiO2(1um)+Si
(2um) Frontside lithographie
« channels » DRIE etching SiO2(1um)
+Si(194 um) SiO2 etch - BHF Surface activation Bonding Bake 1050°C Frontside lithographie
INLET-OUTLET opening DRIE etching (Si-186um)
Wetox 1um Backside lithographie
« alignement cross » DRIE etching SiO2(1um)+Si
(2um) Frontside lithographie
« channels » DRIE etching SiO2(1um)
+Si(194 um) KOH SiO2 etch-BHF Surface activation Bonding Bake 1050°C Frontside lithographie
INLET-OUTLET opening DRIE etching(Si-186um)
Wetox 1um Backside lithographie
« alignement cross » DRIE etching SiO2(1um)+Si
(2um) Frontside lithographie
« channels » DRIE etching SiO2(1um)
+Si(194 um) Backside lithographie
INLET-OUTLET opening DRIE etching KOH SiO2 etch-BHF Surface activation Bonding Bake 1050°C
Wetox 1um Backside lithographie
« alignement cross » DRIE etching SiO2(1um)+Si
(2um) Frontside lithographie
« channels » DRIE etching SiO2(1um)
+Si(194 um) Backside lithographie
INLET-OUTLET opening DRIE etching KOH SiO2 etch-BHF Surface activation Bonding Bake 400°C, 12h
#3 #5 #7, #8 #9
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Results- after etching
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#3-split 1(no KOH)
• Avant recuit
• Après recuit
Split 1
Wetox 1um Backside lithographie
« alignement cross » DRIE etching SiO2(1um)+Si
(2um) Frontside lithographie
« channels » DRIE etching SiO2(1um)
+Si(194 um) SiO2 etch - BHF Surface activation Bonding Bake 1050°C Frontside lithographie
INLET-OUTLET opening DRIE etching (Si-186um)
#3
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• Avant recuit
• Après recuit
#5- split2: KOH
Split 2
Wetox 1um Backside lithographie
« alignement cross » DRIE etching SiO2(1um)+Si
(2um) Frontside lithographie
« channels » DRIE etching SiO2(1um)
+Si(194 um) KOH SiO2 etch-BHF Surface activation Bonding Bake 1050°C Frontside lithographie
INLET-OUTLET opening DRIE etching(Si-186um)
#5
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• Avant recuit
• Après recuit
#8-split3: ouverture avant bonding
Split 3
Wetox 1um Backside lithographie
« alignement cross » DRIE etching SiO2(1um)+Si
(2um) Frontside lithographie
« channels » DRIE etching SiO2(1um)
+Si(194 um) Backside lithographie
INLET-OUTLET opening DRIE etching KOH SiO2 etch-BHF Surface activation Bonding Bake 1050°C
#7, #8
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#9-split4: ouverture avant bonding et LTFB
Split 4
Wetox 1um Backside lithographie
« alignement cross » DRIE etching SiO2(1um)+Si
(2um) Frontside lithographie
« channels » DRIE etching SiO2(1um)
+Si(194 um) Backside lithographie
INLET-OUTLET opening DRIE etching KOH SiO2 etch-BHF Surface activation Bonding Bake 400°C, 12h
#9
Copyright 2013 CSEM | Bonding| A.Pezous | Page 9
#4- cross-section
• Après recuit @1050°C • Après amincissement
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