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Datasheet PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0www.infineon.com 2017-05-03
FP35R12W2T4P
EasyPIM™ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC/bereitsaufgetragenemThermalInterfaceMaterialEasyPIM™modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC/pre-appliedThermalInterfaceMaterial
VCES = 1200VIC nom = 35A / ICRM = 70A
TypischeAnwendungen TypicalApplications• •Hilfsumrichter Auxiliaryinverters• •Klimaanlagen Airconditioning• •Motorantriebe Motordrives
ElektrischeEigenschaften ElectricalFeatures• •NiedrigeSchaltverluste Lowswitchinglosses• •NiedrigesVCEsat LowVCEsat
• •TrenchIGBT4 TrenchIGBT4• •VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
MechanischeEigenschaften MechanicalFeatures• •Al2O3 Substrat mit kleinem thermischenWiderstand
Al2O3substratewithlowthermalresistance
• •KompaktesDesign Compactdesign• •Lötverbindungstechnik Soldercontacttechnology• •Robuste Montage durch integrierteBefestigungsklammern
Rugged mounting due to integrated mountingclamps
• •Thermisches Interface Material bereitsaufgetragen
Pre-appliedThermalInterfaceMaterial
ModuleLabelCodeBarcodeCode128
DMX-Code
ContentoftheCode DigitModuleSerialNumber 1-5ModuleMaterialNumber 6-11ProductionOrderNumber 12-19Datecode(ProductionYear) 20-21Datecode(ProductionWeek) 22-23
Datasheet 2 V3.02017-05-03
FP35R12W2T4P
IGBT,Wechselrichter/IGBT,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 35 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 70 A
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 35 A, VGE = 15 VIC = 35 A, VGE = 15 VIC = 35 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,852,152,25
2,25 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,20 5,80 6,40 V
GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,27 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,07 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 12 Ω
td on0,0250,0250,025
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 12 Ω
tr0,0130,0160,018
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 12 Ω
td off0,240,2950,31
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 12 Ω
tf0,1150,170,20
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, di/dt = 2500 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 12 Ω
Eon
1,902,903,15
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 12 Ω
Eoff
2,002,903,20
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 130 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBTvalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 1,00 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 3 V3.02017-05-03
FP35R12W2T4P
Diode,Wechselrichter/Diode,InverterHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 35 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 70 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 240
220 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 35 A, VGE = 0 VIF = 35 A, VGE = 0 VIF = 35 A, VGE = 0 V
VF
1,651,651,65
2,15 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V
IRM
81,085,088,0
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V
Qr
3,956,807,50
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 VVGE = -15 V
Erec
1,502,702,95
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiodevalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 1,29 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Diode,Gleichrichter/Diode,RectifierHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1600 V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChipMaximumRMSforwardcurrentperchip TH = 60°C IFRMSM 60 A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstromMaximumRMScurrentatrectifieroutput TH = 60°C IRMSM 60 A
StoßstromGrenzwertSurgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C IFSM 450
370 AA
GrenzlastintegralI²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°Ctp = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 1000
685 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage Tvj = 150°C, IF = 35 A VF 0,95 V
SperrstromReversecurrent Tvj = 150°C, VR = 1600 V IR 1,00 mA
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiodevalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 1,42 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 4 V3.02017-05-03
FP35R12W2T4P
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesKollektor-Emitter-SperrspannungCollector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 1200 V
Kollektor-DauergleichstromContinuousDCcollectorcurrent TH = 80°C, Tvj max = 175°C IC nom 35 A
PeriodischerKollektor-SpitzenstromRepetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 70 A
Gate-Emitter-SpitzenspannungGate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
Kollektor-Emitter-SättigungsspannungCollector-emittersaturationvoltage
IC = 35 A, VGE = 15 VIC = 35 A, VGE = 15 VIC = 35 A, VGE = 15 V
VCE sat
1,852,152,25
2,25 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Gate-SchwellenspannungGatethresholdvoltage IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth 5,20 5,80 6,40 V
GateladungGatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 0,27 µC
InternerGatewiderstandInternalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω
EingangskapazitätInputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 2,00 nF
RückwirkungskapazitätReversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,07 nF
Kollektor-Emitter-ReststromCollector-emittercut-offcurrent VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA
Gate-Emitter-ReststromGate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-ondelaytime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 47 Ω
td on0,070,070,07
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLastRisetime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGon = 47 Ω
tr0,0450,050,057
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLastTurn-offdelaytime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 47 Ω
td off0,280,440,45
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLastFalltime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 VVGE = ±15 VRGoff = 47 Ω
tf0,1150,1750,205
µsµsµs
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPulsTurn-onenergylossperpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, di/dt = 350 A/µs (Tvj = 150°C)RGon = 47 Ω
Eon
5,006,507,00
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPulsTurn-offenergylossperpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nHVGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C)RGoff = 47 Ω
Eoff
2,103,053,35
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
KurzschlußverhaltenSCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 VVCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 130 A
Tvj = 150°C
tP ≤ 10 µs,
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink
proIGBT/perIGBTvalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 1,00 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
Datasheet 5 V3.02017-05-03
FP35R12W2T4P
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-ChopperHöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValuesPeriodischeSpitzensperrspannungRepetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 1200 V
DauergleichstromContinuousDCforwardcurrent IF 10 A
PeriodischerSpitzenstromRepetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms IFRM 20 A
GrenzlastintegralI²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°CVR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C I²t 16,0
14,0 A²sA²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
DurchlassspannungForwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 VIF = 10 A, VGE = 0 V
VF
1,751,751,75
2,25 VVV
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
RückstromspitzePeakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 350 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V IRM
12,010,08,00
AAA
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SperrverzögerungsladungRecoveredcharge
IF = 10 A, - diF/dt = 350 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V Qr
0,901,701,90
µCµCµC
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AbschaltenergieproPulsReverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 350 A/µs (Tvj=150°C)VR = 600 V Erec
0,240,520,59
mJmJmJ
Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörperThermalresistance,junctiontoheatsink
proDiode/perdiodevalidwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH 2,69 K/W
TemperaturimSchaltbetriebTemperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 °C
NTC-Widerstand/NTC-ThermistorCharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max.
NennwiderstandRatedresistance TNTC = 25°C R25 5,00 kΩ
AbweichungvonR100DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω ∆R/R -5 5 %
VerlustleistungPowerdissipation TNTC = 25°C P25 20,0 mW
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K
B-WertB-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet 6 V3.02017-05-03
FP35R12W2T4P
Modul/ModuleIsolations-PrüfspannungIsolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2,5 kV
InnereIsolationInternalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3
KriechstreckeCreepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5
6,3 mm
LuftstreckeClearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsinkKontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0
5,0 mm
VergleichszahlderKriechwegbildungComperativetrackingindex CTI > 200
min. typ. max.
ModulstreuinduktivitätStrayinductancemodule LsCE 30 nH
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-ChipModuleleadresistance,terminals-chip
TH=25°C,proSchalter/perswitch RCC'+EE'
RAA'+CC'
5,006,00 mΩ
LagertemperaturStoragetemperature Tstg -40 125 °C
HöchstzulässigeBodenplattenbetriebstemperaturMaximumbaseplateoperationtemperature
TBPmax 125 °C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Federmountig force per clamp F 40 - 80 N
GewichtWeight G 39 g
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07Storage and shipment of modules with TIM => see AN2012-07
Datasheet 7 V3.02017-05-03
FP35R12W2T4P
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VCE)Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 5,00
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70VGE = 19VVGE = 17VVGE = 15VVGE = 13VVGE = 11VVGE = 9V
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)IC=f(VGE)VCE=20V
VGE [V]
IC [A
]
5 6 7 8 9 10 11 12 130
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(IC),Eoff=f(IC)VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V
IC [A]
E [m
J]
0 10 20 30 40 50 60 700,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
8,0
9,0
10,0Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C
Datasheet 8 V3.02017-05-03
FP35R12W2T4P
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)switchinglossesIGBT,Inverter(typical)Eon=f(RG),Eoff=f(RG)VGE=±15V,IC=35A,VCE=600V
RG [Ω]
E [m
J]
0 20 40 60 80 100 120 1400
2
4
6
8
10
12
14Eon, Tvj = 125°CEoff, Tvj = 125°CEon, Tvj = 150°CEoff, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandIGBT,WechselrichtertransientthermalimpedanceIGBT,InverterZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,01
0,1
1
10ZthJH : IGBT
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,05490,0006602
20,10380,009094
30,18130,04103
40,660,1308
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter(RBSOA)reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)IC=f(VCE)VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C
VCE [V]
IC [A
]
0 200 400 600 800 1000 1200 14000
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80IC, ModulIC, Chip
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
Datasheet 9 V3.02017-05-03
FP35R12W2T4P
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(IF)RGon=12Ω,VCE=600V
IF [A]
E [m
J]
0 10 20 30 40 50 60 700,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)switchinglossesDiode,Inverter(typical)Erec=f(RG)IF=35A,VCE=600V
RG [Ω]
E [m
J]
0 20 40 60 80 100 120 1400,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0Erec, Tvj = 125°CErec, Tvj = 150°C
TransienterWärmewiderstandDiode,WechselrichtertransientthermalimpedanceDiode,InverterZthJH=f(t)
t [s]
Zth
JH [K
/W]
0,001 0,01 0,1 1 100,01
0,1
1
10ZthJH : Diode
i:ri[K/W]:τi[s]:
10,098520,0006779
20,26760,01378
30,84070,1117
40,083180,5837
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,40
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70Tvj = 25°CTvj = 150°C
Datasheet 10 V3.02017-05-03
FP35R12W2T4P
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)IC=f(VCE)VGE=15V
VCE [V]
IC [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,00
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)IF=f(VF)
VF [V]
IF [A
]
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,50
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20Tvj = 25°CTvj = 125°CTvj = 150°C
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)R=f(T)
TNTC [°C]
R[Ω
]
0 20 40 60 80 100 120 140 160100
1000
10000
100000Rtyp
Datasheet 11 V3.02017-05-03
FP35R12W2T4P
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Infineon
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Edition2017-05-03
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