郑州大学硕士研究生入学考试 《翻译硕士英语》考试大纲 一、考 … · 科高级阶段教学大纲有关要求和我校翻译硕士专业培养目标。考试范围包括mti
1 GHz 5500 V/µs 低失真放大器 - analog.com ·...
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One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A.Tel: 781/329-4700 www.analog.comFax: 781/326-8703 © 2004 Analog Devices, Inc. All rights reserved.
功能框图
8-Lead Plastic SOIC (R-8) 5-Lead SOT-23 (RT-5)
–30
–80
–40
–50
–60
–70
–100
–90
1
DIS
TOR
TIO
N (d
Bc)
FREQUENCY RESPONSE (MHz)7010
G = 2RF = 301VO = 2V p-p
SECOND150 LOAD
SECOND100 LOAD
THIRD150 LOAD
THIRD100 LOAD
FREQUENCY RESPONSE (MHz)1
2
1
–8
0
–1
–2
–3
–4
–5
–6
–7
100010
NO
RM
ALI
ZED
GA
IN (d
B)
100
G = +2 RF = 301 RL = 150
G = +10 RF = 200 RL = 100
VO = 2V p-p
1VOUT
AD8009
–VS
+IN
2
3 4
5 +VS
–IN
1
2
3
4
8
7
6
5
NC = NO CONNECT
AD8009NC
–IN
+IN
–VS NC
OUT
+VS
NC
1 GHz、5500 V/µs 低失真放大器
AD8009产品特性 超高速
压摆率:5500 V/µs(4 V阶跃,G = +2) 上升时间:545 ps(2 V阶跃,G = +2) 大信号带宽
440 MHz,G = +2 320 MHz,G = +10
小信号带宽(–3 dB) 1 GHz,G = +1 700 MHz,G = +2
0.1%建立时间为:10 ns(2 V阶跃,G = +2) 宽带宽范围内低失真
无杂散动态范围(SFDR)–66 dBc(20 MHz,二次谐波)–75 dBc(20 MHz,三次谐波)
三阶交调截点(3IP)26 dBm(70 MHz,G = +10)
良好的视频规格 0.1 dB增益平坦度达75 MHz 0.01%差分增益误差,RL = 150 Ω 0.01°差分相位误差,RL = 150 Ω
高输出驱动 175 mA输出负载驱动电流 10 dBm且SFDR为–38 dBc(70 MHz,G = +10)
电源供电 电源电压:+5 V至±5 V 电源电流:14 mA(典型值)
应用 脉冲放大器 中频/射频增益级/放大器 高分辨率视频图形 高速仪器仪表 CCD成像放大器
图1. 大信号频率响应;G = +2和+10
图2. 失真与频率的关系;G = +2
ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文,敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误,ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性,请参考ADI提供
的最新英文版数据手册。
产品描述 AD8009是一款超高速电流反馈型放大器,压摆率达到惊
人的5500 V/μs,上升时间仅为545 ps,因而非常适合用作脉
冲放大器。 高压摆率降低可压摆率限幅效应,使大信号带宽达到
440 MHz,从而满足高分辨率视频图形系统的需要。信号质
量在整个宽带宽范围内均保持较高水平,最差情况下的失
真为–40 dBc(250 MHz,G = +10,1 V p-p)。对于中频信号
链等具有多音信号的应用,相同频率的三阶交调截点
(3IP)为12 dBm。这种失真性能配合电流反馈结构,使AD8009可灵活地应用于IF/RF信号链中的增益级放大器。 AD8009能够提供175 mA以上的负载电流,驱动四个后部
端接的视频负载,同时保持低差分增益和相位误差(分别
为0.02%和0.04°)。高驱动能力还体现在它能够提供10 dBm的输出功率, 当频率为70 MHz和无杂散动态范围(SFDR)为–38 dBc时。 AD8009提供小型SOIC封装,工作温度范围为–40°C至
+85°C工业温度范围。该器件还提供SOT-23-5封装,工作
温度范围为0°C至70°C商用温度范围。
AD8009AR/JRT型号 条件 最小值 典型值 单位
动态性能
R ,1+ = G R封装 F = 301 ΩR ,1+ = G F = 332 Ω
zHM0070842+ = GzHM05300301+ = GzHM0440932+ = GzHM02353201+ = G
增益平坦度0.1 dB,VO = 0.2 V p-p L = 150 ΩG = +2,RL = 150 Ω,4 V阶跃压摆率
0.1%建立时间 sn52 G = +10,2 V阶跃
G = +2,RL = 150 Ω,4 V阶跃上升和下降时间
谐波/噪声性能 cBd37–zHM 01cBd66–zHM 02cBd65–zHM 07cBd77–zHM 01三次谐波 cBd57–zHM 02cBd85–zHM 07mBd62zHM 07mBd81zHM 051W.R.T.输出,G = +10 mBd21zHM 052/Vn9.1zHM 01 = f √Hz/Ap64nI+ ,zHM 01 = f输入电流噪声 √Hz
f = 10 MHz, /Ap14nI– √HzR ,2+ = G ,CSTN差分增益误差
度
度
L = 150 ΩNTSC, G = +2, R L = 37.5 Ω
R ,2+ = G ,CSTN差分相位误差 L = 150 ΩNTSC, G = +2, R L = 37.5 Ω
直流性能 输入失调电压 2 5 mV
7 mV失调电压漂移 4 µV/°C负输入偏置电流 50 150 ±µA
75 ±µA正输入偏置电压 50 150 ±µA
75 ±µAk05209 Ω
TMIN至TMAX 170 k Ω
输入特性 k011正输入 输入电阻 Ω
8负输入 ΩFp6.2正输入输入电容
8.3 ±V共模抑制比
输出特性输出电压摆幅 ±3.7 ±3.8 V
RL = 10 Ω,PD封装 = 0.7 W输出电流 短路电流 330 mA
电源 5+工作范围 ±6 V
静态电流 14 16 mATMIN至TMAX 18 mA
电源抑制比
最大值
规格如有变更恕不另行通知。
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AD8009
–3 dB小信号带宽,VO = 0.2 V p-p
RT封装
大信号带宽,VO = 2 V p-p
(除非另有说明,TA = 25°C,VS = ±5 V,RL = 100 Ω;对于R封装:RF = 301 Ω (G = +1, +2)、RF = 200 (G = +10);对于RT封装:
RF = 332 Ω (G = +1)、RF = 226 Ω (G = +2)和RF = 191 Ω (G = +10)。)
二次谐波G = +2,VO = 2 V p-p
三阶交调截点(3IP)
输入电压噪声
开环跨阻
输入共模电压范围
VS = 4 V至6 V
VCM = 2.5
TMIN至TMAX
TMIN至TMAX
TMIN至TMAX
G = +2,RL = 150 Ω,2 V阶跃V/μs
AD8009AR/JRT
动态性能
上升和下降时间
谐波/噪声性能 cBd47–zHM 01cBd76–zHM 02cBd84–zHM 07cBd67–zHM 01三次谐波cBd27–zHM 02cBd44–zHM 07/Vn9.1zHM 01 = f输入电压噪声 √Hz/Ap64nI+ ,zHM 01 = f输入电流噪声 √Hz
f = 10 MHz, /Ap14nI– √Hz
直流性能 输入失调电压 1 4 mV负输入偏置电流 50 150 ±µA正输入偏置电压 50 150 ±µA
输入特性 k011正输入输入电阻 Ω
8 ΩFp6.2正输入输入电容
V1.2至3.8 输入共模电压范围 共模抑制比
输出特性输出电压摆幅 1.1至3.9
VCM = 1.5 V至3.5 V
短路电流 330 mA
电源 5+
64
±6 V静态电流 10 12 mA
70 dB
175 mAV
50 52 dB
电源抑制比
规格如有变更恕不另行通知。
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AD8009
(TA = 25°C,VS = +5 V,RL = 100 Ω;对于R封装:RF = 301 Ω (G = +1, +2)、RF = 200 Ω (G = +10))。
技术规格
型号 条件 最小值 典型值 最大值 单位
–3 dB小信号带宽,VO = 0.2 V p-p
大信号带宽,VO = 2 V p-p
增益平坦度0.1 dB,VO = 0.2 V p-p压摆率0.1%建立时间
二次谐波G = +2,VO = 2 V p-p
输出电流
工作范围
VS = 4.5 V至5.5 V
RL = 10 Ω,PD封装 = 0.7 W
负输入
G = +2,RL = 150 Ω,4 V阶跃 0.725 nsG = +10,2 V阶跃 25 nsG = +2,RL = 150 Ω,2 V阶跃 10 nsG = +2,RL = 150 Ω,4 V阶跃G = +2,RL = 150 Ω 65 MHzG = +10 250 MHzG = +2 365 MHzG = +10 300 MHzG = +2 430 MHzG = +1,RF = 301 Ω 630 MHz
2,100 V/μs
警告
AMBIENT TEMPERATURE ( C)9080
2.0
1.0
0
1.5
0.5
–50
TJ = 150 C
MA
XIM
UM
PO
WER
DIS
SIPA
TIO
N (W
)
706050403020100–40 –30 –20 –10
8-LEAD SOIC PACKAGE
5-LEAD SOT-23 PACKAGE
订购指南
*
**
–40°C至+85°C–40°C至+85°C–40°C至+85°C–40°C至+85°C–40°C至+85°C–40°C至+85°C0°C至70°C0°C至70°C0°C至70°C0°C至70°C0°C至70°C
芯片
8引脚 SOIC8引脚 SOIC8引脚 SOIC8引脚 SOIC8引脚 SOIC8引脚 SOIC5引脚 SOT-23 5引脚 SOT-23 5引脚 SOT-23 5引脚 SOT-23 5引脚 SOT-23
* Z = 无铅器件。
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AD8009
绝对最大额定值1
电源电压 ................................................................................. 12.6 V 内部功耗2
小型封装(R) ......................................................................... 0.75 W 输入电压(共模) .........................................................................± VS
差分输入电压 .......................................................................... 3.5 V 输出短路持续时间 ............................................见功率减额曲线 存储温度范围(R封装)......................................... –65至+125 工作温度范围(A级)............................................... –40至+85 工作温度范围(J级) ....................................................... 0至70 引脚温度范围(焊接,10秒) ................................................ 300
注释 1 注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这只
是额定最值,并不能以这些条件或者在任何其它超出本技术规范操
作章节中所示规格的条件下,推断器件能否正常工作。长期在绝对
最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。 2 针对空气中的器件而言:
8引脚SOIC封装:θJA = 155°C/W。
5引脚SOT-23封装:θJA = 240°C/W。
最大功耗 AD8009安全工作的最大功耗受限于结温的升高。塑封器件
的最大安全结温由塑料的玻璃化转变温度决定,约为
150°C。即便只是暂时超过此限值,由于封装对芯片作用
的应力改变,参数性能也可能会发生变化。长时间超过
175°C的结温可能会导致器件失效。
虽然AD8009提供内部短路保护,但这可能不足以保证所有
情况下均不会超过最大结温(150°C)。为了确保正常工作,
必须观察最大功率减额曲线。
图3. 最大功耗与温度的曲线图
型号 温度范围 封装描述 封装选项 标识
ESD(静电放电)敏感器件。静电电荷很容易在人体和测试设备上累积,可高达4000 V,
并可能在没有察觉的情况下放电。尽管AD8009具有专有ESD保护电路,但在遇到高能
量静电放电时,可能会发生永久性器件损坏。因此,建议采取适当的ESD防范措施,
以避免器件性能下降或功能丧失。
FREQUENCY (MHz)
NO
RM
ALI
ZED
GA
IN (d
B)
10 100
3
2
1
0
–1
–6
–7
–2
–3
–4
–5
1 1000
R PACKAGE:RL = 100VO = 200mV p–pG = +1, +2: RF = 301G = +10: RF = 200RT PACKAGE:G = +1: RF = 332G = +2: RF = 226G = +10: RF = 191
G = +1, R
G = +10, R AND RT
G = +2, R AND RT
G = +1, RT
GA
IN (d
B)
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
–2
8
1001 100010FREQUENCY (MHz)
G = +2 RF = 301 RL = 150 VO AS SHOWN
4V p-p
2V p-p
GA
IN (d
B)
7
6
5
4
3
2
1
0
–1
–2
8
1001 100010FREQUENCY (MHz)
G = +2 RF = 301 RL = 150 VO = 2V p–p
–40 C
+85 C
–40 C
+85 C
6.1
6.0
5.9
5.8
5.7
5.6
5.5
5.4
5.3
5.2
6.2
GA
IN F
LATN
ESS
(dB
)
FREQUENCY (MHz)10 1001 1000
G = +2 RF = 301 RL = 150 VO = 200mV p-p
FREQUENCY (MHz)
–0.3
–0.2
–0.1
0
0.1
0.2
0.3
0.4
1 10 100 1000 10000
GA
IN F
LATN
ES
S (d
B)
G = +2RF = 301RL = 150VO = 200mV p-pVS = 5V
GA
IN (d
B)
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
22
1001 100010FREQUENCY (MHz)
G = +10 RF = 200 RL = 100 VO AS SHOWN
2V p-p
4V p-p
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AD8009
TPC 1. 频率响应;G = +1、+2、+10,R和RT封装
TPC 2. 大信号频率响应;G = +2
TPC 3. 大信号频率响应与温度的关系;G = +2
TPC 4. 增益平坦度;G = +2
TPC 5. 增益平坦度;G = +2;VS = 5 V
TPC 6. 大信号频率响应;G = +10
GA
IN (d
B)
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
22
1001 100010FREQUENCY (MHz)
G = +10RF = 200RL = 100VO = 2V p-p
–40 C
+85 C
DIS
TOR
TIO
N (d
Bc)
–30
–80
–40
–50
–60
–70
–100
–90
THIRD,150 LOAD
THIRD,100 LOAD
FREQUENCY RESPONSE (MHz)07011
SECOND,100 LOAD
SECOND,150 LOAD
G = 2RF = 301VO = 2V p-p
FREQUENCY (MHz)
–20
–801 200
DIS
TOR
TIO
N (d
Bc)
00101
–30
–40
–50
–60
–70
G = +2RF = 301RL = 100VO = 2V p-pVS = 5V
THIRD
SECOND
–35
–70
–85
–40
–65
–75
–80
–45
–55
–50
–60
DIS
TOR
TIO
N (d
Bc)
POUT (dBm)2101– –6 –4 –2 0 2 4 6 8 10 14–8
200
POUT
22.1
50
50
50
250MHz
70MHz
5MHz
IRE1000
0.02
DIF
F G
AIN
(%)
–0.02
0.00
–0.01
0.01
RL = 37.5
RL = 150
G = +2 RF = 301
G = +2 RF = 301
RL = 37.5
RL = 150
0.10
DIF
F PH
ASE
(Deg
rees
)
–0.10
–0.00
–0.05
0.05
IRE1000
–30
–35
–80
–40
–45
–50
–55
–60
–65
–70
–75
DIS
TOR
TIO
N (d
Bc)
70105FREQUENCY (MHz)
G = +10 RF = 200 RL = 100 VO = 2V p-p
SECOND
THIRD
TPC 7. 大信号频率响应与温度的关系;G = +10
TPC 8. 失真与频率的关系;G = +2
TPC 9. 失真与频率的关系;G = +2;VS = 5 V
TPC 10. 二次谐波失真与POUT的关系;(G = +10)
TPC 11. 差分增益和相位
TPC 12. 失真与频率的关系;G = +10
Rev. F | Page 2 of 16
AD8009
POUT (dBm)
DIS
TOR
TIO
N (d
Bc)
–45
–80
–95218–01– –6 –4 –2 0 2 4 6 8 10
–50
–75
–85
–90
–55
–65
–60
–70
–40
–35
14
5MHz
70MHz250MHz
200
POUT
22.1
50
50
50
INTE
RC
EPT
POIN
T (d
Bm
)
FREQUENCY (MHz)10 250100
10
50
45
40
35
30
25
20
15
200
POUT
22.1
50
50
50
TRA
NSR
ESIS
TAN
CE
()
1M
100k
10k
1k
0011.010.0 1
GAIN
PHASE RL = 100
100010
PHA
SE (D
egre
es)
0
–40
–80
–120
FREQUENCY (MHz)
–160100
FREQUENCY (MHz)
0.03 0011.0 10
10
0
–10
–20
–30
–40
–50
–60
–701 500
PSR
R (d
B)
+PSRR
G = +2RF = 301RL = 100100mV p-p ON TOP OF VS
–PSRR
FREQUENCY (Hz)
300
0M05200101 1k 10k 100k 1M 10M 100M
250
200
150
100
50
NONINVERTING CURRENT
INVERTING CURRENT
INPU
T C
UR
REN
T (p
A/
Hz)
VIN =200mV p-p
100
VO
301
154
301
154
–15
–20
–25
–30
–35
–40
–45
–50
–55
–60
–10
CM
RR
(dB
)
1001 100010FREQUENCY (MHz)
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AD8009
TPC 13. 三次谐波失真与POUT的关系;(G = +10)
TPC 14. 双音、三阶IMD交调与频率的关系;G = +10
TPC 15. 跨阻和相位与频率的关系
TPC 16. PSRR与频率的关系
TPC 17. 电流噪声与频率的关系
TPC 18. CMRR与频率的关系
100
10
1
0.1
0.01
0.03 0011.0 101 500
OU
TPU
T R
ESIS
TAN
CE
()
FREQUENCY (MHz)
G = +2 RF = 301
INPU
T VO
LTA
GE
NO
ISE
(nV/
H
z)
0
10
8
6
4
2
FREQUENCY (Hz)
10 M052001 1k 10k 100k 1M 10M 100M
SOURCE RESISTANCE ( )
NO
ISE
FIG
UR
E (d
B)
25
20
15
10
5
0100101 500
G = +10 RF = 301 RL = 100
FREQUENCY (MHz)
(VSW
R)
00111.0 10
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0500
250
20
18
0
16
14
12
10
8
6
4
2
P OU
T M
AX
(dB
m)
FREQUENCY (MHz)5 10010
RF
POUT
RG
50
50
50
G = +2 RF = 301
G = +10 RF = 200
–70
–80
–90
–60
–50
–40
–30
–20
S 12
(dB
)
1001 100010FREQUENCY (MHz)
G = +10 RF = 200
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AD8009
TPC 19. 输出电阻与频率的关系
TPC 20. 电压噪声与频率的关系
TPC 21. 噪声系数
TPC 22. 输入VSWR;G = +10
TPC 23. 最大输出功率与频率的关系
TPC 24. 反向隔离(S12);G = +10
(VSW
R)
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0
2.2
FREQUENCY (MHz)00111.0 10
CCOMP = 0pF
CCOMP = 3pF
200
49.9
CCOMP
49.9
22.1
500
10
0%
10090
VOUT
VIN = 2VSTEP
250ns2V2V
G = +10 RF = 200 RL = 100
1ns50mV
G = +2 RF = 301 RL = 150 VO = 200mV p-p
1ns500mV
G = +2 RF = 301 RL = 150 VO = 2V p-p
1.5ns1V
G = +2 RF = 301 RL = 150 VO = 4V p-p
2ns50mV
G = +10 RF = 200 RL = 100 VO = 200mV p-p
Rev. F | Page 9 of 16
AD8009
TPC 25. 输出VSWR;G = +10
TPC 26. 过驱恢复;G = +10
TPC 28. 2 V瞬态响应;G = +2
TPC 30. 小信号瞬态响应;G = +10
TPC 29. 4 V瞬态响应;G = +2
TPC 27. 2 V瞬态响应;G = +2
VO
50mV 1ns
VS = 5VG = +2RF = 301RL = 150VO = 200mV p-p
FREQUENCY (MHz)10 1000100
GA
IN
)Bd(
8
7
6
5
4
–1
3
2
1
0
12
9
6
3
0
–15
–12
–9
–6
–3
GA
IN (d
B)
50VIN
CA 499
VOUT = 200mV p–p
VOUT
499 100
1
CA = 2pF3dB/div
CA = 1pF1dB/div
CA = 0pF1dB/div
1.5ns40mV
VOUT = 200mV p–pVS = 5V
CA = 2pF
CA = 1pF
CA = 0pF
499 100 50
VOUTVIN
CA499
2ns500mV
G = +10 RF = 200 RL = 100 VO = 2V p-p
3ns1V
G = +10 RF = 200 RL = 100 VO = 4V p-p
VO
50mV 1ns
VS = 5VG = +2RF = 301RL = 150VO = 200mV p-p
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AD8009
TPC 31. 2 V瞬态响应;G = +10 TPC 34. 2 V瞬态响应;VS = 5 V;G = +2
TPC 32. 4 V瞬态响应;G = +10 TPC 35. 小信号频率响应与寄生电容的关系
TPC 33. 小信号瞬态响应;VS = 5 V;G = +2 TPC 36. 小信号脉冲响应与寄生电容的关系
10 F
AD8009
HP8753D
49.9
301
49.9
+5V
–5V
301
3
10 F+
ZOUT = 50 ZIN = 50
+
0.001 F 0.1 F
0.001 F 0.1 F
2
7
46
WAVETEK 5201BPF
zHM 000.08 NAPSzHM 000.05 RETNEC
0
–10
–20
–30
–40
–50
–60
–70
–80
–90
REJ
ECTI
ON
(dB
)
AD8009 G = 2 RF = RG= 301 DRIVING WAVETEK 5201 TUNABLE BPFfC = 50MHz
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AD8009
TPC 37. AD8009驱动带通RF滤波 TPC 38. 带通滤波电路的频率响应
应用 所有电流反馈型运算放大器均受–INPUT的杂散电容影
响。TPC 35和36显示了AD8009对这类电容的响应。
TPC 35显示了将一个电容与增益电阻并联可以扩展带宽。
TPC 36显示了与电容/带宽增加所对应的小信号脉冲响应。
出于实际考虑,–INPUT至GND的电容越大,则所需的RF
也越大,以便最大程度降低峰化和振铃。
RF滤波驱动器 AD8009的输出驱动能力、宽带宽和低失真特性非常适合创
建可以驱动RF滤波器的增益模块。许多此类滤波器要求输
入端由50 Ω源驱动,而输出端则必须采用50 Ω电阻端接,此
类滤波器才能表现出额定的频率响应。
TPC 37显示了驱动和测量滤波器频率响应的电路,这是调整
至50 MHz中心频率的Wavetek 5201可调带通滤波器。HP8753D网络提供了测量用的激励信号。分析仪具有50 Ω的源阻抗,
驱动端通过电缆接到AD8009高阻抗同相输入端的50 Ω端接。
AD8009的增益设置为+2。输出端的50 Ω串联电阻以及滤波
器及其端接提供的50 Ω端接电阻产生使测量路径的总增益为
一。TPC 38的频率响应曲线图显示了通带中插入损耗为1.3 dB且阻带中大约75 dB抑制的电路。
10 F+
0.1 F
AD800975
301
5V
3012
73
6
+ 10 F0.1 F
4
–5V
AD800975
301
3012
36
AD800975
301301
2
36
75 COAX PRIMARY MONITOR
ADDITIONAL MONITOR 75 COAX
75
75
75
75
75
75
75
75
75
RED
GREEN
BLUE
RED
GREEN
BLUE
IOUTR
IOUTG
IOUTB
ADV7160/ADV7162
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AD8009
图4. 使用三个AD8009驱动额外的高分辨率监控器
为了在最差信号条件(相邻像素在零值和满量程之间摆动)
下提供良好的分辨率。
主监控器以传统方式连接,在75 Ω电缆的每端连接75 Ω的接
地电阻。有时此配置称为“双端接”,在驱动器为高输出阻
抗电流源时使用。
对于其他监控器,靠近RAMDAC输出的每个RGB信号均施
加到AD8009(增益配置为2)的高输入阻抗同相输入端。每
个输出端均驱动一个75 Ω串联电阻、电缆和监控器中的端接
电阻,将输出信号衰减一半,从而提供总单位增益。此方
案称为“后部端接”,在驱动器为低输出阻抗电压源时使
用。后部端接要求信号的电压是监控器所需值的两倍。双
端接要求输出电流是监控器端接中电流的两倍。
RGB监控器驱动器 高分辨率计算机监控器需要非常高的全功率带宽信号,
以使显示分辨率达到最大。驱动这些监控器的RGB信号
通常由电流输出RAMDAC提供,后者可直接驱动75 Ω双端
接线路。
有时候需要将相同的输出输送给多个监控器。每台监控器
内部提供的端接禁止简单并行连接第二台监控器。必须提
供额外的缓冲。
图4显示了由ADV7160或ADV7162驱动两个高分辨率监控
器的连接图,其中ADV7160或ADV7162是220 MHz(每秒百
万像素)三通道RAMDAC。此像素速率需要一个驱动器,
其全功率带宽至少是像素速率的一半,即110 MHz。这是
10 F+0.1 F0.001 F
10 F+
0.1 F0.001 F
AD800949.9
+5V
–5V
3
2 4RT
RS
CL 50pF
2VSTEP
7
6
RFRG
G = +2: RF = 301 = RG
G = +10: RF = 200 , RG = 22.1
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AD8009
驱动容性负载 根据运算放大器的架构,利用运算放大器来驱动类似某些
模数转换器所具有的容性负载有时可能是一大挑战。大多
数问题是运算放大器的输出阻抗与其驱动电容构成的极点
引起的。这会产生相移,最终使得运算放大器不稳定。
驱动电容时防止不稳定性并改善建立时间的一种方式是在
运算放大器输出端和该电容之间插入一个串联电阻。反馈
电阻仍然直接连接到运算放大器的输出端,而串联电阻则
在容性负载与运算放大器输出端之间提供了一定的隔离。
图5显示了用AD8009驱动50 pF负载的电路。RS = 0时,AD8009电路会不稳定。增益为+2和+10时,实验发现如果将RS设
为42.2 Ω,输出端采用2 V阶跃的0.1%建立时间会降到最低。
此电路的0.1%建立时间经测量为40 ns。
对于更小的容性负载,更小的RS会产生最优的建立时间,
而对于更大的容性负载,则需要更大的RS。当然,电容越
大,建立至给定精度所需的时间就越长;同时,由于所需
的RS增加,因此建立时间会更长。最好情况下,给定的RC组合本身将需要大约七个时间常数来建立到0.1%,因此将
会达到限值,那时给定的运算放大器无法驱动过大的电容
但依然满足系统要求的建立时间规格。
图 5. 容性负载驱动电路
外形尺寸
图示尺寸单位:mm和(inch)
0.25 (0.0098)0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)0.40 (0.0157)
0.50 (0.0196)0.25 (0.0099) 45
80
1.75 (0.0688)1.35 (0.0532)
SEATINGPLANE
0.25 (0.0098)0.10 (0.0040)
8 5
41
5.00 (0.1968)4.80 (0.1890)
4.00 (0.1574)3.80 (0.1497)
1.27 (0.0500)BSC
6.20 (0.2440)5.80 (0.2284)
0.51 (0.0201)0.31 (0.0122)COPLANARITY
0.10
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FORREFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012AA
PIN 1
1.60 BSC 2.80 BSC
1.90BSC
0.95 BSC
1 3
4 5
2
0.220.08
1050
0.500.30
0.15 MAX SEATINGPLANE
1.45 MAX
1.301.150.90
2.90 BSC
0.600.450.30
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-178AA
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AD8009
14
8引脚标准小型封装[SOIC] (R-8)
图示尺寸单位:mm
5引脚小型晶体管封装[SOT-23] (RT-5)
位置 页码
9/04—数据手册从修订版E升级到修订版F。
2003年3月——数据手册从修订版D升级到修订版E
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AD8009
更改“订购指南”..............................................................................................................................................................................................................4 更改TPC 37 ...................................................................................................................................................................................................................11
更新了数据手册格式 ....................................................................................................................................................................................全文更改
“产品特性” ......................................................................................................................................................................................................................1 更改图2 ............................................................................................................................................................................................................................1 更改“技术规格”..............................................................................................................................................................................................................2 从“订购指南”中删除了AD8009EB.............................................................................................................................................................................4 插入新的TPC 5...............................................................................................................................................................................................................5 插入新的TPC 9...............................................................................................................................................................................................................6 插入新的TPC 12.............................................................................................................................................................................................................6 插入新的TPC 33和34 ..................................................................................................................................................................................................10 更新“外形尺寸”............................................................................................................................................................................................................14
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